ReRAM

　　日本富士通的川崎實驗室透露,他們研發除了一種新型的非揮發ReRAM(電阻式記憶體),能提供更低的功耗. 　　包含鈦鎳氧化物結構的ReRAM,在刷寫時只需要100mA的電流甚至更少,相比傳統ReRAM,研究人員還降低...... [查看詳細]