a一级爱做片免费观看欧美,久久国产一区二区,日本一二三区免费,久草视频手机在线观看

新聞中心

EEPW首頁 > 網絡與存儲 > 業界動態 > 明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

作者: 時間:2017-12-25 來源:集微網 收藏
編者按:DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應求狀態,產品價格同步高漲,而明年上半年將轉為供過于求。

  內存明年市況恐將不同調,市場仍將持續吃緊, Flash市場則將于明年上半年轉為供過于求。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/201712/373483.htm

   Flash 市場今年都處于供不應求狀態,產品價格同步高漲,只是業界普遍預期,明年 Flash 市況恐將不同調。

  內存模塊廠創見指出,DRAM 市場供貨持續吃緊,價格未見松動跡象。 NAND Flash 方面,隨著 3D NAND Flash 技術日益成熟,生產良率改善,可望填補供貨缺口。

  另一內存模塊廠威剛表示,短期內全球 DRAM 大廠仍理性看待產能議題,并未有大幅破壞產業生態的計劃,持續正面看待 DRAM 市況。

  NAND Flash 方面,威剛指出,隨著供貨商 3D NAND Flash 良率逐步改善,預期明年第 1 季整體供需將出現轉變。

  美光預期,明年 DRAM 位供給將增加約 20%,市場環境仍將持續健康;NAND Flash 位供給則將增加近 50%,供給增加幅度將遠高于 DRAM。



關鍵詞: NAND DRAM

評論


相關推薦

技術專區

關閉