在今年，業界對FD-SOI的討論終于從理論性的制程技術比較，轉移到由產品與應用所決定的技術競爭。
因為沒有可見的終端產品能證明其號稱超低功耗的特色，全空乏絕緣上覆矽(fully Depleted Silicon On Insulator，FD-SOI)制程一直得努力克服半導體產業界許多工程師的質疑，例如：該技術的好處在哪?在商業市場上有實際產品嗎?它真正的優勢何在?
終于，現在有實際產品可以做為FD-SOI制程的實證──是一只中國智慧型手機品牌業者小米(Xiaomi)副品牌華米(Huami
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智能手表 FD-SOI
格羅方德9月8日發布12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實現了業內首個多節點FD-SOI路線圖。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上，12FDXTM提供全節點縮放和超低功耗，并通過軟件控制實現按需定制性能，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能系統而設計。
隨著數以百萬計的互聯設備出現，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應用也不斷要求著半導體的進一步創新。用于實現這些應用的芯片正逐漸演進為微系統，集成包括無線連接、非易失性存
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格羅方德 FD-SOI
美普思科技公司(MIPS Technologies, Inc., 納斯達克代碼：MIPS)宣布，全球數十家領先的電子廠商在日前于拉斯維加斯舉行的國際消費電子展(CES)上推出并展示
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MIPS CES
格羅方德半導體今日發布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實現了業內首個多節點FD-SOI路線圖，從而延續了其領先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能系統而設計。
隨著數以百萬計的互聯設備出現，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應用也不斷要求著半導體的進一步創新。用于實現這些應用的芯片正逐漸演進為微系統，集成包括無線連接、非易失性存儲器以及電源管理等在內的越來越多的組件，
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格羅方德 FD-SOI
格羅方德半導體今日宣布一項全新合作伙伴計劃FDXcelerator™，該生態系統旨在為客戶加速基于22FDX™的片上系統設計，并縮短產品上市時間。
隨著公司新一代12FDX™的發布，格羅方德現提供業內首個FD-SOI 路線圖，并隨之建立了FDXcelerator™合作伙伴計劃，為希望實現先進節點設計的客戶提供了一條低成本的遷移路徑。
通過格羅方德半導體和FDXcelerator合作伙伴解決方案，客戶將能打造各類創新的22FDX 片上系統解決方
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格羅方德 FD-SOI
Samsung Foundry準備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)選項。
三星晶圓代工業務(Samsung Foundry)準備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)選項??。
Samsung Foundry行銷暨業務開發負責人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時表示，該
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FD-SOI 存儲器
產業資深顧問Handel Jones認為，半導體業者應該盡速轉移14奈米FD-SOI (depleted silicon-on-insulator)制程，利用該技術的眾多優勢…
半 導體與電子產業正努力適應制程節點微縮至28奈米以下之后的閘成本(gate cost)上揚;如下圖所示，在制程微縮同時，每單位面積的邏輯閘或電晶體數量持續增加，其速率高于晶圓片成本增加的速率。在另一方面，當制程特征尺寸縮 減時，晶片系統性與參數性良率會降低，帶來較高的閘成本。
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FD-SOI 14nm
Globalfoundries技術長GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發后續制程。
晶圓代工業者Globalfoundries技術長GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(fully-depletedsilicon-on-insulator，FD-SOI)制程技術可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發后續制程。
Globalfoundries聲稱其針對不同應用最佳化的22FDX平臺四種制程，能提
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Globalfoundries FD-SOI
2016年5月11日，CES Asia在上海開展，300多家企業都在這個高規格的展會上展示了自家的技術與未來產品。寶馬展示基于i8的新時代新能源汽車和無人駕駛技術，HTC展示進軍VR的新產品vive頭戴虛擬現實設備。
而作為CES的常客，我看到英特爾這一次帶來了更多的跨界技術和產品。正如英特爾展臺的布置分為運動、游戲、創意三大區域，所展示的Recon Jet智能眼鏡，聯想F2智能鞋，HTC Vive的VR設備，Yuneec無人機等，都讓前來體驗的人們感受到英特爾的技術真的是在改變生活各個領域的體
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英特爾 CES
在今天揭幕的亞洲消費電子展(CES Asia 2016)上，英特爾重點闡述了塑造未來的關鍵趨勢，并精彩展示了技術如何以巨大威力重塑人類日常生活方方面面的體驗，包括顛覆運動和游戲體驗、變革健康管理和健身運動，以及釋放創造力。作為全球領先的消費類科技行業展會之一，亞洲消費電子展今年是第二次登陸中國，吸引了眾多全球企業展示自己最新的產品與技術，全方位展示了亞洲產業價值鏈推動創新的廣度與深度。
英特爾公司高級副總裁兼新技術事業部總經理Josh&
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英特爾 CES
第二屆CES亞洲展(2016年亞洲消費電子展，CES Asia2016)即將于下周(2016年5月11--13日)在上海新國際博覽中心開幕，喜歡看新奇產品的讀者切莫錯過這次盛會，特別是對于喜歡可穿戴設備的讀者來說最好親自去體驗一番。
可穿戴設備在最近一兩年逐步走向了更多人的生活，有人甚至認為這將是人機交互的下一個時代。根據主辦方美國消費技術協會((Consumer Technology Association))指出，當前已有超過25家穿戴式裝置相關產業鏈業者表達參與意愿，將借由此次盛會，將旗下
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CES 可穿戴設備
全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變，成為可望在物聯網(IoT)與汽車市場取代鰭式場效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對于許多人來說，業界主導廠商代表出席一場相關領域的業界活動，象征著為這項技術背書。
“我認為，FD-SOI正蓄勢待發。也許還得經過幾年的時間，但它終將獲得新的動能，并發展成為一項關鍵技術，”International Business Strategies (IBS)創
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FD-SOI FinFET
身為一位記者，我發現撰寫有關于“熱門”公司、技術與人物的報導，要比我通常負責的技術主題容易得多;一旦我寫了那些“時髦”的標題，我會確實感受到人氣飆漲。
因 為幾乎每家媒體都窮追不舍，我不需要向讀者解釋為何我要寫那些，以及那些新聞為何對他們重要;我馬上想到的是美國總統候選人川普(Donald Trump)、蘋果(Apple)還有FinFET。而相反的，要寫冷門題材、比較少人討論的話題，挑戰性就高得多;部分讀者會有先入為主的看法，認為那 些題目不關他們
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FD-SOI FinFET
本文介紹了Soitec半導體公司的全耗盡絕緣硅(FD-SOI)的特點、最新進展及其生態系統，并將FD-SOI與FinFET作比較，分析了各自的優勢、應用領域和應用前景。
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FD-SOI FinFET 制造 201604
中國芯片企業起步較晚，在發展中屢屢遭受國際巨頭的“專利圍剿”，通過支持重點企業的兼并重組及海外收購，培育具有核心競爭力的大型企業，無疑是明智的手段，也是最有效的手段。
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Soitec FD-SOI
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