壓力山大,DDR價格全線狂跌,存儲廠商何去何從?【附下載】| 芯東西內(nèi)參
內(nèi)存狂跌,DDR5可以上車了。
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本期的智能內(nèi)參,我們推薦中泰證券的報告《存儲板塊追蹤七》,揭秘DRAM市場的最新情況與趨勢。如果想收藏本文的報告,可以在芯東西公眾號回復(fù)關(guān)鍵詞“nc668”獲取。來源 民生證券原標(biāo)題:《存儲板塊追蹤七》作者:王芳 楊旭
01.DRAM:主流合約價跌至歷史最低
按照RAM和CPU的時鐘頻率是否同步,DRAM可分為同步DRAM(Synchronous DRAM,簡稱SDRAM)和異步DRAM。SDRAM目前已迭代6代,分別是SDR(Single Data Rate SDRAM)、DDR1(Double Data Rate 1 SDRAM)、DDR2、DDR3、DDR4、DDR5。每次迭代,芯片性能顯著提升。目前DRAM主流是DDR4,2021年占90%,DDR-DDR3合計占比10%。10月主流、利基DRAM合約價跌幅擴(kuò)大,主流跌幅21%-27%,利基跌幅8%-12%,大容量的主流產(chǎn)品跌幅明顯大于利基產(chǎn)品。1)主流DRAM:9月環(huán)比止跌,10月環(huán)比下跌21%-27%,跌幅擴(kuò)大;2)利基DRAM:9月環(huán)比下跌6%-8%,跌幅較8月4%-8%明顯收窄,10月跌幅8%-12%,跌幅較9月小幅擴(kuò)大。

1)主流DRAM:10月主流DDR4跌幅9%-10%,較9月的4%-8%進(jìn)一步擴(kuò)大;2)利基DRAM:10月利基DDR4、DDR3 跌幅5%-9%,跌幅較9月明顯擴(kuò)大。








02.NAND:2D到3D大勢所趨TLC、QLC漸成主流
NAND細(xì)分市場:3D滲透率提高,TLC、QLC為主要顆粒類型:1)NAND分類:根據(jù)結(jié)構(gòu),NAND分為2D NAND、3D NAND,根據(jù)顆粒類型,NAND分為SLC/MLC/TLC/QLC,SLC每單元存儲1 bit數(shù)據(jù)、MLC的存儲2個bit、TLC的存儲3個bit、QLC的存儲4個bit;2)2D到3D大勢所趨:2D在平面上對晶體管尺寸進(jìn)行微縮,從而獲得更高的存儲密度,但晶體管尺寸微縮遇到物理極限,現(xiàn)已面臨瓶頸,達(dá)到發(fā)展極限。為了在維持性能的情況下實現(xiàn)容量提升,3D NAND成為發(fā)展主流。2019年,3D NAND的滲透率為72.6%,已遠(yuǎn)超2D NAND,且未來仍將持續(xù)提高,預(yù)計2025年3D NAND將占閃存總市場的97.5%;3)TLC、QLC為市場主流:目前TLC、QLC是NAND的主流產(chǎn)品,合計占95%的份額,根據(jù)Gartner數(shù)據(jù),2019年SLC NAND市場16.7億+美金,占NAND市場的3%-4%左右。




03.四季度存儲行業(yè)事件盤點
1、鎧俠、西部數(shù)據(jù):Fab7晶圓廠建成,2023年量產(chǎn)162層NAND Flash。10月26日消息:位于日本四日市最先進(jìn)制程晶圓廠Fab7完工。Fab7 具備生產(chǎn)第六代162層NAND Flash 閃存和未來更先進(jìn)3D NAND Flash閃存的能力,計劃于2023年初開始出貨162層NAND Flash閃存。2、SK海力士:Q3利潤驟降,將削減超50%資本支出:10月26日消息。SK海力士在Q3季度首次發(fā)布了238層4D NAND,預(yù)計明年將擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。SK海力士將明年的投資規(guī)模從今年預(yù)計的15萬億韓元至20萬億韓元減少到50%以上的標(biāo)準(zhǔn)。SK海力士還定下減產(chǎn)基調(diào),今后將圍繞收益較低的存儲產(chǎn)品進(jìn)行減產(chǎn)。3、三星:無懼Q3存儲利潤大幅下挫,不考慮主動減產(chǎn),但將靈活調(diào)整設(shè)備支出。10月28日消息:三星Q3整體營收環(huán)比基本持平,但由于Q2占三星營業(yè)利潤超70%的DS部門(含存儲業(yè)務(wù))Q3盈利水平大幅下挫,導(dǎo)致三星整體利潤出現(xiàn)明顯下滑。三星表示不考慮主動減產(chǎn),但可能靈活調(diào)整明年設(shè)備方面的資本支出。4、華邦:中科廠減產(chǎn)逾3成,高雄廠第2期產(chǎn)能延半年,部分中科廠員工將前往高雄廠支援。11月12日消息:存儲芯片大廠華邦電子董事長焦佑鈞表示,目前市況不好,中科廠第4季將減產(chǎn)3至4成,高雄廠第2期1萬片產(chǎn)能建置時程將延后半年。5、南亞:宣布今年資本支出削減22.5%,設(shè)備支出大砍40%。10月11日消息:南亞第三季合并營收為新臺幣110.22 億元,較第二季度環(huán)比下滑了38.9%;營業(yè)毛利為新臺幣35.97億元,毛利率32.6%,較第二季減少11.5個百分點;營業(yè)利益為新臺幣9.2 億元,營業(yè)利益率8.3%,較第二季減少21.5個百分點。營業(yè)外收入新臺幣22.42億元,本期稅后凈利為新臺幣26.4億元,凈利率24%,單季每股EPS為新臺幣0.85元。南亞科技在2022 年資本支出,預(yù)計由原先的新臺幣284 億元,調(diào)降至新臺幣220億元,降幅約為22.5%。其中,生產(chǎn)設(shè)備資本支出降幅約4成。2023年將持續(xù)縮減資本支出,規(guī)劃以不超過新臺幣220億元為目標(biāo),其中生產(chǎn)設(shè)備資本支出相較于2022年將進(jìn)一步調(diào)降逾20%。6、旺宏:預(yù)計Q4減產(chǎn)20%-25%。10月25日消息:旺宏第三季合并營收新臺幣114.72億元,較第二季增加1%,較2021年同期減少23%;營業(yè)凈利為新臺幣24.17億元,較第二季減少19%,也較去年同期減少31%。旺宏原本預(yù)計2022年資本支出將達(dá)到新臺幣140億元~150億元的規(guī)模,如今下修至約106億元。其中,雖然相關(guān)采購設(shè)備的動作將繼續(xù),但會以采購高階設(shè)備優(yōu)化為主,擴(kuò)充產(chǎn)能的設(shè)備就會先停止。除資本支出下調(diào)之外,旺宏也預(yù)計2022年第四季產(chǎn)能利用率將減少20%~25%。旺宏5B晶圓廠目前正在進(jìn)行設(shè)備安裝,預(yù)計產(chǎn)能2022年將不會開出。而當(dāng)前的3D NOR產(chǎn)品開發(fā)順利,會按照時程推出。而在NAND方面,48層3D NAND已供貨給特定客戶,預(yù)計2022年底前完成96層3D NAND認(rèn)證,2023年底完成192層3DNAND認(rèn)證。7、美光:LPDDR5X-8500已送樣,DRAM正式邁入1β節(jié)點。11月1日消息:美光宣布采用其1β DRAM制程節(jié)點的合格樣品將交付給選定的智能手機(jī)制造商和芯片組合作伙伴,并已與世界上最先進(jìn)的DRAM技術(shù)節(jié)點實現(xiàn)批量生產(chǎn)準(zhǔn)備。美光將在LPDDR5X產(chǎn)品首次推出下一代工藝技術(shù),最高速度可達(dá)8.5 Gb/s。8、江波龍:發(fā)布中國大陸首款FORESEE車規(guī)級UFS。11月1日消息:江波龍發(fā)布中國大陸首款FORESEE車規(guī)級UFS,從江波龍內(nèi)部的實測數(shù)據(jù)可以直觀地看到,在傳輸數(shù)據(jù)方面,F(xiàn)ORESEE車規(guī)級UFS 2.1寫性能比eMMC高出 1.5 倍,讀性能高出2.5倍。再看UFS 3.1,讀性能相比eMMC提高了6倍以上,寫性能也高達(dá)4倍之多。IOPS 方面,UFS與eMMC相比,更是達(dá)到數(shù)十倍的差距,能夠有效降低傳輸延遲,從而提升車載應(yīng)用的存儲速度。此外,車規(guī)級UFS封裝與eMMC尺寸保持一致,便于有需要的汽車廠商無縫切換。9、普冉股份:ETOX產(chǎn)品中256M/512M中大容量產(chǎn)品預(yù)計明年上半年量產(chǎn)出貨。11月2日消息:普冉股份近期接受投資者調(diào)研時稱,目前公司ETOX產(chǎn)品主要用于可穿戴、安防、工控等領(lǐng)域。256M/512M的中大容量產(chǎn)品研發(fā)均有不錯的進(jìn)展,預(yù)計明年上半年量產(chǎn)出貨。存儲市場周期下行,國內(nèi)存儲廠商三季度業(yè)績承壓。兆易創(chuàng)新、普冉股份、東芯股份、江波龍營收同比大幅下滑,下降幅度26%-38%,北京君正營收同比小幅下滑,下降幅度3%,瀾起科技、聚辰股份受益DDR5滲透率提升,營收同比、環(huán)比均實現(xiàn)正增長。從盈利能力看,除瀾起科技和聚辰股份歸母凈利潤同比分別增長55%、547%以外,其他公司歸母凈利潤同比下滑,下降幅度21%-160%,主要受下游需求疲軟的影響,同時因存儲價格下行,毛利率、凈利率出現(xiàn)不同程度下滑。

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