6月5日，在中國電子科技集團公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產大樓內，100臺碳化硅(SiC)單晶生長設備正在高速運行，SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長。 中國電科二所第一事業部主任李斌說：“這100臺SiC單晶生長設備和粉料都是我們自主研發和生產的。我們很自豪，正好咱們自己能生產了。” SiC單晶是第三代半導體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率等特性， 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達、衛星通訊、高壓
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SiC
6月5日，在中國電子科技集團公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產大樓內，100臺碳化硅(SiC)單晶生長設備正在高速運行，SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長。 中國電科二所第一事業部主任李斌說：“這100臺SiC單晶生長設備和粉料都是我們自主研發和生產的。我們很自豪，正好咱們自己能生產了。” SiC單晶是第三代半導體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率等特性， 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達、衛星通訊、高壓
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SiC
推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，發布了碳化硅(SiC)肖特基二極管的擴展系列，包括專門用于要求嚴苛的汽車應用的器件。新的符合AEC-Q101車規的汽車級SiC二極管提供現代汽車應用所需的可靠性和強固性，以及等同于寬禁隙(WBG)技術的眾多性能優勢。 SiC技術提供比硅器件更佳的開關性能和更高的可靠性。SiC二極管沒有反向恢復電流，開關性能與溫度無關。極佳的熱性能、增加的功率密度和降低的電磁干擾(EMI)，減小的系統尺寸和降低的成本使SiC
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安森美 SiC
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領先半導體技術方案供應商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初擴大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二極管產品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 肖特基勢壘二極管(SBD)和相應的裸片。美高森美將參展6月5日至7日在德國紐倫堡展覽中心舉行的PCIM歐洲電力電子展，在6號展廳318展臺展示這些SiC解決方案以及SiC SBD
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美高森美 SiC
全球知名半導體制造商ROHM為加強需求日益擴大的SiC功率元器件的生產能力，決定在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)的筑后工廠投建新廠房。 新廠房為地上3層建筑，總建筑面積約11,000㎡。現在，具體設計工作正在有條不紊地進行，預計將于2019年動工，于2020年竣工。 ROHM自2010年開始量產SiC功率元器件(SiC-SBD、SiC-MOSFET)以來，于世界首家量產“全SiC”功率模塊和溝槽結構SiC-MOSFET，不斷進行著領先業界的技
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ROHM SiC
ROHM不久前亮相"2018慕尼黑上海電子展"，并占據館內的入口人氣位置，以炫動的賽車和動感十足的汽車產品，吸引觀眾的眼球。那么，這次ROHM重點帶來了什么汽車新品? 據悉，此次展會圍繞“汽車電子”和“工業設備”，重點展示了功率電源產品及解決方案。 圖：ROHM展臺設在展館入口處，動感賽車吸引眼球 賽車性能突破極限，因為有SiC 視頻上吸睛的車隊是文圖瑞電動方程式車隊?(Venturi?Formula?E?Team)?，RO
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ROHM SiC
硅半導體器件在過去數十年間長期占據著電子工業的統治地位，它鑄就了電子世界的核心，覆蓋我們日常生活中的絕大部分應用。寬禁帶電子器件，以碳化硅和氮化鎵的形式，因其自身有著傳統的硅技術無法克服的優勢正在日益普及。
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力特，SiC，GaN
更為嚴格的行業標準和政府法規的變遷是更高能效產品的關鍵驅動因素。例如數據中心正呈指數級增長以跟上需求，其耗電量約占全球總電力供應量（+ 400TWh）的3％，也占總溫室氣體排放量的2％，與航空業的碳排放量相同。在這些巨大的能源需求之下，各地政府正加緊實施更嚴格的標準和新的法規，以確保所有依賴能源的產品必須達到最高能效。
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安森美，SiC，GaN
介紹了包括SiC、GaN在內的新一代功率器件，面向工業和汽車的新型功率模塊，可穿戴設備的電源管理IC的發展概況及相關新技術和熱門產品。
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SiC GaN 電源管理 201804
使用單光子作為量子位的載體可以在量子數據傳輸期間實現可靠的安全性。研究人員發現，目前可以通過某現有材料建立一個系統，能在常溫條件下可靠地產生單光子。
來自莫斯科物理技術學院(MIPT)的一個研究小組展示通過使用基于碳化硅(SiC)光電子半導體材料的單光子發射二極管，每秒可以發射多達數十億個光子。研究人員進一步表明，SiC色心的電致發光可用于將無條件的安全量子通信線路中的數據傳輸速率提高到1Gbps以上。
量子密碼術與傳統的加密算法不同，它依賴于物理定律。在不改變原始信息的情況下，是無法
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SiC 量子通信
相較目前主流的硅晶圓(Si)，第三代半導體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外，也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優勢，不僅可使芯片面積可大幅減少，并能簡化周邊電路的設計，達到減少模組、系統周邊的零組件及冷卻系統的體積。根據估計，2018年全球SiC基板產值將達1.8億美元，而GaN基板產值僅約3百萬美元。
此外，除了輕化車輛設計之外，因第三代半導體的低導通電阻及低切換損失的特性，也能大幅降低車輛運轉時的能源轉換損失，兩者對于電動車續航力的提升有相當的幫助。因此，
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SiC GaN
全球知名半導體制造商ROHM于2018年3月14日--16日參加了在上海新國際展覽中心舉辦的"2018慕尼黑上海電子展(electronica?China?2018)"。 “慕尼黑上海電子展"不僅是亞洲領先的電子行業展覽，還是行業內最重要的盛會之一。ROHM在此次展會上以“汽車電子”和“工業設備”為軸，為大家呈現包括“汽車電子”、?“模擬”、“電源”、“傳感器”以及“移動設備”在內的5大解決方案展區，囊括了業界領先的強大產品陣容。另外，為此
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ROHM SiC
慕尼黑上海電子展舉辦，作為亞洲第一電子大展，展會吸引了數萬名電子行業的觀眾到場參觀學習。而全球先進的元件分銷商——世強元件電商，則攜物聯網、汽車、微波通信、功率電子、工業控制及自動化、結構件、阻容感、材料、測試測量等九大領域的最新產品及方案亮相。 憑借集成電路、元件、材料、部件、儀器、阻容感等全品類的電子元器件展示，以及NB-IOT、工業物聯網、無線充電與快充、工業4.0、人工智能、樓宇照明、智能網聯汽車、新能源汽車、5G通信、藍牙Mesh等眾多熱門市場的最新產品的展示，世強元件電商吸引了大批工程師
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SiC GaN
據麥姆斯咨詢報道，一些非常重要的市場趨勢正在推動化合物半導體器件在關鍵行業的應用，化合物半導體正在強勢回歸。這些趨勢主要包括第五代(5G)無線網絡協議、無人駕駛和自動汽車、交通電氣化、增強現實和虛擬現實(AR/VR)。這些應用正在推動3D傳感的應用，提高功率模塊效率和更高頻率的通信應用。所有這些新發展背后的關鍵器件都是由化合物半導體制造而成。科銳(Cree)和英飛凌(Infineon)近日關于SiC材料、SiC功率器件和GaN射頻(RF)器件的最新公告，還僅僅是化合物半導體應用的冰山一角。
我們
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5G SiC
Analog Devices, Inc. (ADI)與Microsemi Corporation近日聯合推出市場首款用于半橋SiC功率模塊的高功率評估板，在200kHz開關頻率時該板提供最高1200V電壓和50A電流。隔離板的設計旨在提高設計可靠性，同時減少創建額外原型的需求，為電源轉換和儲能客戶節省時間、降低成本并縮短上市時間。ADI公司和Microsemi將在2018年3月4日至8日于美國得克薩斯州圣安東尼奧舉行的APEC 2018展會上展示該評估
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ADI SiC
sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類：一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數目；另一類是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環境，并具有極好的抗輻射性能.
Si [
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