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爾必達赴臺設NAND Flash研發中心

作者: 時間:2010-07-20 來源:臺灣媒體 收藏

  據了解,日商爾必達已決定來臺設立研發中心,且選定投入高階技術 Flash領域。爾必達來臺投資研發中心金額約在50、60億新臺幣,未來將與力晶等日系半導體業者進一步合作。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/111029.htm

  據悉,爾必達與臺灣創新存儲器公司()合作雖然破局,但爾必達與臺灣業者聯合抗韓的意圖依舊存在,政府單位與爾必達互動密切,爾必達已于日前向經濟部遞出在臺設立研發中心的初步計劃書,經濟部正進行審查中。

  官員透露,爾必達來臺設立研發中心的計劃相當成熟,已進入實質合作內容洽談中,研發中心切入的產品并非一般的動態存儲器(),而是切入高階的 Flash產品的研發。

   Flash技術領先一個世代,目前全球前五大制造廠被三星、東芝、美光、海力士、英特爾囊括全球96.8%市占率,臺灣廠商在這一塊缺席,原本在NAND Flash技術上相對薄弱的爾必達,在買下飛索(Spansion)NAND技術資產后,規劃在明年投入NAND Flash量產。



關鍵詞: TIMC NAND DRAM

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