據韓媒消息稱，原本三星計劃將華城專門用于極紫外光刻設備（EUV）的'V1'生產線中的某些DRAM生產線轉換為晶圓代工，但是該計劃已經取消，決定維持DRAM生產線。

據悉，三星華城工廠有3條生產線：V1、S3和S4，其中專用于EUV的V1產線大致分為上和下兩部分，上部和下部分東、西兩側，上東部和下東部為晶圓代工生產線，三星已于4月底完成華城V1生產線西側的建造工序，引入20多臺EUV設備，用于生產DRAM。

美國奧斯汀產能逐漸恢復，且擴大在美投資，或是三星改變策略的誘因

從2020下半年開始，晶圓代工產能緊缺，2021年第一季度持續，且漲價不斷。在此波全球芯片缺貨的浪潮中，三星LSI部門的產能供應也短缺，尤其是三星奧斯汀工廠產能損失，一度使得產能供應短缺進一步惡化。

因應市場不斷持續增長的需求，原本三星計劃擴大晶圓代工產能，而之所以改變計劃，主要原因可能是隨著英特爾、臺積電紛紛在美國大手筆投資建廠，格羅方德也計劃在美國投資建設制造工廠，加入擴產隊列，三星也欲將美國作為主要的晶圓代工生產基地。

首先，三星美國奧斯汀工廠運轉逐漸正常，4月已經恢復一些生產，5月份可全面恢復到正常供貨水平，恢復進展比預期要提前至少半個月。其次，三星目標是計劃在2030年超越臺積電，成為全球最大晶圓代工龍頭企業，早就有消息稱三星將在美國投資170億美元，建造晶圓代工廠，最早在2023年投入運營。

此外，三星可能與其他企業合作擴充產能。之前有消息稱，三星與聯電將啟動全新合作模式，將由三星出資買設備置于在聯電為其打造的南科P6廠，由聯電為其代工生產ISP及相關面板驅動IC，為三星提供產能滿足市場需求。在不久之后，聯電就宣布與多家全球領先的客戶共同攜手，擴充位于臺南科學園區 Fab 12A P6 廠區產能，將采 28nm制程，未來亦可延伸至14nm，月產能 2.75萬片，擴建產能預計2023 年第二季投產。

三星預估DRAM漲價到年底，美光、SK海力士加快技術升級，三星需確保DRAM市場地位

DRAM市場，三星一直處于龍頭地位，2021年第一季度 DRAM量價齊升，三星預估二季度服務器需求的強勁將推動存儲業務的增長，全球芯片短缺可能在下半年持續，基于全面的強勁需求，DRAM價格在下半年可望保持上升軌道。三星維持DRAM生產線，也是看好DRAM市場樂觀。

另一方面，三星、SK海力士、美光三大DRAM原廠開始進入EUV時代和第四代10nm級技術競爭階段。三星2020年在1Znm制程就導入了EUV設備，可謂搶占了先機，2021年將加快擴大15nm DRAM，以及加快導入EUV設備生產14nm DRAM。

美光和SK海力士也在加快腳步，美光1-alpha DRAM實現了量產，并未導入EUV設備，致力于在2022年成為主要生產力，計劃在2022下半年導入1-alpha技術生產DDR5產品。SK海力士新M16工廠已竣工，將首次引進EUV光刻設備，計劃2021年內完成EUV設備導入1anm技術，實現批量生產。

三星稱霸晶圓代工市場的野心未變，但DRAM是其半導體核心業務，而其晶圓代工目前的貢獻和市場遠不及DRAM，因此確保DRAM產能和技術競爭力自然是三星首要任務。