日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節約更多的空間。
SiM400是迄今為止最小的60V功率MOSFET，其SOT-923封裝的尺寸為1mm x 0.6mm，最大厚度僅有0.43mm。器件的占位尺寸比SC-89小77%，厚度則薄了26%。
在VGS為10V、4.5V和3.5V的情況下，新器件的導通電阻分別
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Vishay MOSFET SiM400
日前，Vishay Intertechnology, Inc.今天宣布，推出新系列增強型高電流密度PowerBridge整流器。整流器的額定電流高達30A~45A，最大峰值反向額定電壓為600V~1000V，外殼絕緣強度高達1500V。該系列45A器件是業界首款采用PowerBridge封裝的單列直插橋式整流器，產品尺寸為30mm x 20mm，厚度為3.8mm。
與市場上其他更大尺寸的橋式整流器相比，PowerBridge器件先進的導熱結構使熱量能更有效地散發出去。因此，PowerBrid
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Vishay 整流器 PowerBridge
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出用于線焊組裝的新系列RF螺旋電感器 --- Vishay Electro-Films PSC系列電感器 --- 具有低DCR、高Q值和寬感值范圍，提供RF等效電路模型，使得設計者可以對器件性能進行高度精確的計算機仿真。
PSC電感器是針對需要線焊器件的RF電路而設計的，包括在通信系統及測試測量儀器中的阻抗調諧電路、集總元件濾波器和混合RF集成電路。
螺旋電感具有1nH~100nH的寬感
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Vishay RF 螺旋電感器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強PowerPAK SC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P溝道技術的最新器件，使用了自矯正的工藝技術，在每平方英寸的硅片上裝進了1億個晶體管。這種最先進的技術實現了超精細、亞微米的間距工藝，將目前業界最好的P溝道MOSFET
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Vishay MOSFET SiA433EDJ
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，擴大了符合美軍標MIL-PRF-55342認證的E/H薄膜貼片電阻的阻值范圍，推出增強型E/H貼片電阻。該系列電阻采用緊湊的2208、2010和2512外形尺寸。增強后的器件使高可靠性應用能夠用上更低阻值的電阻，在±25ppm/℃ TCR下的阻值為49.9Ω，容差為0.1%，10Ω電阻的容差為1.0%。
增強型E/H貼片電阻適用于對性能有嚴格要求的高可靠性軍
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Vishay 貼片電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有業內1.1mm最薄厚度的新系列1500W表面貼裝TransZorb瞬態電壓抑制器(TVS) --- SMPC系列。SMPC系列具有6.7V～42.4V的擊穿電壓和10.0V～58.1V的優異鉗位能力。
今天發布的TVS器件采用eSMP TO-277A封裝，比傳統SMC封裝的占位面積小27%。SMPC系列的峰值前向浪涌電流高達200A，工作溫度為-55℃～+105℃。
TVS器件可用來保護通信和普通應用中的敏感設備，
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Vishay TVS 瞬態電壓抑制器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款經濟、長壽命的面板電位計 --- P11L，該電位計具有四種模塊和12.5mm的緊湊外形。
標準的低成本面板電位計的循環壽命只有50000次，而Vishay的P11L的壽命則長達2百萬次循環。對設計者來說，P11L的長壽命可減少對替換零件的需求，提高可靠性和降低維護成本。
Vishay的這款多功能面板電位計針對焊接機、空調單元、加工機械、醫療系統、X光設備、卡車和拖車，以及軍用和航天系統中的CMOS放大器增益、
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Vishay 電位計 P11L
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出高容值、高紋波電流，并可在+105℃高溫下工作的徑向鋁電容器 --- 142 RHS系列。
142 RHS系列提供從5mm x 11mm至18mm x 40mm的15種外形尺寸，105℃的最高溫度等級使器件能在更高的溫度下工作，或是具有比標準的85℃系列更長的器件壽命。其他特性包括在105℃下高達3100A的額定紋波電流，在10V～450V電壓范圍內的容值為1μF～22,000μF。
做為一款采用非固態電解
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Vishay 電容
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于遙控系統的新款系列超小型SMD紅外接收器。該系列器件是業界首個采用兩個光敏二極管及專利技術內部金屬EMI屏蔽的產品，超薄封裝的厚度僅為2.35mm。TSOP75xxxW采用無鏡片設計，實現了業界最佳的敏感度尺寸比，在在±75°寬的角度內，輻照度為0.3mW/m2～0.7mW/m2。
今天發布的器件中有三款是自動增益控制(AGC)版本。TSOP752xxW兼容于所有常用紅外遙控數據格式。TSOP7
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Vishay SMD 紅外接收器
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二極管，新器件采用鷗翼和倒鷗翼型封裝，提供透明環氧樹脂封裝和具有日光阻斷濾波功能的版本。八款新器件針對煙霧探測、光柵中的探測器，以及各種消費類和工業應用中的數據傳輸進行了優化。
VBPW34FAS、VBPW34FASR、VBP104FAS和VBP104FASR光敏二極管具有與紅外發射器相匹配的日光阻斷濾波器，例如波長為870nm或950nm的Vishay TSFFxxxx
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Vishay 二極管
日前，Vishay宣布推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今為止業界最小的芯片級功率MOSFET。
在種類繁多的便攜式設備中，20V的P溝道Si8461DB和Si8465DB可用于負載開關、電池開關和充電開關應用。器件的小尺寸和薄厚度有助于減少電源管理電路所占用的空間，以及/或是實現更多的功能。與市場上尺寸與之最接近的芯片級功率MOSFET相比，1mm x 1mm x 0.548mm的M
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Vishay MOSFET Si8461DB Si8465DB
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用glass-to-tantalum新型密封的新系列鉭外殼液鉭電容器 --- 136D。對于高可靠性應用，136D器件可在-55℃～+85℃溫度范圍內工作，在電壓降額的情況下可在+200℃下工作，在120Hz和+25℃條件下的ESR低至0.44Ω。
商用的136D電容器等同于軍用型的CLR90和CLR91器件，軍用型器件是按照軍標MIL-PRF-39006/30和39006/31的性能要求設計的。另外，今天發布
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Vishay 電容器 電子元件
2009年4月23日—日前，VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代號：VSH)宣布，推出兩款新型液鉭電容器---M34和M35，新器件是業界首款采用真正可表面貼裝的模壓封裝產品。
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M34和M35液鉭電解芯片電容器集中了所有電解電容器的優點，摒棄了大多數缺點。在相似的電容量和外殼尺寸的情況下，新器件可耐受比其他類型電解電容器更高的紋波電流。此外，M35系列在+85℃溫度下可承受3V的反向電壓。
新器件可以使目前使用Vish
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Vishay 鉭電容器
近日，Vishay Intertechno logy,Inc.宣布推出新系列徑向鋁電容器---EKX系列，這些器件可實現+105°C的高溫運行，且具有低阻抗值以及高電容值及紋波電流。
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Vishay 電容器 EKX
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