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基本半導體推出高性能碳化硅肖特基二極管（SiC JBS）

　　碳化硅(SiC)功率器件的出現大大提升了半導體器件的性能，對電力電子行業的發展具有重要意義。作為最先實現產業化的 SiC 器件，SiC JBS能提供近乎理想的動態性能，基本半導體自主研發的650 -1700V 3D SiC?系列碳化硅肖特基二極管(SiC JBS)已火熱上市，憑借其優越性能廣受市場追捧。　　SiC JBS產品優勢　　作為單極型器件，SiC JBS在工作過程中沒有少數載流子儲存，其反向恢復電流主要取決于耗盡層結電容，反向恢復電荷以及反向恢復損耗比Si超快恢復二極管要低一到兩個數量級。更重
關鍵字：基本半導體 SiC

羅姆參展“2018第二十屆中國國際工業博覽會”

　　全球知名半導體制造商羅姆(ROHM)于2018年9月19日-23日在國家會展中心(上海)舉行的第二十屆中國國際工業博覽會上首次亮相。在為期5天的展會上，羅姆展出了節能高效的SiC功率元器件以及“機器健康檢測”為主的工業設備解決方案，吸引了眾多業內外人士駐足交流。　　羅姆展臺掠影(展位號：6.1H　A245)　　近年來，羅姆向工業市場不斷進取，凝聚在消費電子設備和汽車相關領域培育的技術，致力于節能、安全、舒適、小型化的革新性產品的開發，并通過高品質、穩定供應的安心生產體制，持續不斷為工業設備發展做貢獻。
關鍵字：羅姆 SiC 功率元器件

SiC功率半導體器件需求年增29%，X-FAB計劃倍增6英寸SiC代工產能

　　隨著提高效率成為眾需求中的重中之重，并且能源成本也在不斷增加，以前被認為是奇特且昂貴的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等技術，現已變得更具性價比。此外，隨著市場的增長，由于規模經濟的關系，SiC或GaN晶體管和二極管在經濟上也越來越具有吸引力。　　功率半導體(如二極管和MOSFET)可以通過幾種機制顯著節省能源。與傳統的硅器件相比，SiC二極管可以實現短得多的反向恢復時間，從而實現更快的開關。此外，其反向恢復電荷要少很多，從而可降低開關損耗。此外，其反向恢復電荷要少很多，從而可降低開關損耗。就其本身
關鍵字： X-FAB SiC

安森美半導體推動電動汽車充電樁市場創新發展

　　電動汽車(也叫新能源汽車)是指以車載電源為動力，用電機驅動車輪行駛，符合道路交通、安全法規各項要求的車輛由于對環境影響相對傳統汽車較小，它的前景被廣泛看好近年來在國家環保政策的激勵下，在大家對綠色低碳健康生活的憧憬下，電動汽車正日益普及。中國是世界最大的汽車市場，中國新能源汽車業近年來快速發展令世界矚目。據Goldman Sachs報道，2016年中國電動汽車占全世界電動汽車的45%, 這一百分比到2030年可能升至60%。根據中國的“一車一樁”計劃，電動汽車充電樁總數在2020年將達480萬個，與現
關鍵字：安森美 IGBT SiC

如何更加快速地為電動汽車充電

推出電動汽車（EV）的通告已經鋪天蓋地地席卷了全球。這些標題的吸睛點和不同點在于電動汽車遠程駕駛能力超越了目前的200至300英里范圍：目前，在所有駕駛情況和條件下，電動車輛皆可與基于內燃機的車輛媲美。
關鍵字：電動汽車 SiC 傳輸電力

羅姆即將舉辦2018第五屆“ ROHM技術研討會”

　　全球知名半導體制造商羅姆(ROHM)即將舉辦2018第五屆“ROHM技術研討會”，屆時將于2018年9月至2019年1月巡回蘇州、廈門、北京、惠州、合肥等全國5大城市，面向青年工程師分享先進的電源設計和應用技術。日前，首站——蘇州站(9月6日)的免費報名通道已開啟!　　一年一度的“ROHM技術研討會”由羅姆主辦，自2014年起至今已成功舉辦了四屆，活動足跡遍及全國各地，是羅姆與業界友人交流互動、分享經驗的良好平臺。今年，根據各個城市不同的行業發展情況，羅姆將圍繞“電源”和“SiC(碳化硅)”主題帶來精
關鍵字：羅姆 SiC

SiC元件2023年產業規模達14億美元

　　市場研究單位Yole Développement(Yole)指出，碳化硅(SiC)電力電子產業發展具高度潛力，包括ROHM、Bombardier、Cree、SDK、STMicroelectronics、Infineon Technologies、Littelfuse、Ascatron等廠商都大力投入。Yole預測到2023年SiC功率半導體市場規模預計將達14億美元，2016年至2023年間的復合成長率(CAGR)為28%，2020~2022年CAGR將進一步提升至40%。　　包括xEV、xEV充電基
關鍵字： SiC PFC

安森美半導體獲UAES頒發“年度杰出合作供應商獎”

　　推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor)，宣布獲聯合汽車電子系統有限公司(United Automotive Electronic Systems，簡稱UAES)頒發“2017年度杰出合作供應商獎”。安森美半導體是UAES最近的供應商大會上3家獲獎的半導體供應商之一。　　該獎認同安森美半導體寬廣的產品陣容的價值，這些產品用于UAES領先行業的先進汽車系統方案。安森美半導體能提供大量關鍵器件用于從動力總成到汽車功能電子化、從傳統模塊如發動機控制單元(ECU)和點火系統到最新的牽引
關鍵字：安森美 SiC

快速充電用AC/DC電源設計

提出了一種新型快速充電策略，并設計和制作了可滿足12 V/40 Ah鋰電池組快速充電需求的高功率密度AC/DC電源，介紹了AC/DC電源拓撲結構、關鍵元件選型及參數計算。快速充電器輸入PF大于0.98，額定工作點效率大于90%。可實現12.8 V/40 Ah鋰電池組3小時內100%SoC快速充電。
關鍵字：快速充電鋰電池組 PFC LLC SiC 201808

寬禁帶技術-下一代功率器件

　　行業標準的收緊和政府法規的改變是使產品能效更高的關鍵推動因素。例如，數據中心正在成倍增長以滿足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應(400千瓦時)的3%，占溫室氣體排放總量的2%。航空業的碳排放量也一樣。隨著對能源的巨大需求，各國政府正在采取更嚴格的標準和新的監管措施，以確保所有依賴能源的產品都需具有最高能效。　　同時，我們看到對更高功率密度和更小空間的要求。電動汽車正盡量減輕重量和提高能效，從而支持每次充電能續航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現這一目
關鍵字： SiC GaN

羅姆首次亮相“2018北京國際汽車制造業暨工業裝配博覽會”

　　全球知名半導體制造商羅姆于2018年7月19日-21日首次亮相在北京中國國際展覽中心舉辦的“2018北京國際汽車制造業暨工業裝配博覽會”(展位號：2展館T213)。以“用半導體為汽車的未來做貢獻”為理念，帶來了新能源汽車、汽車小型化輕量化、自動駕駛、人機交互等相關領先半導體產品。　　羅姆展臺人頭攢動　　在 “Formula E國際汽聯電動方程式錦標賽”特別展示區以及“xEV”、“環保/節能”、“安全/舒適”三大展區內，重點展示了以下產品和技術：　　? 先進的SiC(碳化硅)技術：助力 “Formula
關鍵字：羅姆 SiC

德州儀器CTO：TI顛覆性技術將引領我們快速前進

　　當我坐在電動汽車上踩下加速踏板，時速在3秒之內就能從0飆升到近100公里——我非常享受這個過程。正如我駕車疾馳在高速公路快車道上，而新一代技術將載著我們馳騁在大數據公路的快車道上。　　暢想一下，新技術將影響著我們未來的工作和生活：　　· 汽車組裝生產線上將重新配置協作機器人，由它們來組裝不同型號的車輛。這將在降低成本的同時大大提高生產力，發揮競爭優勢。今天，重置一個這樣的工廠可能需要幾年的時間。　　· 機器視覺技術將使人們即使在夜間、霧天和灰塵的環境下，駕駛時也可清晰視物。　　· 充電器尺寸將縮小到信
關鍵字：德州儀器 SiC

應用角：云電源

　　云電源是描述用于傳輸、存儲和處理云數據的設備的電源的通用術語。在電信或傳輸應用中，云電源將為基帶單元和遠程無線電單元供電。用于存儲和處理的服務器機群還需要大型不間斷電源，以確保在暫時斷電時用戶仍可訪問云。每臺服務器還將需要一個電源單元(PSU)，以及眾多的DC-DC轉換器來提供負載點電源。　　由于物聯網顯著增加了捕獲某種數據的端點數(2017年付運約20億臺設備，比2015年增長54%)，因此需要大量的存儲器來處理和存儲數據。為此，正在構建大型服務器機群，這些機群將消耗大量電力。電源轉換將產生熱量，終
關鍵字：云電源 SiC

低功耗SiC二極管實現最高功率密度

　　相較于硅，碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。　　安森美半導體擴展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統成本。工程師在設計用于太陽能光伏逆變器、電動車/混和動力電動車(EV / HEV)充電器、電信電源和數據中心電源等各類應用的PFC和升壓轉換器時，往往面對在更小尺寸實現更高能效的挑戰。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑
關鍵字：肖特基二極，SiC

工業設備輔助電源驅動用的SiC電源解決方案

　　前言　　包括光伏逆變器、電氣驅動裝置、UPS及HVDC在內的功率轉換系統，需要柵極驅動器、微控制器、顯示器、傳感器及風扇來使系統正常運行。這類產品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業設備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術優勢且設計簡單、性價比高的電源解決方案。　　小型輔助電源用SiC MOSFET　　圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下，MOSFET的最高耐壓
關鍵字： SiC，MOSFET

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sic介紹

SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類：一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數目；另一類是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環境，并具有極好的抗輻射性能. Si [ 查看詳細 ]