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Molex推出下一代高性能超低功率存儲器技術

—— DDR3 DIMM存儲器模塊插座滿足不斷增長的嚴苛高密度應用需求
作者: 時間:2013-05-17 來源:電子產品世界 收藏

   (新加坡 – 2013年5月16日) 全球領先的全套互連產品供應商公司宣布推出空氣動力型DDR3 DIMM插座和超低側高DDR3 DIMM 產品組合,兩個產品系列均適用于電信、網絡和存儲系統、先進計算平臺、工業控制和醫療設備中要求嚴苛的應用。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/145436.htm

  DDR3是為支持800 -1600 Mbps的數據速率(頻率400 - 800 MHz)而制定的DDR DRAM接口技術,該數據速率是DDR2接口的兩倍。采用標準1.5V工作電壓,DDR3對比DDR2減少了30%的功耗。的DDR3 DIMM插座的底座面比標準設計更低,在ATCA刀片系統中可以使用最大底座高度低于2.80 mm的極低側高模塊,新型DDR3 DIMM插座還具有10 mΩ的低電平接觸電阻,以便使用注冊DIMM模塊并且在刀片式服務器中降低功耗。

  產品經理Douglas Jones表示:“隨著對更高帶寬的需求繼續增長,能夠以較快速率傳輸數據而不犧牲寶貴的空間或功率是至關重要的。使用DDR3 DIMM插座,讓我們的客戶不僅能夠充分利用最高性能的互連的優勢,而且又能維持或減小現有封裝尺寸并降低功耗。”

  Molex 空氣動力型DDR3 DIMM插座具有流線型外殼和閉鎖設計,以實現氣流最大化,并消除運作期間聚集的熱空氣。人類環境學閉鎖設計能夠實現快速動作,并且輕易移開高密度存儲器模塊。2.40 mm的低底座面優化了垂直空間,能更靈活地設計插座模塊的高度。空氣動力型DDR3 DIMM插座用于極低側高壓接(14.26 mm)、低側高壓接(22.03 mm)、低側高SMT (21.34 mm)和極低側高SMT (14.20 mm)高度,與標準壓接終端相比,這些壓接插座的針孔型順應引腳更小,有效節省了寶貴的PCB空間,以適用于較高密度的電子線路設計。Molex所有空氣動力型DDR3 DIMM插座均符合RoHS標準,SMT型款不含有鹵素。

  Molex超低側高DDR3 DIMM插座的底座面高僅1.10mm,為業內最低。該插座在PCB上提供最高20.23 mm垂直空間,用于安裝高密度DIMM,適用于要求符合ATCA電路板機械規范的應用,這項規范要求前PCB板一側的元件高度不能超過21.33 mm。超低側高DDR3 DIMM插座的閉鎖動作的角度較小,所需的PCB空間也比標準DIMM更少,既改善了氣流,又實現了更貼近的元件安裝。新型無鹵素插座具有玻璃填充的高溫尼龍外殼和閉鎖裝置,可以使用波峰焊和高溫紅外回流焊運作。

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