新基建和“雙碳”戰略目標推動下，第三代半導體產業正在開啟發展加速度，有望成為綠色經濟的中流砥柱，引領新一輪產業革命。

“創新為基，創芯為本”，11月27日，2021基本創新日活動在深圳盛大啟幕。基本半導體總經理和巍巍博士在會上發布了汽車級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品，至此基本半導體產品布局進一步完善，產品競爭力再度提升，將助力國內第三代半導體產業進一步發展，受到了現場來自汽車、工業、消費等領域以及第三代半導體產業生態圈的多位業內人士的高度關注。

汽車級全碳化硅功率模塊

后疫情時代下，全球汽車產業普遍面臨“缺芯”難題，而以碳化硅為代表的第三代半導體是支撐新能源汽車發展的關鍵技術之一，在電機控制器、車載充電器、DC/DC變換器等關鍵部件中發揮重要的作用。

發布會上，基本半導體汽車級全碳化硅MOSFET功率模塊家族成員首次正式整體亮相，包括半橋MOSFET模塊Pcore?2、三相全橋MOSFET模塊Pcore?6、塑封單面散熱半橋MOSFET模塊Pcell?等。該系列產品采用銀燒結技術，相較于傳統硅基IGBT功率模塊具有更高功率密度、更高可靠性、更高工作結溫、更低雜散電感、更低熱阻等特性，綜合性能達到國際先進水平，特別適合應用于新能源汽車。

汽車級全碳化硅功率模塊家族成員具體介紹如下：

汽車級全碳化硅三相全橋MOSFET模塊：Pcore?6

Pcore?6系列模塊是一款非常緊湊的功率模塊，專為混合動力和電動汽車提升效率應用而設計，使用氮化硅AMB絕緣基板、用于直接流體的銅基PinFin基板、多信號監控的感應端子（焊接、壓接兼容）設計，具有低損耗、高阻斷電壓、低導通電阻、高電流密度、高可靠性（高于AQG-324參考標準）等特點。

汽車級全碳化硅塑封單面散熱半橋MOSFET模塊：Pcell?

Pcell?系列模塊采用基本半導體設計的獨有封裝形式，采用銀燒結和DTS技術，大大提升了模塊的功率密度，讓碳化硅材料特性得以充分發揮，使得產品具有高功率密度、低雜散電感(小于5nH)、高阻斷電壓、低導通電阻（小于2mΩ）、結溫高達175℃等特點，非常適合于高效、高功率密度應用領域。

汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊：Pcore?2

Pcore?2系列模塊具有低開關損耗、可高速開關、降低溫度依賴性、高可靠性（高于AQG-324參考標準）等特點，結溫可達175℃，與傳統硅基模塊具有相同的封裝尺寸，可在一定程度上代替相同封裝的IGBT模塊，從而有效縮短產品開發周期，提高工作效率。

第三代碳化硅肖特基二極管

追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業的共同目標。為不斷提升產品核心競爭力，基本半導體成功研發第三代650V、1200V系列碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管家族中的新成員。相較于前兩代二極管，基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管在延用6英寸晶圓工藝基礎上，實現了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更強的浪涌能力。

最新款碳化硅肖特基二極管的亮點表現：

2  更高電流密度、更低Q_c：第三代二極管具有更高電流密度、更低QC，使其在真實應用環境中開關損耗更低。

2  更強浪涌能力：通過工藝及設計迭代優化，第三代二極管實現了更高的浪涌能力。

2  更低成本：更高的電流密度帶來更小的芯片面積，使得器件成本較前兩代二極管進一步降低。

2  更高產量： 使用6英寸晶圓平臺，單片晶圓產出提升至4英寸平臺產出2倍以上。

混合碳化硅分立器件

現代尖端電力電子設備性能升級需要提升系統功率密度、使用更高的主開關頻率。而現有硅基IGBT配合硅基FRD性能已無法完全滿足要求，需要高性能與性價比兼具的主開關器件。

為此，基本半導體首次正式發布一款新品：混合碳化硅分立器件。不同于全硅基IGBT+FRD，這款產品在以硅基IGBT作為核心開關器件的單管器件中，將器件中的續流二極管從硅基FRD換成了碳化硅肖特基二極管。

由于肖特基二極管沒有雙極型硅基高壓FRD的反向恢復行為，混合碳化硅分立器件的開關損耗獲得了極大地降低。根據測試數據顯示，這款新品的開通損耗比硅基IGBT的開通損耗降低約32.9%，總開關損耗比硅基IGBT的開關損耗降低約22.4%。

基本半導體混合碳化硅分立器件可應用于對功率密度提升有需求，同時更強調性價比的電源應用領域，如車載電源、車載空調控制器以及其他高效電源等。

新品發布會后，基本半導體技術專家分別介紹了公司在碳化硅MOSFET、碳化硅功率模塊、碳化硅驅動以及功率半導體可靠性測試關鍵項目的領先技術和經驗。

此外，為深化碳中和愿景下的中歐科研創新領域協同合作，推動我國第三代半導體產業深入發展，此次2021基本創新日還同期舉辦了“2021中歐第三代半導體高峰論壇”。

此論壇作為由中國科學技術協會與深圳市人民政府共同主辦的“2021中歐科技創新合作發展論壇”專業論壇，深圳市科學技術協會黨組成員孫楠，英國皇家工程院院士、劍橋大學Gehan Amaratunga教授，深圳大學微電子研究院院長、半導體制造研究院院長王序進院士出席論壇，來自劍橋大學、南京大學、天津工業大學、法國Yole Développement、比利時微電子研究中心、采埃孚、天科合達、漢磊科技、古瑞瓦特、基本半導體等中歐院校、科研機構以及創新企業的專家學者分別作了精彩演講，共同探討中歐第三代半導體行業最新技術和發展前景。

2021基本創新日活動得到嘉賓的高度支持，反響熱烈。未來，基本半導體將繼續通過技術研討會、產品發布會、行業論壇等形式舉辦創新活動，敬請期待！