韓國貿易部周三表示，即使在華盛頓提議的旨在防止美國補貼在中國使用的規則實施之后，但三星電子和 SK 海力士將能夠維護和升級其在中國的制造設施——盡管幅度很小。

美國商務部周二宣布，將限制《芯片與科學法案》資金的接受者在包括中國和俄羅斯在內的“相關國家”投資擴大半導體制造。   

但該限制并非完全禁止在中國投資，因為該部門允許接受公司將先進芯片的產能擴大 5%，將采用相對較舊制造工藝生產的芯片產能擴大 10%。   

貿易、工業和能源部在審查了所謂的芯片護欄細節和去年通過的科學法案后，在周三發布的一份聲明中表示：“在升級技術時，芯片制造商可以通過提高密度來增加每片晶圓的芯片數量，這轉化為產能擴張。”

隨著三星電子在中國西安的制造園區擴產，該地負責供應三星約 40% 的 NAND 閃存產品。   

位于中國無錫的 SK 海力士工廠生產 96 層和 144 層 NAND 閃存以及約 40% 的 DRAM。 

這兩家芯片制造商表示，他們正在徹底審查擬議規則的細節。 

三星電子在一份聲明中表示：“我們一直在與美國和韓國的相關政府機構進行密切討論，并計劃在審查今天公告的細節后確定我們的下一步行動。”   半導體行業的一位消息人士表示，這一決定幫助韓國芯片制造商避免了最壞的情況。 

消息人士稱：“此前有人擔心兩家公司可能被迫關閉在中國的芯片工廠，因為最初的媒體報道稱美國將對芯片工廠在中國的擴張實施 10 年禁令。”   

盡管如此，由于美國對《芯片和科學法案》施加了諸多限制，這些公司仍面臨著保持設施運行和使其與最新技術保持一致的困難。   

去年 10 月，商務部要求企業向其在中國的工廠提供制造額定 18 納米或更小的 DRAM 內存芯片和 128 層或更多層的 NAND 閃存芯片的技術，并獲得美國政府的批準。 

三星電子和 SK 海力士獲得了 10 月規則的一年豁免。   

與此同時，韓國立法委員會同意提出一項旨在增加韓國半導體制造設施稅收優惠的法案。立法者將在定于 3 月 30 日舉行的全體會議上投票。   

該修正案將給予大公司高達 15% 的半導體制造投資稅收抵免，高于之前的 8%。對于中小企業，這一比例將從目前的 16% 上調至 25%。