三星發布全球首顆30nm級工藝DDR3內存芯片
三星電子宣布,全球第一顆采用30nm級別工藝的DDR3 DRAM內存芯片已經通過客戶認證。注意這里說的是30nm級別工藝(30-nm class),而不是真正的30nm,也就是說有可能是38nm 之類的。三星此前投產的3-bit MLC NAND、異步DDR 32Gb MLC NAND閃存芯片同樣也是這種30nm級別的。
本文引用地址:http://www.j9360.com/article/105829.htm三星這種30nm工藝級DDR3 DRAM內存芯片的容量為2Gb,支持1.5V標 準電壓和1.35V低電壓,相比50nm工藝級可節省最多30%的功耗,因此又稱為綠色內存(Green DRAM),另外相比40nm級別工藝量產效率可提高60%,相比50-60nm級別工藝更是可達兩倍之多。
三星將在今年下半年量產這種芯片,并以此各種低功耗內存條,比如4GB DDR3 SO-DIMM,用在筆記本 內的時候每小時只消耗3W,僅占筆記本總功耗的3%。
當然在臺式機、服務器、上網本和各種移動設備里,這種新工藝內存也都有廣泛的用途。
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