受經濟逆風、消費電子需求低迷、存儲芯片價格下跌等因素影響，存儲大廠普遍業績承壓，三星電子公布的最新財報同樣如此。三星存儲業務下滑，DRAM、NAND Flash表現不同4月27日，三星電子公布 2023 年第一季度的財報。一季度三星營業收入為 63.7 萬億韓元，同比下降 18%；營業利潤為6400億韓元，同比下降95%。該季三星DS部門業務收入13.73萬億韓元，同比下滑49%，環比下降32%。其中存儲業務部門收入8.92萬億韓元，同比下降56%，環比下跌27%。三星表示，存儲器業務的業績與上一季度相比
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存儲 三星 SK海力士 美光
2023年4月20日， SK海力士宣布，再次超越了現有最高性能DRAM（內存）——HBM3*的技術界限，全球首次實現垂直堆疊12個單品DRAM芯片，成功開發出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字節）**的HBM3 DRAM新產品，并正在接受客戶公司的性能驗證。SK海力士強調“公司繼去年6月全球首次量產HBM3 DRAM后，又成功開發出容量提升50%的24GB套裝產品。”,“最近隨著人工智能聊天機器人（AI Chatbot）產業的發展，高端存儲器需求也隨之增長，公司將從今年下半年起將其推向市場，以滿足
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SK海力士 堆疊HBM3 DRAM
AI服務器出貨動能強勁帶動HBM（high bandwidth
memory）需求提升，據TrendForce集邦咨詢研究顯示，2022年三大原廠HBM市占率分別為SK海力士（SK
hynix）50%、三星（Samsung）約40%、美光（Micron）約10%。此外，高階深度學習AI
GPU的規格也刺激HBM產品更迭，2023下半年伴隨NVIDIA H100與AMD
MI300的搭載，三大原廠也已規劃相對應規格HBM3的量產。因此，在今年將有更多客戶導入HBM3的預期下，SK海力士作為目
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當地時間4月4日，Rambus宣布，與SK海力士的全面專利許可協議延長10年。據悉，該延長的協議將于2024年7月1日生效，保持類似的財務條款，在2034年中期之前SK海力士可以廣泛使用完整的Rambus專利組合。資料顯示，Rambus是一家知名的芯片IP和芯片提供商，成立于1990年。Rambus創建之初便致力于高端存儲產品的研究與開發，擁有數千項專利。2013年，SK海力士和Rambus簽訂了一個為期5年的專利授權協議，SK海力士向Rambus支付2.4億美元的專利授權費，按照每季度1200萬美元的方
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韓國貿易部周三表示，即使在華盛頓提議的旨在防止美國補貼在中國使用的規則實施之后，但三星電子和 SK 海力士將能夠維護和升級其在中國的制造設施——盡管幅度很小。美國商務部周二宣布，將限制《芯片與科學法案》資金的接受者在包括中國和俄羅斯在內的“相關國家”投資擴大半導體制造。 但該限制并非完全禁止在中國投資，因為該部門允許接受公司將先進芯片的產能擴大 5%，將采用相對較舊制造工藝生產的芯片產能擴大 10%。 貿易、工業和能源部在審查了所謂的芯片護欄細節和去年通過的
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韓國 三星 SK海力士 芯片法案
近日，在第70屆IEEE國際固態電路會議（ISSCC）上，韓國存儲器大廠SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快閃存儲器預定兩年內上市，有望打破紀錄。外媒報導，SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲存等級的第八代3D NAND
Flash開發，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2單位容量、16KB單頁容量、四個平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達194MB/s，較上一代238層堆疊和164MB/
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由于存儲芯片價格暴跌，韓國芯片制造巨頭、蘋果供應商SK海力士（SK Hynix Inc.）周三公布了有史以來最大的季度虧損。該公司仍堅持將今年資本支出減半的計劃。財聯社2月1日訊（編輯 卞純）由于存儲芯片價格暴跌，韓國芯片制造巨頭、蘋果供應商SK海力士（SK Hynix Inc.）周三公布了有史以來最大的季度虧損。該公司仍堅持將今年資本支出減半的計劃。海力士公布，在截至去年12月的三個月，營收下降38%，運營虧損1.7萬億韓元（合14億美元）。分析師的平均預期是虧損1.1萬億韓元。存儲芯片價格已經較202
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· 副會長樸正浩會見高通公司高層，廣泛探討合作機會· SK海力士將繼續尋求與全球科技企業跨地域、跨行業展開合作 韓國首爾，2023年1月6日 – SK海力士今日宣布，SK海力士副會長兼聯合CEO樸正浩在美國拉斯維加斯CES 2023開幕前一天與高通公司舉行會談探討加強合作。1月4日（美國時間），樸正浩副會長與SK海力士社長兼聯合CEO郭魯正及其他高層領導，與高通公司總裁兼CEO安蒙(Cristiano Amon)在拉斯維加斯舉行了會談。雙方高層就眾多話題展開討
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2022年內存及閃存兩種存儲芯片的價格一直在下滑，以致于SSD硬盤跌成白菜價了，2TB不到700元，但是這樣的價格也讓閃存廠商很難受，三星已經開始出手逆轉價格，12月份閃存漲價10%。據電子時報援引供應鏈消息，雖然市場需求低迷，但三星12月上半月依舊選擇上調NAND閃存價格，其中3D NAND閃存價格漲幅高達10%。三星是全球第一大閃存供應商，Q2季度的銷售額59.8億美元，環比下滑5.4%，所占的份額也由上一季度的35.3%降至33%，依然遙遙領先其他廠商。a收購Intel閃存業務之后，SK海力士成立了
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SK海力士宣布，已經研發出全新、全球最快的MCR DDR5 DIMM內存， 起步速率就可以達到8Gbps，相比于標準的DDR5-4800快了多達80％ ，也追平了DDR5內存條的最高紀錄—— 芝奇剛剛發售DDR5-8000。這種新內存由SK海力士聯合Intel、瑞薩共同研發，面向服務器領域。MCR全稱“ Multiplexer Combined Ranks ”，多路復用器組合列的意思。它采用了Intel MCR技術，通過在DRAM內存模組、CPU處理器之間加入特殊的
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SK海力士 DDR5 DIMM 內存
IT之家 12 月 8 日消息，SK 海力士今日在官網宣布，成功開發出 DDR5 多路合并陣列雙列直插內存模組樣品，這是目前業界最快的服務器 DRAM 產品。該產品的最低數據傳輸速率也高達 8Gbps，較之目前 DDR5 產品 4.8Gbps 提高了 80% 以上。官方稱，該 MCR DIMM 產品采用了全新的方法來以提高 DDR5 的傳輸速度。雖然普遍認為 DDR5 的運行速度取決于單個 DRAM 芯片的速度，但 SK 海力士工程師在開發該產品時另辟蹊徑，提高了模塊的速度而非單個 DRAM 芯
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很顯然內存市場的需求依然很淡，不少消費者依然沒有出手，當然還是覺得廠商能繼續降價。調研機構TrendForce現發布了最新的研究報告，表明目前DRAM現貨報價仍在保持下跌的趨勢，主要買家對未來皆抱持跌價心態，整體市況仍因大環境因素影響價格難以止跌。具體來說：DDR4 1Gx8 2666/3200 部分，SK 海力士 DJR-XNC 一般成交價在 1.95~2.00 美元左右；三星WC-BCWE報價下調至 2.08~2.10 美元，WC-BCTD 因月底即將到貨而降至 2.00~2.03 美元。
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高帶寬存儲器（HBM, High Bandwidth
Memory）是一種可以實現高帶寬的高附加值DRAM產品，適用于超級計算機、AI加速器等對性能要求較高的計算系統。隨著計算技術的發展，機器學習的應用日漸廣泛，而機器學習的基礎是自20世紀80年代以來一直作為研究熱點的神經網絡模型。作為速度最快的DRAM產品，HBM在克服計算技術的局限性方面發揮著關鍵的作用。HBM的高帶寬離不開各種基礎技術和先進設計工藝的支持。由于HBM是在3D結構中將一個邏輯die與4-16個DRAM die堆疊在一起，因此開發過
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作為韓國的重要支柱，芯片出口的多少，直接關系著幾大財團的營收，比如三星、SK海力士等等。據國外媒體報道，消費電子產品需求下滑，導致對芯片的需求下滑，尤其是存儲芯片，需求與價格雙雙下滑。韓國關稅廳最新公布的數據顯示，在11月份的前20天，韓國芯片出口52.8億美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韓國重要的出口產品還有智能手機等移動設備，但這一類產品的出口額在前 20 天的出口額，也同比下滑20.6%，降至13.6億美元。比較有標志性的一個現象是，全球智能手機老大已經在不停的砍單了，至少在3000萬部，這也
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