- Vishay Intertechnology日前宣布推出VSMP系列高精度表面貼裝Bulk Metal Z Foil(BMZF)箔電阻，據稱是業界率先在70℃時具有750mW額定功率、具有
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Vishay 箔電阻 通信測試 電阻 電位器
- Vishay推出三款高精度低壓單片CMOS模擬開關IC。該IC集寬電壓范圍、低漏電流以及精準接通電阻匹配等優點于一身，適用于精密信號開關及路由應用。 推出的產品有：8通道模擬多路轉換器（DG9051）、雙4通道模擬多路轉換器（DG9052）及三重2通道單刀/雙擲（SPDT）模擬開關（DG9053）。以上三種器件適用于手機、通訊系統、調制解調器、數據采集系統、自動測試設備及機動系統等終端產品。 三種器件均可在單電源時適應2.7V至12V輸入電壓，雙電源時適應
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IC VISHAY 超寬電壓 模擬開關
- 日前，Vishay宣布推出一款小型表面貼裝芯片電阻分壓器 CDHV，該器件在高壓下可實現出色的比例穩定性。這款新型電阻分壓器主要用于高壓電源、電源開關設備及變頻器控制。 采用氧化鋁底板制造的 CDHV 能夠處理 3kV 的高壓，其電壓系數低至 5ppm/V。該器件的電阻值介于 1 兆歐～20 千歐，符合寬泛的 10:1～500:1的標準及定制電阻比例范圍，在以全功率、70
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CDHV VISHAY 薄膜芯片 電阻分壓器 電阻 電位器
- Vishay推出三款高精度低壓單片CMOS模擬開關IC。該IC集寬電壓范圍、低漏電流以及精準接通電阻匹配等優點于一身，適用于精密信號開關及路由應用。 推出的產品有：8通道模擬多路轉換器（DG9051）、雙4通道模擬多路轉換器（DG9052）及三重2通道單刀/雙擲（SPDT）模擬開關（DG9053）。以上三種器件適用于手機、通訊系統、調制解調器、數據采集系統、自動測試設備及機動系統等終端產品。 三種器件均可在單電源時適應2.7V至12V輸入電壓，雙電源時適應
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IC VISHAY 超寬電壓 模擬開關
- 日前，Vishay宣布推出業界首款基于 Trench MOS 技術的肖特基勢壘整流器。這五款新型 TMBS™ 器件可在開關模式電源中作為整流電路或 OR-ing 二極管，或可替代同步整流解決方案，它們在同類型封裝的肖特基二極管中具有最低的正向壓降。 VTS40100CT 是市場上第一款此類器件，其采用 TO-220AB 封裝，額定電流為 40A (2&nb
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Vishay 雙高壓 肖特基 整流器
- Vishay Intertechnology日前宣布推出VSMP系列高精度表面貼裝Bulk Metal Z Foil(BMZF)箔電阻，據稱是業界率先在70℃時具有750mW額定功率、具有
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750mW Vishay 箔電阻 電阻 電位器
- Vishay 的新型 VSM Bulk Metal® 箔超高精度包裹式表面貼裝 芯片電阻率先將 2ppm/C 的低 TCR、0.01% 的負載壽命穩定性 及 0.01% 的容差等特性集于一身 新型器件采用小型封裝而為需要高精度、穩定性及可靠性的應用 提供了 400mW 的功率 日前，Vishay
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Bulk Metal® Vishay VSM 電阻 電阻 電位器
- Vishay Intertechnology日前推出兩款可與外部MOSFET共同運行的新型同步降壓控制器IC。高壓SiP12201及低壓SiP12202控制器均可在電池供電系統、電信及工業終端系統等廣泛應用中實現靈活、高效的電壓轉換，其同步降壓架構可實現以93%的效率進行電壓轉換，從而延長可電池使用時間，同時減少封閉的現場安裝或機架安裝系統中的熱量，以及降低對冷卻系統的需求。 SiP12201的輸入電壓范圍介于4.2V～26V，而SiP12202的介于2.
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IC Vishay 控制器
- Vishay Intertechnology日前推出兩款可與外部MOSFET共同運行的新型同步降壓控制器IC。高壓SiP12201及低壓SiP12202控制器均可在電池供電系統、電信及工業終端系統等廣泛應用中實現靈活、高效的電壓轉換，其同步降壓架構可實現以93%的效率進行電壓轉換，從而延長可電池使用時間，同時減少封閉的現場安裝或機架安裝系統中的熱量，以及降低對冷卻系統的需求。 SiP12201的輸入電壓范圍介于4.2V～26V，而SiP12202的介于2
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IC Vishay 控制器
- 可處理 10A 的電流，并且能夠以 93% 的高效率提供 0.6V 的業界低輸出電壓 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代碼：VSH）推出兩款可與外部 MOSFET 共同運行的新型同步降壓控制器 IC，這些器件在需要 10A 輸出電流的直流到直流轉換器電路中具有的外部元件數最少。 高壓 SiP12201
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VISHAY
- 具有 0.1% 的低匹配容差 當用于替換四個分立的 0603 電阻時，ACAS 0612 陣列將占位面積縮減了 40% 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代碼：VSH）宣布推出具有低至 0.1 % 的匹配容差的新型電阻陣列。這些陣列將四個薄膜電阻整合到占位面積為 1.6 毫米
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Vishay 電阻 電位器
- 具有 0.1% 的低匹配容差 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出具有低至 0.1 % 的匹配容差的新型電阻陣列。這些陣列將四個薄膜電阻整合到占位面積為 1.6 毫米
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Vishay 電阻 電位器
- 日前，Vishay宣布推出鉭電容器Sprague 592D系列，可在厚度僅2.5mm的封裝中提供3300μF電容。提供的該解決方案可取代在超薄應用中使用多個低值電容器實現充足電容的方式。 Vishay采用“X”封裝尺寸的Sprague 592D共形敷膜(Conformal-Coated)固體鉭電容器主要面向PCMCIA卡、電源、線卡及手機等終端產品中的噪聲抑制、濾波、耦合及定時應用。新型592D電容器使用戶無需并行使用多個電容器來滿足
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Vishay 電容器
- Vishay Intertechnolog公司推出了新一代射頻晶體管，這些經優化的晶體管能使電視機、盒式錄像機、機頂盒和衛星系統具有極好的動態性能并大大節省空間。 這些新的MOS晶體管（MOSMIC）器件包括兩種單MOSMIC，即S505TY和S506TY，以及一種雙MOSMIC，即TSDF02830Y。S505TY和S506TY經過優化，分別用于超高頻（UHF）放大和甚高頻（VHF）放大。TSDF02830Y既可用于UHF優化放大器，又可用于VHF優化放大器。這三種MOSMIC都可用在數字
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Vishay Intertechnolog公司
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