IT之家 5 月 16 日消息,韓國每日經濟新聞報道稱,SK 海力士代工部門啟方半導體(SK Key Foundry)將于今年下半年開始為特斯拉生產電源管理(PMIC)芯片?!?圖源:SK Key Foundry業內人士表示,SK 啟方半導體計劃最早于 7 月在忠清北道清州工廠的 8 英寸晶圓廠生產電源管理芯片,并安裝在特斯拉電動汽車上。除了特斯拉之外,SK 啟方半導體還在汽車功率半導體領域與多個全球車企展開合作,近期還通過了博世、大陸集團等全球領先汽車零部件公司的生產質量審查。半導體
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SK海力士
5月15日消息,據市場消息稱,三星、SK海力士將在下半年停止生產、供應DDR3內存,轉向利潤更豐厚的DDR5內存、HBM系列高帶寬內存。DDR3雖然在技術、性能上已經落伍,PC、服務器都不再使用,但因為非常成熟,功耗和價格都很低,在嵌入式領域依然大有可為,尤其是Wi-Fi路由器、網絡交換機等。但對于芯片廠商來說,DDR3利潤微薄,無利可圖,形同雞肋。而在AI的驅動下,HBM高帶寬內存需求飆升,產能遠遠無法滿足,2024年和2025年的大部分產能都已經被訂滿,HBM2E、HBM3、HBM3E等的價格預計明年
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存儲 DDR3 三星 SK海力士
據韓媒報道,SK海力士子公司SK海力士系統集成電路(SK Hynix System IC)計劃將其持有的無錫晶圓廠(SK Hynix System IC (Wuxi) Limited)49.9%的股權,轉讓給中國無錫產業發展集團有限公司(以下簡稱“無錫產業發展集團”)。報道稱,交易將在今年10月份完成。這一戰略舉措旨在進一步加強無錫晶圓廠與中國市場的聯系,并擴大其在中國市場的業務布局。據悉,本次股權轉讓計劃分為兩個階段。第一階段,SK海力士系統集成電路將以約2054億韓元(約合10.87億元人民幣)的價格
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SK海力士 無錫晶圓廠
· 作為業界最高性能產品,將于今年第3季度開始量產并搭載于端側AI手機· 與前一代產品相比,長期使用所導致的性能下降方面實現大幅改善,其使用壽命也提升40%· “繼HBM后,也在NAND閃存解決方案領域引領面向AI的存儲器市場”2024年5月9日,SK海力士宣布,公司開發出用于端側(On-Device)AI*的移動端NAND閃存解決方案產品“ZUFS**(Zoned UFS)4.0”。SK海力士表示:“ZUFS 4.0為新一代移動端NAND閃存解決方案產品,其產品實現業界最高
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SK海力士 AI 存儲 NAND
5月6日消息,供應鏈爆料稱,SK海力士將對旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產品提價,漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說法,海力士DRAM產品價格從去年第四季度開始逐月上調,目前已累計上漲約60%-100%不等,下半年漲幅將趨緩??恐鎯q價,三星電子2024年第一季營業利潤達到了6.606萬億韓元。財報顯示,三星電子一季度存儲業務營收17.49萬億韓元,環比增長11%,同比暴漲96%,在整體的半導體業務營收當中的占比高達75.58%。三星表示,一季度存儲市場總體需求強勁,特別是生
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SK海力士 三星 DDR5 NAND Flash 上漲
自SK海力士官網獲悉,4月24日,SK海力士宣布,為應對AI半導體需求的急劇增長,計劃擴大AI基礎設施核心組件HBM等下一代DRAM的生產能力。SK海力士表示,若理事會批準該計劃,三星電子將在忠北清州M15X工廠建立新的DRAM生產基地,并投資5.3萬億韓元用于建設新工廠。該工廠計劃于4月底開始建設,目標是在2025年11月完工,并進行早期批量生產。隨著設備投資的逐步增加,新生產基地的長期總投資將超過20萬億韓元。(圖源:SK海力士官網)SK海力士總經理郭魯正(Kwak Noh-Jung)稱,M15X將成
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SK海力士 AI DRAM
2024年4月4日,SK海力士宣布,在美國印第安納州西拉斐特(West Lafayette)建造適于AI的存儲器先進封裝生產基地,同時與美國普渡(Purdue)大學等當地研究機構進行半導體研究和開發合作。公司計劃向該項目投資38.7億美元。當地時間4月3日,公司與印第安納州、普渡大學、美國政府有關人士在位于西拉斐特的普渡大學舉辦了投資簽約儀式活動,并在此發表了上述計劃。印第安納州州長埃里克·霍爾科姆(Eric Holcomb)、美國參議員(印第安納州)托德·楊(Todd
Young)、白宮科技政策辦公
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SK海力士 后端工藝
由于上海公司的銷售額持續下降,SK海力士的中國業務中心已轉移到無錫,因此決定清算上海銷售公司。據韓媒報道,韓國半導體公司SK海力士正在重組其在中國的業務。報道稱,該公司計劃關閉成立于2006年的上海公司,并將重點轉移到其半導體制造工廠所在地無錫,作為其在中國的新業務中心。據悉,SK海力士在中國有三家工廠,分別是無錫DRAM廠、大連NAND閃存廠和重慶封裝廠。由于上海公司的銷售額持續下降,且與無錫的地理位置相近,SK海力士的中國業務中心已轉移到無錫,因此公司決定清算上海銷售公司,提高效率降低風險。
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SK海力士
近期,SK海力士副社長Kim Ki-tae表示,今年公司的HBM已經售罄,已開始為2025年做準備。稍早之前,美光科技CEO Sanjay Mehrotra也對外透露,美光2024年的HBM產能預計已全部售罄。生成式AI火熱發展,推動了云端高性能AI芯片對于高帶寬內存(HBM)的旺盛需求,存儲大廠積極瞄準HBM擴產。其中,三星電子從2023年四季度開始擴大HBM3的供應。此前2023年四季度三星內部消息顯示,已經向客戶提供了下一代HBM3E的8層堆疊樣品,并計劃在今年上半年開始量產。到下半年,其占比預計將
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存儲 HBM SK海力士 美光科技
最近,SK 海力士披露了亮眼的第四季度財報,2023 年第四季度實現扭虧為盈,當季營業利潤 3460 億韓元(約合 2.6 億美元),而上年同期營業虧損 1.91 萬億韓元。這意味著,SK 海力士成功擺脫了從 2022 年第四季度以來一直持續的營業虧損情況。相比之下,同為韓國半導體巨頭的三星,業績卻不盡如人意。數據顯示,三星電子去年銷售額為 258.16 萬億韓元(1.4 萬億元人民幣),同比下滑 14.58%。受半導體部門業績不佳影響,三星電子全年營業利潤時隔 15 年再次跌至 10 萬億韓元(544
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SK海力士 HBM
據了解,CAMM是一種新型內存標準,厚度更薄,容量更大;速度更快,功耗也更低。該標準已經發展到第二代,即應用于筆電和輕薄型PC的LPCAMM2。SK海力士在CES 2024展會上指出,CAMM標準將進軍桌面計算機平臺,而首款支持桌面計算機CAMM產品也在研發中,但未透露具體細節。CAMM2將采用統一連接器設計,兼容DDR5和低功耗LPDDR5/X內存模塊。市場人士預計,CAMM內存的導入,將對主板設計帶來重大變革,目前主流主板采用2或4個DIMM插槽,使用最新64GB模塊,可獲得最高256GB容量。如果想
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SK海力士 CAMM 內存標準
據韓媒報道,韓國芯片巨頭SK海力士準備打破美國對華極紫外(EUV)光刻機出口相關限制,對其中國半導體工廠進行技術提升改造。這被外界解讀為,隨著半導體市場的復蘇以及中國高性能半導體制造能力提升,一些韓國芯片企業準備采取一切可以使用的方法來提高在華工廠制造工藝水平。韓國《首爾經濟》13日的報道援引韓國業內人士的話稱,SK海力士計劃今年將其中國無錫工廠的部分動態隨機存取存儲器(DRAM)生產設備提升至第四代10納米工藝。對于“無錫工廠將技術升級”的消息,SK海力士方面表示“無法確認工廠的具體運營計劃”。無錫工廠
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SK海力士 芯片 EUV
據韓媒,韓國SK海力士公司周四表示,將成立一個名為AI Infra的新部門,負責人工智能(AI)半導體相關業務,由現任全球銷售營銷部門負責人Kim Juseon管理。報道稱,新部門將整合分散在公司內部的高帶寬內存(HBM)能力和功能,還將主導新一代HBM芯片等人工智能技術的發展,尋找并開發新市場。
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SK海力士 AI HBM 內存
據外媒報道,在OpenAI訓練的人工智能聊天機器人ChatGPT大火,谷歌等一眾科技巨頭紛紛加入生成式人工智能和大型語言模型的賽道之后,外媒就預計對AI服務器的需求將大幅增加,高性能GPU、高帶寬存儲器的需求也將隨之增加,半導體行業的多家廠商,將迎來新的發展機遇。市場研究公司Omdia的最新分析顯示,存儲芯片廠商SK海力士就已從人工智能應用需求增加中獲益,他們三季度在全球DRAM市場的份額達到了35%,占據了超過三分之一的份額。也是SK海力士自成立以來,在全球DRAM市場份額最高的一個季度。由于生成式人工
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