來源：EDN電子技術設計

據韓媒報道，三星電子計劃最早于本周開始試產采用GAA工藝的3nm產品，并稱第一個客戶是中國的半導體公司。業界評價稱，雖然不是一般意義上的“量產”，但因為它是全球首個采用GAA（gate-all-around）工藝的3nm生產，因此有意義。據悉，美國高通公司也收到了一份“回饋”，表示可以通過委托生產部分數量。與利用電流通道作為三面的現有PIN PET結構不同，GAA是利用四面的新一代晶體管結構。與FinFET結構相比，它具有更精確的電流控制能力和更高的功率效率，因此被認為是實現超細半導體線寬的必要技術。據韓媒稱，三星3nm GAA 工藝的第一個客戶為 PanSemi（上海磐矽半導體技術有限公司），據了解，PanSemi已與三星代工的最大客戶高通公司達成協議，可以隨時委托生產采用3nm工藝的芯片。據分析，這是為了應對臺灣晶片企業TSMC的3納米工程出現問題的情況，提前確保三星電子的3納米工程剩余部分的戰略。 此前，高通原計劃利用三星電子的3nm工程生產移動AP(應用程序處理器)，但由于三星電子不滿足收率條件，所以將轉為委托給了TSMC。三星電子設定了今年上半年量產全球首個3納米GAA工藝的目標。這一立場在第一季度業績公布后的電話會議中得到了再次確認。通過此次試產，三星電子“上半年量產3nm”的承諾有望兌現。但據了解，此次生產接近于試產，是通過對產品進行測試，而非一般意義上的量產。 業界認為，三星電子實際上正在生產全球首個 GAA 3nm 工藝這一事實意義重大。三星電子曾指出，由于缺乏與 3nm 工藝相關的 IP（知識產權）以及良率低迷，3nm 工藝發展并不順利。近日，也有觀察稱，3nm工藝量產計劃推遲。三星電子對此反駁稱，“3納米量產計劃正在如期進行，沒有任何挫折，今年上半年將開始量產。”一位業內人士表示，“即使是在試產階段，通過提高 3nm GAA 工藝的技術和良率，對三星電子的安全保障也有很大幫助。目前還不清楚。” 據觀察，使用實際 3nm 工藝的量產時間可能需要再觀察一段時間。有人說，三星電子全面量產GAA 3nm的時間最早是今年年底，最遲是明年上半年。同時，臺積電正準備量產基于 FinFlex 的 3nm 工藝（N3）。Finflex 是一種提供現有 FinFET 結構的技術，可根據芯片設計人員所需的各種選項進行定制。例如在3N工藝的基礎上，頻率最高的3-2 FIN、兼顧性能和效率的2-2 FIN、強調功率效率的1-2 FIN都可以混合使用在同一個裸片上。基本的N3工藝將從今年下半年開始量產，改進后的工藝將在之后量產。END

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