- 東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發布了采用09年開始量產的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術。該技術為主要用于便攜產品及消費類產品的低功耗工藝技術。通過控制晶體管閾值電壓的經時變化，可抑
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SRAM SoC 低電壓
- 采用FPGA與SRAM的大容量數據存儲的設計,1 前言 針對FPGA中內部BlockRAM有限的缺點，提出了將FPGA與外部SRAM相結合來改進設計的方法，并給出了部分VHDL程序?！ ? 硬件設計 這里將主要討論以Xilinx公司的FPGA(XC2S600E-6fg456)和ISSI公司的SRAM(IS61LV
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存儲 設計 數據 大容量 FPGA SRAM 采用
- 東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發布了采用09年開始量產的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術。該技術為主要用于便攜產品及消費類產品的低功耗工藝技術。通過控制晶體管閾值電壓的經時變化，可抑
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SRAM SoC 低電壓
- 1.引言由于FPGA 良好的可編程性和優越的性能表現，當前采用FPGA 芯片的嵌入式系統數量呈現迅速增加的趨勢，特別是在需要進行大規模運算的通信領域。目前FPGA 配置數據一般使用基于SRAM 的存儲方式，掉電后數據消失，
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SRAM FPGA 數據存儲 方式
- 同步SRAM的傳統應用領域是搜索引擎，用于實現算法。在相當長的一段時間里，這都是SRAM在網絡中發揮的主要作用。然而，隨著新存儲技術的出現，系統設計師為SRAM找到了新的用武之地，如：NetFlow(網流)、計數器、統計、
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分析 應用 網絡 SRAM
- 在現代電子系統設計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應用。由于大規模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進行重配置，這就使得可以通過監視配置
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方法 介紹 加密 FPGA SRAM 工藝 基于
- 嵌入式系統應用中NV SRAM存儲器的應用,傳統方案中常常采用EPROM、EEPROM和Flash存儲程序，NVSRAM具有高速存取時間和與SRAM相同的接口，因而可用于存儲程序。本文介紹NVSRAM如何與基于程序和數據存儲的微處理器進行接口，并說明選用NVSRAM與現有的其它非易
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應用 存儲器 SRAM NV 嵌入式 系統
- DS1265W 8Mb非易失(NV)SRAM為8,388,608位、全靜態NV SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電 ...
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DS1265W SRAM
- DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自 ...
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DS1250 4096k SRAM
- 東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發布了采用09年開始量產的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術。該技術為主要用于便攜產品及消費類產品的低功耗工藝技術。通過控制晶體管閾值電壓的經時變化，可抑
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SRAM SoC 低電壓
- Linux下ColdFire片內SRAM的應用程序優化設計,本文以MP3解碼器為例，介紹了一種在嵌入式Linux系統下配置使用處理器片內SRAM的應用方案，有效提高了代碼的解碼效率，降低了執行功耗。該方案不論在性能還是成本上都得到了很大改善。1 硬件平臺和軟件架構硬件平臺采
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優化 設計 應用程序 SRAM ColdFire 片內 Linux
- 使用新SRAM工藝實現嵌入式ASIC和SoC的存儲器設計,基于傳統六晶體管(6T)存儲單元的靜態RAM存儲器塊一直是許多嵌入式設計中使用ASIC/SoC實現的開發人員所采用的利器，因為這種存儲器結構非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。如圖1a中所示的那樣
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SoC 存儲器 設計 ASIC 嵌入式 SRAM 工藝 實現 使用
- 1引言我們將針對FPGA中內部BlockRAM有限的缺點，提出了將FPGA與外部SRAM相結合來改進設計的方法，并給出...
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FPGA SRAM
sram介紹
SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。不像DRAM內存那樣需要刷新電路，每隔一段時間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲器要占用一 [
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