- 領先于智能電源和智能感知技術的安森美（onsemi），推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），具備業界領先的性能水平，最大程度降低導通損耗和開關損耗。這些新器件旨在提高快速開關應用能效，將主要用于能源基礎設施應用，如太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、儲能和電動汽車充電電源轉換。新的1200V溝槽型場截止（FS7）IGBT在高開關頻率能源基礎設施應用中用于升壓電路提高母線電壓，及逆變回路以提供交流輸出。FS7器件的低開關損耗可實現更高的開關頻率，從而減少磁性元件的尺寸，提高功率密度
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安森美 IGBT FS7
- 當下半導體周期下行，半導體產業鏈多細分領域均明顯邁入到庫存調整周期。然而，在電動車與太陽能光伏兩大主流應用需求大增助推下，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）近期出現較大程度缺貨，不僅價格連漲，業界更以“不是價格多高的問題，而是根本買不到”來形容缺貨盛況。01IGBT供不應求，代工價格喊漲自2020年汽車缺芯以來，汽車芯片結構性缺芯愈發明顯，IGBT一直處于緊缺狀態。在2022年下半年，其甚至超越車用MCU，成為影響汽車擴產的最大掣肘。今年年初媒體消息顯示，漢磊集團于年初調漲IGBT產線代工價一成左右。據悉，漢
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IGBT 缺貨
- 2023 年 3 月 21日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），具備業界領先的性能水平，最大程度降低導通損耗和開關損耗。這些新器件旨在提高快速開關應用能效，將主要用于能源基礎設施應用，如太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、儲能和電動汽車充電電源轉換。新的1200V溝槽型場截止（FS7）IGBT在高開關頻率能源基礎設施應用中用于升壓電路提高母線電壓，及逆變回路以提供交流輸出。FS7器件的低開關損耗
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安森美 IGBT FS7開關
- 近日，吉利科技旗下浙江晶能微電子有限公司宣布，其自主設計研發的首款車規級IGBT產品成功流片。新款芯片各項參數均達到設計要求。吉利科技集團消息顯示，該款IGBT芯片采用第七代微溝槽柵和場截止技術，通過優化表面結構和FS結構，兼具短路耐受同時實現更低的導通/開關損耗，功率密度增大約35%，綜合性能指標達到行業領先水平。晶能與晶圓代工廠深度綁定，采用工藝共創方式持續提升芯片性能。據悉，晶能微電子是吉利科技集團孵化的功率半導體公司，聚焦于Si IGBT&SiC MOS的研制與創新，發揮“芯片設計+模塊制
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吉利科技 晶能 車規級 IGBT
- IT之家 3 月 16 日消息，吉利科技旗下浙江晶能微電子近期宣布，其自主設計研發的首款車規級 IGBT 產品成功流片。新款芯片各項參數均達到設計要求。晶能自主研發 IGBT 流片晶圓該款 IGBT 芯片采用第七代微溝槽柵和場截止技術，通過優化表面結構和 FS 結構，兼具短路耐受同時實現更低的導通 / 開關損耗，功率密度增大約 35%，綜合性能指標達到行業領先水平。晶能與晶圓代工廠深度綁定，采用工藝共創方式持續提升芯片性能。晶能表示，一輛典型的新能源汽車芯片用量超過 1200 顆。功率半導體占比接近 1/
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吉利 IGBT
- _____碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的新一代寬禁帶(WBG)材料的使用度正變得越來越高。在電氣方面，這些物質比硅和其他典型半導體材料更接近絕緣體。這些物質的采用旨在克服硅的局限性，而這些局限性源自其是一種窄禁帶材料，所以會引發不良的導電性泄漏，且會隨著溫度、電壓或頻率的提高而變得更加明顯。這種泄漏的邏輯極限是不可控的導電率，相當于半導體運行失效。在這兩種寬禁帶材料中，GaN主要適合中低檔功率實現方案，大約在1 kV和100 A以下。GaN的一個顯著增長領域是它在LED照明中的應用，而且在汽車
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MOSFET IGBT
- 隨著全球對環保問題的重視，在汽車領域，新能源汽車肩負著構建良好生態環境的目的和使命走在了前沿，汽車產業從不同技術路線探索環保之道。電動汽車是新能源汽車的主要技術路線之一，其核心部件車載充電機（OBC）經過幾年的發展技術日益成熟。但高效可靠，易于控制，高性價比一直是各家方案商以及零部件供應商持續追求的目標。本方案是品佳集團聯合國內高校共同設計，基于Infineon AURIX系列MCU開發的一套OBC方案。首次采用單片MCU完成原本DSP+MCU的運算任務，功率器件采用Infineon TRENCHSTOP
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Infineon TC233LP AIKW40N65DF5 OBC Aurix IGBT
- 尺寸和功率往往看起來像是硬幣的兩面。當你縮小尺寸時--這是我們行業中不斷強調的目標之一--你不可避免地會降低功率。但情況一定是這樣嗎？如果將我們的思維從芯片轉移到模塊設計上，就不需要拋硬幣了。在IGBT模塊中，芯片面積減小導致了熱阻抗的增加，進而影響性能。但是，由于較小的芯片在基板上釋放了更多的空間，因此有可能利用這些新的可用空間來優化模塊的布局。在這篇文章中，我們將探討如何調整模塊設計來改善熱性能。下篇將探討如何改善電氣性能。作為參考，我們將使用采用TRENCHSTOP? IGBT 7技術的新型1200
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英飛凌 IGBT
- 與大多數功率半導體相比，IGBT 通常需要更復雜的一組計算來確定芯片溫度。這是因為大多數 IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個芯片的溫度，有必要知道每個芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數。還需要知道每個器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。本應用筆記將簡單說明如何測量功耗并計算二極管和 IGBT 芯片的溫升。損耗組成部分根據電路拓撲和工作條件，兩個芯片之間的功率損耗可能會有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導通損耗和開關（開通和關斷）損耗，而二極管損耗
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安森美 IGBT
- 對于功率因數校正（PFC），通常使用升壓轉換器Boost拓撲結構。它可以最大限度地減少輸入電流的諧波。同時IGBT是大功率PFC應用的最佳選擇，如空調、加熱、通風和空調（HVAC）以及熱泵。理論上，在連續導通模式（CCM）下，通過IGBT反向續流永遠不會發生。然而，在輕負載或瞬態條件下，由于升壓電感Lboost和IGBT的輸出電容Coss之間的共振，會有反向電流流過。這個諧振電流，iQN(t)是由以下公式給出的。諧振期間IGBT兩端的電壓（VCE）可以得出：當輸入電壓Vin低于輸出電壓的一半時（Vin&l
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英飛凌 IGBT CCM模式
- 現今隨著高端測試儀器和仿真軟件的普及，大部分的損耗計算都可以使用工具自動完成，節省了不少精力，不得不說這對工程師來說是一種解放，但是這些工具就像黑盒子，好學的小伙伴總想知道工作機理。其實基礎都是大家學過的基本高等數學知識。今天作者就幫大家打開這個黑盒子，詳細介紹一下IGBT損耗計算方法同時一起復習一下高等數學知識。我們先來看一個IGBT的完整工作波形：IGBT的損耗可以分為開關損耗和導通損耗，其中開關損耗又分為開通和關斷兩部分，下面我分別來看一下各部分的計算推導過程。開關損耗-開通部分我們先來看一下理想的
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英飛凌 IGBT
- 功率半導體器件，也稱為電力電子器件，主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。逆變（直流轉換成交流）、整流（交流轉換成直流）、斬波（直流升降壓）、變頻（交流之間轉換）是基本的電能轉換方式。MOSFET 和 IGBT 是主流的功率分立器件。一 新能源汽車是功率器件增量需求主要來源01 下游應用領域廣泛，新能源汽車為主作為電能轉化和電路控制的核心器件，功率器件下游應用十分廣泛，包括新能源（風電、光伏、儲能和電動汽車）、消費電子、智能電網、軌道交通等，根據每個細分領域性能要求
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功率器件 IGBT MOSFET 國產替代
- 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）近日宣布，推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM，用于驅動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。柵極驅動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來自MCU的控制信號，并將這些信號傳遞至高壓域，快速開啟和關閉功率器件。為適應電動車輛電池的更高電壓，RAJ2930004AGM內置3.75kV
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瑞薩 柵極驅動IC EV逆變器 IGBT SiC MOSFET
- 針對氮化鋁陶瓷基板的IGBT應用展開分析，著重對不同金屬化方法制備的覆銅AlN基板進行可靠性進行研究。通過對比厚膜法、薄膜法、直接覆銅法和活性金屬釬焊法金屬化AlN基板的剝離強度、熱循環、功率循環，分析結果可知，活性金屬釬焊法制備的AlN覆銅基板優于其他工藝基板，剝離強度25 MPa，（-40 ~150）℃熱循環達到1 500次，能耐1 200 A/3.3 kV功率循環測試7萬次，滿足IGBT模塊對陶瓷基板可靠性需求。
- 關鍵字：
IGBT AlN陶瓷基板 金屬化 可靠性應用 202212
- 功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。凡是在擁有電流電壓以及相位轉換的電路系統中，都會用到功率器件，MOSFET、IGBT主要作用在于將發電設備產生的電壓和頻率雜亂不一的“粗電”通過一系列的轉換調制變成擁有特定電能參數的“精電”、供給需求不一的用電終端，為電子電力變化裝置的核心器件之一。在分立器件發展過程中，20世紀50年代，功率二極管、功率三極管面世并應用于工業和電力系統。20世紀60至70年代，晶閘管等半導體功率器件快速發展。20世紀70年代
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功率半導體 MOSFET IGBT
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