智能家居并沒有一套完整的標準，某些安全策略不足以支撐設備彼此間的兼容，消費者為了控制不同的產品，不得不頻繁的切換應用，最讓人感同身受的便是手機上各式各樣的APP。
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CES 安防
2015年已經過去，這一年可穿戴設備的種類層出不窮，但最終穿戴在我們身上的電子設備卻并不多，最多的就要算就是手環和手表了?！ ≈饕窍M者也不將可穿戴產品作為“剛需”電子產品，不過相信2016年憑借更靈敏的傳感器、低功耗芯片，以及節能的無線技術等等，就能解決了產品被吐槽已久的“詬病”，改變續航、交互方式甚至是大大降低成本?！ ?nbsp;
除此之外，監控血糖水平、可以測肺活量和皮膚溫度，甚至分析人體體內化學成分的傳感器設備也將會在2016年CES上亮相，這些也將會為可穿戴設備賦予更多
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CES 智能可穿戴
2016年1月5日消息，美國消費性電子大展CES即將于6日開展，聯發科(2454)今年將以主題“全新消費者體驗從聯發科技開始”在2016 CES展出，并發表三款新晶片，採用這些晶片的消費性電子產品將與周圍世界有更好的連結。這三款晶片分別是：4K超高解析藍光播放器晶片、智慧型手表晶片、以及家庭物聯網晶片。
在家庭娛樂方面，推出 MT8581是全球首款支援高動態范圍成像的4K超高解析度藍光播放器專用SoC，其所帶來的視覺體驗堪比從VHS錄像機到DVD播放機的革命性飛躍。
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CES 聯發科
雖然CES的光環逐漸黯淡，但它仍可用來預測未來一年(有時甚至是兩年)的消費技術潮流，如虛擬現實、高清晰度電視、自動駕駛車輛等。
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CES 智能家居
近期CES在科技圈熱鬧起來了，2016年1月6日至1月9日，一年一度的國際消費類電子產品展覽會CES(Consumer Electronics Show)將在美國賭城拉斯維加斯舉行，即將參展的企業紛紛熱身，CES2016這場全球最大規模的高科技年度盛事，勢必會成為2016年國內智能硬件行業潮流的一個風向標。展會將匯集來自全球一百多個國家和地區的數千家優秀消費類電子廠商、IT核心廠商和物聯網設備提供商，涵蓋數碼電子、穿戴式設備、計算機設備、3D打印、汽車電子、家用電器、智能家居等相關領域。在2015年C
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智能家居 CES
蘋果(Apple)宣布以182萬美元從美信半導體(Maxim Integrated)買下位于加州圣荷西的一座8吋晶圓廠。專家分析認為，此舉并不會影響與蘋果合作的晶圓代工廠生意。
據SemiWiki報導指出，SEMI World Fab Watch Database資料顯示，蘋果買下的晶圓廠于1987年建立，即使全面開工每月也只能生產1萬片晶圓，規模相對小且老舊，無法生產蘋果所需的應用處理器(AP)。
蘋果最新AP采16/14納米FinFET制程，而10納米制程也正在開發中。8吋晶圓近日才微
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三星 FD-SOI
在下個月2016年的消費電子CES展，英飛凌和pmdtechnologies有限公司將展示REAL3，3D圖像傳感器芯片。
相比之前的版本，光靈敏度，功耗得到相應的提高。節省空間的設備，這使手機操作微型攝像系統，可以測量3D深度數據。
相機的范圍和測量精度取決于所發射的和反射的IR光的強度，并且所述三維圖象傳感器芯片的像素靈敏度。后者是先前版本的兩倍，如將一個微透鏡的每個所述傳感器芯片的像素中的一個結果。因此，大部分的入射光被引導到像素的敏感表面上，所以幾乎沒有光能量損失到非活動區域。這意
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CES 3D圖像傳感器
備受矚目的2016年國際消費電子展?(CES)?已經正式進入倒計時階段。作為全球領先的半導體公司之一，TI將在本次的展會中展示超過100項的創新技術。無論是先進的高級駕駛員輔助系統(ADAS)還是適用于物聯網(IoT)和可穿戴技術的創意解決方案，TI所提供的半導體技術賦予了消費電子產品全新的工程設計創造力?！ τ谀切┘磳⑶巴咕S加斯參展的與會者而言，他們將可以在TI?Village體驗創新技術所帶來的突破與變革。而為了讓更多的朋友能夠一覽TI?Village
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CES TI
2015年CES展上出現的各類穿戴裝置主要的還算是被動資料搜集設備，但今年手勢控制介面的發展值得關注。
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CES 機器人
DIGITIMES Research觀察，大陸半導體產業近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有時也稱Ultra-Thin Body;UTB)制程技術，包含拜會關鍵晶圓片底材供應商、簽署相關合作協議、于相關高峰論壇上表態等。大陸選擇FD-SOI路線，而非臺積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場效電晶體)路線，估與手
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半導體 FD-SOI
今年由歐洲兩大主要研發中心——法國CEA-Leti和比利時IMEC舉辦的年度開放日活動剛好都在六月的同一時期舉行。但這種時程的沖突并不是有意的，至少Leti是這么認為。Leti的一位官方代表指出，“在過去七年來我們一直是在六月的同一周舉行年度活動。對他們來說，我們的排程應該不是什么秘密。”
Leti位于法國格勒諾布爾市創新園區的核心地帶
不過，位于格勒諾布爾的Leti Days和位于布魯塞爾的IMEC技術論壇這兩大
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FD-SOI 物聯網
美國時間7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺，成為全球第一家實現22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。
FD- SOI技術仍然采用平面型晶體管，目前并不為業內看好，因為無論Intel還是三星、臺積電，22n時代起就紛紛轉入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技術實力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術，22nm上只能繼續改進平面型，20nm上努力了一
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FD- SOI FinFET
格羅方德半導體(GLOBAL FOUNDRIES)今日發布一種全新的半導體工藝，以滿足新一代聯網設備的超低功耗要求。“22FDX™”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當，為迅速發展的移動、物聯網、RF連接和網絡市場提供了一個最佳解決方案。
雖然某些設備對三維FinFet晶體管的終極性能有要求，但大多數無線設備需要在性能、功耗和成本之間實現更好的平衡。22FDX 采用業內首個22nm二維全耗盡平面晶體管技術(FD-SOI)工
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格羅方德 FD-SOI
GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工藝平臺，全球第一家實現22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。 FD-SOI技術仍然采用平面型晶體管， 目前并不為業內看好，因為無論Intel還是三星、臺積電，22n時代起就紛紛轉入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技 術實力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術，22nm上只能繼續改進平面型，20nm上努力了一陣放棄了，14nm索性直接借用三星的。
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GlobalFoundries FD-SOI
在我們大多數人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導體業者應該不是選擇FinFET就是FD-SOI制程技術;不過既然像是臺積電(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圓代工廠，必須要同時提供以上兩種制程產能服務客戶，有越來越多半導體制造商也正在考慮也致力提供“兩全其美”的制程技術。
例如飛思卡爾半導體(Freescale Semiconductor)最近就透露，該公司正在14至16奈米節點采用
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FinFET FD-SOI
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