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cmos-ldo 文章 進入cmos-ldo技術社區

使用LDO和PLD實現電源啟用和禁用功能

  • 許多系統需要通過控制線或在施加輸入電源時啟用和禁用。雖然小型微控制器 (MCU) 可以實現啟用/禁用功能,但您仍然需要為其編寫、維護和燒錄代碼。許多使用片上系統 (SoC) 的設計在該芯片內都有一個 MCU;添加另一個是多余的。此外,SoC 中的 MCU 不夠低功耗,無法保持始終開啟并提供啟用控制器功能。本文討論了一種低成本、低功耗的使能控制器硬件解決方案,該解決方案使用低壓差線性穩壓器 (LDO) 和可編程邏輯器件 (PLD),僅消耗微安級電流。PLD 預編程了實現使能控制器決策功能所需的邏輯
  • 關鍵字: LDO  PLD  電源啟用  禁用  TI  

CMOS可靠性測試:脈沖技術如何助力AI、5G、HPC?

  • 在半導體領域,隨著技術的不斷演進,對CMOS(互補金屬氧化物半導體)可靠性的要求日益提高。特別是在人工智能(AI)、5G通信和高性能計算(HPC)等前沿技術的推動下,傳統的可靠性測試方法已難以滿足需求。本文將探討脈沖技術在CMOS可靠性測試中的應用,以及它如何助力這些新興技術的發展。引言對于研究半導體電荷捕獲和退化行為而言,交流或脈沖應力是傳統直流應力測試的有力補充。在NBTI(負偏置溫度不穩定性)和TDDB(隨時間變化的介電擊穿)試驗中,應力/測量循環通常采用直流信號,因其易于映射到器件模型中。然而,結
  • 關鍵字: CMOS  可靠性測試  脈沖技術  AI  5G  HPC  泰克科技  

CMOS_Sensor國產替代到什么程度了?

  • 攝像頭CMOS傳感器(CMOS Image Sensor, CIS)是成像設備的核心部件,廣泛應用于智能手機、安防監控、汽車電子、工業檢測等領域。以下是國內外主流的CMOS傳感器廠家及其主要特點和代表性型號:從智能手機到自動駕駛,從安防監控到工業檢測,CIS的身影無處不在。隨著技術不斷演進,CIS市場格局也在悄然變化。今天,我們就來一次全景掃描,盤點國內外主流CMOS傳感器廠商,以及那些正在崛起的新興勢力。當年最缺芯片的時候,我別的不擔心,最擔心買不到索尼的Sensor,結果一開始我們用中國臺灣的可以替代
  • 關鍵字: CMOS  圖像傳感器  ISP  

圖像傳感器選擇標準多?成像性能必須排第一

  • 當涉及到技術創新時,圖像傳感器的選擇是設計和開發各種設備過程中一個至關重要的環節,這些設備包括專業或家庭安防系統、機器人、條形碼掃描儀、工廠自動化、設備檢測、汽車等。選擇最合適的圖像傳感器需要對眾多標準進行復雜的評估,每個標準都會影響最終產品的性能和功能。從光學格式和、動態范圍到色彩濾波陣列(CFA)、像素類型、功耗和特性集成,這些標準的考慮因素多種多樣,錯綜復雜。在各類半導體器件中,圖像傳感器可以說是最復雜的。這些傳感器將光子轉換為電信號,通過一系列微透鏡、CFA、像素和模數轉換器(ADC)產生數字輸出
  • 關鍵字: 圖像傳感器  CMOS  成像性能  

SK海力士將關閉CIS圖像傳感器部門轉向AI存儲器領域

  • 3月7日消息,近日,綜合韓聯社、ZDNet Korea、MK等多家韓媒報道,SK海力士在內部宣布將關閉其CIS(CMOS圖像傳感器)部門,該團隊的員工將轉崗至AI存儲器領域。SK海力士稱其CIS團隊擁有僅靠存儲芯片業務無法獲得的邏輯制程技術和定制業務能力。存儲和邏輯半導體高度融合的趨勢下,將CIS團隊和存儲部門聚合為一個整體,才能進一步提升企業的AI存儲器競爭力。
  • 關鍵字: SK海力士  CIS  CMOS  AI存儲器  

復旦大學在Si CMOS+GaN單片異質集成的探索

  • 異質異構Chiplet正成為后摩爾時代AI海量數據處理的重要技術路線之一,正引起整個半導體行業的廣泛關注,但這種方法要真正實現商業化,仍有賴于通用標準協議、3D建模技術和方法等。然而,以拓展摩爾定律為標注的模擬類比芯片技術,在非尺寸依賴追求應用多樣性、多功能特點的現實需求,正在推動不同半導體材料的異質集成研究。為此,復旦大學微電子學院張衛教授、江南大學集成電路學院黃偉教授合作開展了Si CMOS+GaN單片異質集成的創新研究,并在近期國內重要會議上進行報道。復旦大學微電子學院研究生杜文張、何漢釗、范文琪等
  • 關鍵字: 復旦大學  Si CMOS  GaN  單片異質集成  

Nexperia全新推出高精度和超低靜態電流的汽車級LDO系列

  • Nexperia今日新推出一系列符合AEC-Q100標準的超低靜態電流通用低壓差(LDO)穩壓器。該新系列同時包含高精度帶輸出跟隨的LDO,集成輸出保護功能,且輸入電壓范圍較寬,因此可直接連接汽車電池。這些LDO采用熱優化設計,在冷啟動條件下,也能夠為信息娛樂系統、ADAS、遠程信息處理及照明系統等汽車應用中的紋波敏感負載提供穩定電壓源。帶輸出跟隨功能的LDO具有出色的輸出保護能力,可以在車身控制模塊、區域控制單元及動力系統中表現出優異性能,可用于涉及車外負載(如傳感器)的場景。? 除了汽車應用
  • 關鍵字: Nexperia  低靜態電流  汽車級LDO  LDO  

一篇搞定三種分立元件LDO(低成本+可調+精確輸出)

  • 前言LDO是大家最常見的電源芯片了吧,雖然存在效率不高的缺點,但相對于開關電源紋波更小、電路規模通常也更小,適用于低壓差、小功率的應用場合。在大多數場合我們都是用1117、7805這種IC來制作我們的電源。那我們可否在滿足要求的情況下,使用分立元件來實現更低成本的LDO呢?今天針對不同的應用場景,介紹三種使用分立元件搭建的LDO:1.低成本2.輸出電壓可調3.精確輸出原理不難,但若使電路可用,需認真設定每個元件的參數,Let’s do it仿真軟件版本文章中的實驗通過Multisim軟件進行仿真,有需要的
  • 關鍵字: LDO  電源管理  電源設計  

安森美 AR0823AT Hyperlux CMOS Digital Image Sensor

  • onsemi AR0823AT 是一款 1/1.8 英寸的 CMOS 數位影像感測器,擁有 3840 H x 2160 V 的有效像素陣列。這款先進的汽車用感測器能以高動態范圍 (HDR) 并結合 LED 閃爍抑制 (LFM) 捕捉影像。AR0823AT 可在每一幀中同時捕捉低光與極高亮度的場景,其 2.1 μm 超級曝光像素能實現高達 150 dB 的動態范圍,而無需進行自動曝光調整。這顯著降低了場景依賴的汽車關鍵系統的延遲,實現更快速且更安全的數據收集與決策。AR0823AT 的雙輸出
  • 關鍵字: 安森美  AR0823AT  Hyperlux  CMOS Digital Image Sensor  

一些LDO基礎知識

  • 本節分享下LDO的基礎知識,主要來源于Ti的文檔《LDO基礎知識》,原文檔下載鏈接如下:https://www.ti.com.cn/cn/lit/eb/zhcy089a/zhcy089a.pdf內容會回答這些問題:1、當輸入電壓與目標輸出電壓壓差不滿足Vdropout,會發生什么?2、決定Vdropout電壓大小的因素是什么?3、芯片選定后,Vdropout電壓就是固定的嗎?與電壓,電流是否有關?4、溫度,直流電壓對濾波電容有哪些影響?5、LDO封裝如何選擇?6、LDO輸出過流了會發生什么?7、給定芯片的
  • 關鍵字: LDO  電容  電路設計  

國產無反相機產業鏈初現

  • 根據相機及影像產品協會(CIPA)公布的數據,2024 年 1 月至 5 月,中國市場相機出貨量全球占比達到 23.4%,躍居繼美洲之后的全球第二大市場。在智能手機沖擊下曾一度遇冷的相機市場,如今因直播電商、短視頻等新興產業的崛起而重新煥發生機。產品創新與流量經濟的交織,正在為傳統行業打開一條全新的消費路徑。日本佳能副社長、執行董事小澤秀樹也表示,2023 年中國數碼相機市場實現了 25% 的增長,其中無反相機更是增長了 31%,預計 2024 年這一增長勢頭將持續,無反相機的增長有望達到 35%。隨著近
  • 關鍵字: 無反相機  CMOS  傳感器  

打破索尼壟斷!晶合集成1.8億像素相機全畫幅CMOS成功試產:業內首顆

  • 8月19日消息,今日,晶合集成宣布與思特威聯合推出業內首顆1.8億像素全畫幅(2.77英寸)CMOS圖像傳感器(以下簡稱CIS),為高端單反相機應用圖像傳感器提供更多選擇。據了解,晶合集成基于自主研發的55納米工藝平臺,與思特威共同開發光刻拼接技術,克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難,成功突破了在單個芯片尺寸上,所能覆蓋一個常規光罩的極限。同時確保在納米級的制造工藝中,拼接后的芯片依然保證電學性能和光學性能的連貫一致。晶合集成表示,首顆1.8億像素全畫幅CIS的成功試產,既標志著光刻拼接技術在
  • 關鍵字: CMOS  晶合  圖像傳感器  索尼  

業內首顆!國產 1.8 億像素相機全畫幅 CMOS 圖像傳感器成功試產

  • 8 月 19 日消息,晶合集成今日官宣,該公司與思特威聯合推出業內首顆 1.8 億像素全畫幅(2.77 英寸)CIS(CMOS 圖像傳感器),為高端單反相機應用圖像傳感器提供更多選擇。▲ 產品圖,圖源晶合集成,下同據介紹,為滿足 8K 高清化的產業要求,高性能 CIS 的需求與日俱增。晶合集成基于自主研發的 55 納米工藝平臺,攜手思特威共同開發光刻拼接技術,克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難,成功突破了在單個芯片尺寸上,所能覆蓋一個常規光罩的極限,同時確保在納米級的制造工藝中,拼接后的芯片依
  • 關鍵字: CMOS  圖像傳感器  CIS  

使用先進的SPICE模型表征NMOS晶體管

  • 為特定CMOS工藝節點設計的SPICE模型可以增強集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫了一系列關于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章,但如果我們的主要目標是準確模擬集成電路MOSFET的電學行為,那么結合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中,我將介紹下載用于IC設計的高級SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過程。然后,我們將使用下載的模型對NMOS晶體管進
  • 關鍵字: CMOS,MOSFET  晶體管,Spice模型  

CMOS反相器開關功耗的仿真

  • 當CMOS反相器切換邏輯狀態時,由于其充電和放電電流而消耗功率。了解如何在LTspice中模擬這些電流。本系列的第一篇文章解釋了CMOS反相器中兩大類功耗:動態,當反相器從一種邏輯狀態變為另一種時發生。靜態,由穩態運行期間流動的泄漏電流引起。我們不再進一步討論靜態功耗。相反,本文和下一篇文章將介紹SPICE仿真,以幫助您更徹底地了解逆變器的不同類型的動態功耗。本文關注的是開關功率——當輸出電壓變化時,由于電容充電和放電而消耗的功率。LTspice逆變器的實現圖1顯示了我們將要使用的基本LTspice逆變器
  • 關鍵字: CMOS,反相器,功耗  仿真,LTspice  
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