南韓為穩固全球記憶體龍頭地位，在產業通商資源部(Ministry of Trade, Industry and Energy;MOTIE)主導下，不僅采取以三星電子(Samsung Electronics)等大企業為投資要角的產官學新合作研發模式，亦將次世代非揮發性記憶體與新興材料、技術列為研發重點。
2013~2017年南韓將引進由政府與企業共同提供資金給學術機構研發的新合作模式，研發成果的智財權將由學術機構擁有，此將有利提高往后提供南韓中小型企業運用的可能性。
觀察2013~2017年
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三星 PRAM IC設計
日刊工業新聞報導，由于擴展應用范圍及降低成本不易，爾必達(Elpida)計劃停止研發相位變化隨機存取存儲器 (PRAM)。
爾必達監于30納米技術已是DRAM產品細微化的技術極限，遂轉而研發PRAM，甚至已送樣容量為128MB的產品，然爾必達社長本幸雄認為PRAM成本很難降到比Flash低，且應用范圍難以擴大，故決定停止研發該產品。日后研發重心將轉至矽穿孔(Through Silicon Via;TSV) 3D IC技術。
爾必達于2009年內已開始量產40納米技術DRAM產品，緊接著將朝
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Elpida 30納米 PRAM
去年，一場嚴重的“價格寒流”席卷了整個存儲芯片領域，存儲芯片市場亦受到了前所未有的沖擊。業界巨頭三星電子2007年第四季度財務報告顯示，由于計算機存儲芯片的平均銷售價格迅速下滑，該公司的利潤下降了6.6%。DRAM生產商爾必達(Elpida)也宣布其銷售額下滑了34%，并且第三財季凈虧損達1.132億美元。臺灣地區廠商茂德科技也因存儲芯片價格下跌和供過于求而宣布虧損。
存儲芯片市場陰霾的表現，迫使許多廠商削減生產或推遲了Fab的投產計劃。美光(Micron)近期就宣布，將
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三星 DRAM 存儲芯片 MRAM PRAM
PRAM內存的處理速度遠遠快于閃存，理論上其寫入數據速度是普通閃存芯片的30倍，保守也可達到10倍以上，而且尺寸也比閃存小很多，從而使未來高密度非易失性存儲器以及功能更強大的電子設備的出現成為可能。 三星電子、IBM、奇夢達、意法半導體以及英特爾公司，都在積極進行PRAM存儲產品的研發。 全球最大的存儲芯片制造商三星公司稱，PRAM產品的生產流程也比NOR flash產品簡單許多，三星公司于去年開發出了512MB的PRAM產品，預計最早可在2008年實現量產。 此外，IBM與多家內存廠商合作，共同開發出一
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模擬技術 電源技術 現代 Ovonyx PRAM MCU和嵌入式微處理器
最近，目前主流的DRAM、SRAM和FLASH等存儲技術一定感覺到既有近憂，又有遠慮，因為新型存儲技術PRAM(相變存儲器)、MRAM(磁性隨機存儲器)及FRAM(鐵電儲存器)表現活躍，大有取而代之的勢頭。不過，雖然上述新興技術具有很多優點，并有各自不同的取代對象，但是，它們要經歷大規模商用的考驗。 新興存儲技術發展快 與目前主流的存儲技術相比，PRAM、MRAM和FRAM普遍具有非易失、重復擦寫次數多等特點，它們在近兩年取得了令人興奮
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消費電子 存儲技術 PRAM
4月19日消息，據國外媒體報道，英特爾日前表示，其所開發的相變隨機存取存儲器（PRAM）有潛力取代當前的DRAM（動態隨機存取存儲器）。
在日前于北京召開的“英特爾信息技術峰會（IDF）”上，英特爾首席技術官Justin Rattner展示了新型PRAM內存，并表示，PRAM有潛力取代當前的DRAM。
Rattner還稱，英特爾開發PRAM已經有十年的歷史了。據悉，PRAM是一種非易失性的內存產品，它集DRAM內存的高速存取，以及閃存在關閉電源后保留數據的特性為一體，因此被業界視為未來D
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DRAM PRAM 存儲器
pram介紹
PRAM芯片
PRAM是韓國三星公司推出的一款存儲器，相比普通的DRAM和閃存，PRAM具有高速低功耗的特點。如果發展順利的話，預計PRAM將從2007年起逐步取代閃存，成為下一代存儲器產品中的主導力量。
目錄
簡介
詳細介紹
PRAM的優勢
發展前景
編輯本段簡介
三星電子最近推出了世界上首 [
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