東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“GT20N135SRA”，這是一款用于桌面電磁爐、電飯煲、微波爐等家用電器電壓諧振電路的1350V分立IGBT。該產品于今日起開始出貨。?GT20N135SRA產品圖GT20N135SRA的集電極-發射極的飽和電壓[1]為1.75V，二極管正向電壓[2]為1.8V，分別比東芝當前產品[3]低10%和21%。IGBT和二極管都針對高溫（TC=100℃）條件下的導通損耗特性進行了改進，而且新款IGBT還有助于降低設備功耗。該產品的結殼熱阻為0
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IGBT 分立
各行業所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術創新與產業聯盟第五屆國際學術論壇上，公司與湖南國芯半導體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰略合作協議，將攜手開展寬禁帶功率技術的研究開發，充分發揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優勢，并推動其在眾多領域實現廣泛應用。近年來，寬禁帶半導體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領域開始逐漸取代傳統硅器件。然而，在各類應用中
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IGBT SiC GaN
插電式混合動力/電動汽車(xEV)包含一個高壓電池子系統，可采用內置的車載充電器(OBC)或外部的充電樁進行充電。充電(應用)要求在高溫環境下具有高電壓、高電流和高性能，開發高能效、高性能、具豐富保護功能的充電樁對于實現以盡可能短的充電時間續航更遠的里程至關重要。常用的半導體器件有IGBT、超結MOSFET和碳化硅(SiC)。安森美半導體為電動汽車OBC和直流充電樁提供完整的系統方案，包括通過AEC車規認證的超級結MOSFET、IGBT、門極驅動器、碳化硅(SiC)器件、電壓檢測、控制產品乃至電源模塊等，
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超級結MOSFET IGBT 充電樁
Thomas?Brand（ADI慕尼黑公司?現場應用工程師） 摘?要：探討了IGBT隔離式柵極驅動器的重要特性。 關鍵詞：IGBT；隔離式；柵極驅動器 在功率電子（例如驅動技術）中，IGBT經常用作高電壓和高電流開關。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產生于開關期間。為了最大程度減小開關損耗，要求具備較短的開關時間。然而，快速開關同時隱含著高壓瞬變的危險，這可能會影響甚至損壞處理器邏輯。因此，為IGBT提供合適柵極信號的柵極驅動器，還執行提供短路保護并影響開關速度的功能。然而，在選擇柵極驅動器
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201909 IGBT 隔離式 柵極驅動器
在產業電子化升級過程中，作為電子產品的基礎元器件之一的功率半導體器件越來越得到重視與應用。而中國作為需求大國，已經占有約39％的市場份額，在中國制造業轉型升級的關鍵時期，對功率半導體器件的需求將會越來越大。自上世紀80年代起，功率半導體器件MOSFET、IGBT和功率集成電路逐步成為了主流應用類型。其中IGBT經歷了器件縱向結構、柵極結構以及硅片加工工藝等7次技術演進，目前可承受電壓能力達到6500V，并且實現了高功率密度化。在此背景下，6月26-28日，PCIM亞洲展2019將在在上海世博展覽館舉行，三
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三菱電機 PCIM亞洲展 IGBT
黎長源，李帥，項永金（格力電器（合肥）有限公司，安徽 合肥 230088） 摘要：針對空調用IPM模塊生產過程及運輸周轉過程中出現IPM本體開裂問題，本文從IPM失效機理、器件結構工藝設計、器件應用環境設計質量可靠性等方面進行分析。通過器件失效機理、結構對比、X光、機械應力測試等對IPM器件本體全方位分析論斷，分析結果表明：IPM整體結構設計存在質量缺陷，IPM抗機械應力強度水平低，在實際應用環境中以較高的可靠性工作，本次IPM物理機械失效與器件本身設計質量缺陷存在較大關聯；從器件本身可靠性設計、本
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變頻空調 IPM 開裂 器件結構 機械應力 201907
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又稱絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,因此,可以把其看作是MOS輸入的達林頓管。它融合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點，具備易于驅動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高 (10-40 kHz) 等特點，已逐步取代晶閘管和GTO（門極可關斷晶閘管），是目前發展最為迅速的新一代電
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IGBT 場效應管
電機用于電梯、食品加工設備、工廠自動化、機器人、起重機……這樣的例子不勝枚舉。交流感應電機在這種應用中很常見，且總是通過用于電源級的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）來實現驅動。典型的總線電壓為200 VDC至1,000 VDC。IGBT采用電子換向，以實現交流感應電機所需的正弦電流。在設計電機驅動器時，保護操作重型機械的人員免受電擊是首要考慮因素，其次應考慮效率、尺寸和成本因素。雖然IGBT可處理驅動電機所需的高電壓和電流，但它們不提供防止電擊的安全隔離。在系統中提供安全隔離的重要任務由驅動IGBT的柵極驅動
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電機 IGBT
2019年4月30日 — 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，將于5月7日開始的德國紐倫堡歐洲PCIM 2019展會推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相關的隔離型大電流IGBT門極驅動器。AFGHL50T65SQDC采用最新的場截止IGBT和SiC肖特基二極管技術，提供低導通損耗和開關損耗，用于多方面的電源應用，包括那些將得益于更低反向恢復損耗的應用，如基于圖騰柱的無橋功率因數校正(PFC)和逆變器。該器件將硅基IGBT與SiC肖特基勢壘
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安森美半導體 IGBT SiC肖特基二極管技術
Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers? ? ? ?作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司（德國 慕尼黑） 摘要：通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。 關鍵詞：IGBT; MOSFET; 柵極驅動器；耐受性；隔離? ? &nb
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201905 IGBT MOSFET 柵極驅動器 耐受性 隔離
意法半導體的STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V
STPOWER?IGBT兩款產品能夠在軟開關電路中實現最佳的導通和開關性能，提高諧振轉換器在16kHz-60kHz開關頻率范圍內的能效。 新IH系列器件屬于意法半導體針對軟開關應用專門優化的溝柵式場截止(TFS)
IGBT產品家族，適用于電磁爐等家電以及軟開關應用的半橋電路，現在產品設計人員可以選用這些IGBT，來達到更高的能效等級。除新的IH系列外，意法半導體的軟開關用溝柵式場截止(TFS)
IGBT系列產品
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意法半導體 IGBT
TrendForce在最新《中國半導體產業深度分析報告》指出，受益新能源汽車、工業控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產品持續缺貨和漲價，帶動2018年中國功率半導體市場規模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣，其中離散式元件市場規模為1,874億元人民幣，較2017年成長14.7%;電源管理IC市場規模為717億元人民幣，較2017年增長8%。
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功率半導體 IGBT
IGBT是電力電子裝置的CPU，在電力電子變流和控制中起著舉足輕重的作用。變頻器中，IGBT模塊更為重要。但是，IGBT模塊會經常出現爆炸的情況。下面，小編就結合案例具體分析一下。 定義 一、IGBT爆炸：因為某些原因，模塊的損耗十分巨大，熱量散不出去，導致內部溫度極高，產生氣體，沖破殼體，這就是所謂的IGBT爆炸。 二. IGBT爆炸原因分析 1.爆炸的本質是發熱功率超過散熱功率，內部原因應該就是過熱。 2.人為因素 (1)進線接在出線的端子上(2)變頻器接錯電源(3)沒按要求接負載3.常
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IGBT，變頻器
Mar. 7, 2019 ----
全球市場研究機構集邦咨詢在最新《中國半導體產業深度分析報告》中指出，受益于新能源汽車、工業控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產品持續缺貨和漲價，帶動了2018年中國功率半導體市場規模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場規模為1,874億元人民幣，較2017年同比成長14.7%;電源管理IC市場規模為717億元人民幣，較2017年同比增長8%。 集邦咨詢分析師謝瑞峰指出，功率半導體作為需求驅動型的產業，2019年
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比亞迪不僅在汽車制造上實力深厚，在手機代工和其它業務方面，仍然保持走在行業前沿的水平。作為我國重要的制造企業代表，比亞迪在行業中具有模范作用，相信經過不斷技術突破和進步，比亞迪將會為我國眾多制造企業樹立一個又一個全新的示范里程碑!
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小米9 比亞迪 IGBT
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