與任何電子設備一樣，引爆系統需要內部電源為系統控制器 (MCU) 供電并為點火電容充電。為了確保正確定時、可靠引爆，需要使用電容器作引爆元件的儲能器件。與其他電容技術相比，模塑鉭 (MnO2) 電容器能夠儲存電荷（低漏電流)，能量密度高，是電子引爆系統的理想選擇，可留出更多時間，釋放更大電壓確保正確起爆。對于開發和制造電子引爆系統以滿足采礦應用需求的公司，本文將為大家介紹鉭電容器技術的優勢。對于現代引爆系統來說，模塑鉭 (MnO2) 電容器具有兩個主要優點。首先，與鋁電解電容器不同，它們具有這些小型系統所
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Vishay 鉭電容器
本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導體器件用作電子開關的優勢，以及如何權衡利弊。主要權衡因素之一是開關損耗，開關損耗會被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成電路噪聲。為了減少電路噪聲，需要認真考慮柵極電阻的選擇，從而不必延長死區時間而造成功率損耗。本文介紹選擇柵極電阻時的考慮因素，如脈沖功率、脈沖時間和溫度、穩定性、寄生電感等。同時，將和大家探討不同類型的柵極電阻及其在該應用中的優缺點。寬帶隙半導體器件的優勢設計出色功效的電子應用時，需要考慮使用新型高性能氮化鎵 (G
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Vishay 功率逆變器
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型6 A、20 A和25 A microBRICK? 同步降壓穩壓器---SiC967、SiC931和SiC951，用來提高負載點（POL）轉換器的功率密度和效率。Vishay Siliconix SiC967、SiC931和SiC951采用10.6 mm x 6.5 mm x 3 mm封裝，占位面積和高度均小于市場上此類器件，輸入電壓范圍4.5 V至60 V。日前發布的穩壓器模塊比其他解決方案小69%，每款模塊集成兩個高性
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Vishay 降壓穩壓器 POL轉換器
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型第四代650?V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工業和計算應用能效和功率密度。Vishay Siliconix n溝道 SiHP054N65E導通電阻比前代器件降低48.2%，同時導通電阻與柵極電荷乘積下降59%，該參數是650?V MOSFET在功率轉換應用中的重要優值系數（FOM）。Vishay豐富的MOSFET技術全面支持功率轉換過程，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各
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Vishay 650 V 功率MOSFET
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款適用于遙控系統的新系列微型紅外（IR）傳感器模塊---雙透鏡TSMP95000和單透鏡TSMP96000及TSMP98000。Vishay Semiconductors 雙透鏡TSMP95000和單透鏡TSMP96000及TSMP98000具有調制載波輸出功能，適用于代碼學習應用，供電電壓范圍2.0 V至5.5 V，3.3 V下典型功耗低至0.35 mA。日前發布的器件配置內部設計的新型IC，旨在確保長期供貨并縮短交貨期，
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Vishay 調制載波 紅外傳感器模塊
提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 供應多款Vishay針對汽車應用設計的產品。Vishay制定了自己的汽車級標準，目標是盡可能杜絕缺陷、事故和故障。該標準納入了汽車行業的關鍵質量管理措施和健全的設計政策，在開發新品和改良現有產品時采用了失效模式和影響分析 (FMEA) 方法。Vishay汽車級標準的要求涵蓋了設計、認證和制造，同時也用于持續改善公司的產品和工藝。只有滿足這些要求的元件，才能在數據手冊中使用汽車級認證標志。
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貿澤 Vishay 汽車級產品
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業內先進的標準整流器與瞬變電壓抑制器（TVS）二合一器件---R3T2FPHM3，為汽車應用提供新型表面貼裝解決方案。Vishay General Semiconductor R3T2FPHM3采用氧化物平面芯片結設計和共陰極電路配置，將3 A，600 V標準整流器和200 W TRANSZORB??TVS組合在小型FlatPAK 5 x 6封裝中。日前發布的器件工作溫度?-55 °C 至?+17
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Vishay 標準整流器 TVS
美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2023年8月9日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出用于工業、計算機、消費和移動應用領域的新型反射式光傳感器--- VCNT2030。與上一代解決方案相比，Vishay Semiconductors的VCNT2030更加節省空間，同時擁有更高的電流傳輸比（CTR）、更遠的傳感距離和更低的功耗，從而提高了性能。該產品配置了垂直腔表面發射激光器（VCSEL）和硅光電晶體管，采用1
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Vishay VCSEL 反射式光傳感器
美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2023年7月6日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出五款新系列60 V、100 V和150 V表面貼裝溝槽式MOS勢壘肖特基（TMBS?）整流器---VxNL63、VxNM63、VxN103、VxNM103和VxNM153，這些器件采用薄型易于吸附焊錫的側邊焊盤DFN3820A封裝。VxNL63、VxNM63、VxN103、VxNM103和VxNM153額定電流7 A，達到業界先進水
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Vishay 整流器
美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2023年6月21日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出四款新系列200 V FRED Pt? 超快恢復整流器---1 A VS-1EAH02xM3、2 A VS-2EAH02xM3、3 A VS-3EAH02xM3和5 A VS-5EAH02xM3，這些器件采用薄型易于吸附焊錫的側邊焊盤DFN3820A封裝。這四款新器件為商業、工業和車載應用提供節省空間的高效解決方案，每種產品都有V
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Vishay 整流器
美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2023年6月7日— 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款業內先進的新型汽車級光伏MOSFET驅動器---VOMDA1271，該驅動器采用節省空間的SOP-4封裝，集成關斷電路。Vishay Semiconductors VOMDA1271專門用來提高汽車應用性能，同時提高設計靈活性并降低成本，開關速度和開路輸出電壓均達到業內先進水平。?日前發布的光耦集成關斷電路，典型關斷時間
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Vishay SOP-4 集成關斷電路 光伏MOSFET驅動器
器件通過AEC-Q200認證，采用SOT-227小型封裝，可直接安裝在散熱器上，具有高脈沖處理能力，功率耗散達120 W 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2023年5月31日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款通過AEC-Q200認證，采用SOT-227小型封裝，可直接安裝在散熱器上的全新厚膜功率電阻---ISOA。Vishay MCB ISOA具有高脈沖處理能力，在85 °C底殼溫度下，功率耗散達12
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Vishay 厚膜功率電阻器 NTC熱敏電阻 PC-TIM
器件采用MPS結構設計，額定電流4 A~ 40 A，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2023年5月23日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）結構設計，具有高浪涌電流保護能力，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低，有助于提升開關電源設計
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Vishay SiC肖特基二極管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出加強版0805封裝抗浪涌厚膜電阻器Vishay Draloric RCS0805 e3，額定功率高達0.5 W。由于提高了額定功率，RCS0805 e3現在可替代四個標準0805封裝并聯電阻；兩個1206封裝并聯電阻；或者一個1210封裝電阻。因此，設計師可在節省汽車、工業、通信和醫療應用電路板空間的同時，減少元器件數量并降低加工成本。此外，電阻脈沖負載性能和ESD浪涌特性優于標準片式電阻，適用于高能和重復浪涌脈沖下的各種應用。RCS
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Vishay 抗浪涌 厚膜電阻器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列小型2512封裝汽車級厚膜片式電阻---CDMA系列，工作電壓達1415 V。Vishay Techno CDMA系列電阻可減少系統元件數量，降低汽車和工業應用加工成本，同時減小PCB尺寸，提高精度和穩定性。日前發布的片式電阻分壓器在單體封裝中集成兩個電阻，爬電距離5mm，一個器件可替代分壓應用中使用的多個分立電阻。這款節省空間型器件通過AEC-Q200認證，特別適合用于電動汽車（EV）和工業設備大功率DC/DC轉換器和逆變器、
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Vishay 厚膜片式電阻
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