日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小型MiniLED封裝的新型藍色和純綠色表面貼裝LED---VLMB2332T1U2-08和VLMTG2332ABCA-08。Vishay Semiconductors VLMB2332T1U2-08和VLMTG2332ABCA-08外形尺寸為2.2 mm x 1.3 mm x 1.4 mm，采用先進的超亮InGaN芯片技術，典型發光強度分別達到440 mcd和2300 mcd，比上一代PLCC-2封裝解決方案提高四倍。
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Vishay MiniLED LED
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款內置旋鈕開關---P16F和PA16F，IP67密封的新型面板電位器。Vishay Sfernice P16F和PA16F電位器介電強度高達5000 VAC，+40 °C下額定功率為1 W，可用來簡化工業和音頻應用設計并優化成本。日前發布的器件在一個組件中集成了旋鈕和面板電位器，無需采購組裝單獨的旋鈕。此外，只有安裝硬件和端子位于面板背面，微型電位器面板背面所需間隙小于15 mm。PA16F采用導電塑料電阻芯，適用于音頻應
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Vishay 旋鈕電位器
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型80 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT，將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業和通信應用功率轉換，在提高功率密度和能效的同時，增強熱性能，減少元器件數量并簡化設計。日前發布的雙通道MOSFET可用來取代兩個PowerPAK 1
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Vishay MOSFET 對稱雙通道
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出適于IrDA?應用的升級版TFBS4xx和TFDU4xx系列紅外（IR）收發器模塊，鏈路距離延長20 %，抗ESD能力提高到2 kV。器件支持115.2?kbit/s 數據速率（SIR），鏈路距離為1米，適用于能量表和監控器、工業自動化控制、手機和醫療設備無線通信和數據傳輸。為提高便攜式設備電池使用壽命，模塊降低了功耗，閑置供電電流 < 70 μA，關斷模式 < 1 μA。Vishay Semicondu
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Vishay 紅外收發器模塊 抗ESD
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列浪涌限流正溫度系數（PTC）熱敏電阻---PTCEL。Vishay BCcomponents PTCEL系列器件25 °C（R25）條件下阻值范圍寬，具有高電壓處理和高能量吸收能力，可提高汽車和工業應用有源充放電電路的性能。日前發布的器件R25阻值為60 W至1 kW，500 W 最大額定直流電壓高達1000 VDC，1 kW 達1200 VDC，最大能量吸收能力達240 J，比競品器件高四倍。多個熱敏電阻并聯，能量吸收
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Vishay 浪涌限流 PTC熱敏電阻 有源充放電
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出五款采用改良設計的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。這些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技術制造，為設計人員提供兩種業內先進的技術選件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低運輸、能源及工業應用大電流逆變級導通或開關損耗。日前發布的半橋器件使用節
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Vishay INT-A-PAK IGBT功率模塊
美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年2月20日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出多功能新型30V n溝道TrenchFET? 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源極倒裝技術3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-F封裝，10V柵極電壓條件下導
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Vishay 源極倒裝技術 PowerPAK 功率MOSFET
美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年2月1日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款全新可見光敏感度增強型高速硅PIN光電二極管--- VEMD2704，擴充光電二極管產品組合。Vishay Semiconductors VEMD2704采用小型2.0 mm x 1.8 mm x 0.6 mm頂視表面貼裝封裝，透明環氧樹脂感光度達業內先進水平，快速開關時間為70 ns，容值低至17.6 pF，適于可穿戴
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Vishay 可見光敏感度增強型 PIN光電二極管
美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年1月25日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其光電子產品部推出全集成新型接近傳感器---VCNL36828P，提高消費類電子應用的效率和性能。Vishay Semiconductors VCNL36828P采用垂直腔面發射激光器（VCSEL），在2.0 mm x 1.0 mm x 0.5 mm小型表面貼裝封裝中集成光電二極管、專用集成電路（ASIC）、16位 ADC和智
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Vishay 接近傳感器
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出五款新型10 MBd低功耗高速光耦，有助于工業應用節能。單通道VOH260A、VOIH060A和VOWH260A及雙通道VOH263A和VOIH063A電壓范圍2.7 V至5.5 V，采用集電極開路輸出，適用于低壓微控制器、I2C和SPI總線系統。日前發布的Vishay Semiconductors器件將高效輸入LED與集成的可編程輸出光電檢測器邏輯門結合在DIP-8、SMD-8和 SOIC-8封裝中。光耦每通道最大供電電流僅
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Vishay 低功耗光耦
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出五款新型10 MBd低功耗高速光耦，有助于工業應用節能。單通道VOH260A、VOIH060A和VOWH260A及雙通道VOH263A和VOIH063A電壓范圍2.7 V至5.5 V，采用集電極開路輸出，適用于低壓微控制器、I2C和SPI總線系統。日前發布的Vishay Semiconductors器件將高效輸入LED與集成的可編程輸出光電檢測器邏輯門結合在DIP-8、SMD-8和 SOIC-8封裝中。光耦每通道最大供電電流僅
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Vishay 10MBd 低功耗光耦
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其經過AEC-Q200認證的IHPT-1411AF-ABA觸控反饋執行器獲得2023年度AspenCore全球電子成就獎（World Electronics Achievement Award）“年度高性能被動電子/分立器件獎”。該器件適用于LCD顯示屏、觸摸屏和觸摸開關面板等各種12 V車載應用。器件采用小型兩件式結構，帶安裝孔，便于安裝和直接操作，具有高沖擊脈沖和振動傳遞能力，可在嘈雜的環境下提供清晰的觸覺反饋。由電子技術領域
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Vishay 觸控反饋執行器
11月8日，美國芯片公司Vishay Intertechnology和安世半導體（Nexperia）宣布，雙方已經達成協議，Vishay將以1.77億美元現金收購Nexperia位于英國南威爾士紐波特的晶圓制造廠和相關業務。紐波特晶圓廠交易需接受英國政府審查，并符合第三方購買權和慣例成交條件，預計將于2024年第一季度完成。資料顯示，紐波特晶圓廠是一家200mm半導體晶圓廠，經過汽車認證，主要供應汽車市場。占地28英畝，是英國規模最大的半導體制造廠。Vishay總裁兼首席執行官Joel Smejkal表示
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Vishay 安世半導體 晶圓廠
專注于引入新品的全球電子元器件和工業自動化產品授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 與Vishay聯手推出全新電子書《The Next Generation of Industry 4.0》（新一代工業4.0），分析了支持新一代工業4.0解決方案的技術和元件。書中，Vishay和貿澤深入探討了為全球工廠帶來變革的自動化浪潮，以及這種浪潮背后起到支持作用的關鍵解決方案。本電子書收錄了四篇詳細的專題文章，介紹了支持新一代工業應用的數字元件，此外還包含一張展望未來工業5.0的實用信息圖。
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貿澤 Vishay 工業4.0
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