- F-RAM和集成半導體產品開發商及供應商 Ramtron International Corporation 宣布位于德國的嵌入式軟件和硬件供應商 fimicro 已在其新型的 active104 系列 PC/104 兼容單板計算機 (SBC) 和智能 I/O 擴展模塊中，采用了 Ramtron 的非易失性 F-RAM 存儲器。fimicro 已在其 active104 SBC、RAID、以太網和 USB 板的設計中使用了 Ramtron 的 FM22L16 4兆位 (Mb) 并行 F-RAM，以取代
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嵌入式系統 單片機 F-RAM 半導體 I/O模塊 半導體材料
- 非易失性鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣布推出帶2KB非易失性F-RAM 以8051為基礎的微控制器 (MCU) -- VRS51L3072。Ramtron將F-RAM添加到其快速靈活的Versa 8501產品中，以進行快速可靠的非易失性數據存儲與處理系統，而這是存儲系統狀態、數據記錄及在多種應用的非易失性變量的理想
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模擬技術 電源技術 F-RAM 電存儲器 微控制器 存儲器
- 存儲器在半導體行業就是一塊萬能膏藥，或者嵌入到SoC里或者當做單獨的存儲元件，有數據計算和程序存儲的要求就有它的用武之地。當前的主流半導體存儲器可以簡單的分成易失性和非易失性兩部分，它們各有所長，應用領域也因這一特性而是涇渭分明。
易失性的存儲器包括靜態存儲器SRAM和動態存儲器DRAM，SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數據，但是RAM 類型的存儲器易于使用、性能好。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數據。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于ROM（只讀存儲器）技術，包
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DRAM FeRAM RAM SRAM 存儲器
- 摘要： 本文采用LatticeXP系列FPGA結合IP解決DDR RAM的讀寫控制。并且在硬件上面進行了實際測試。關鍵詞： 嵌入式系統；DDR RAM；FPGA；IP；LattcieXP
前言隨著高速處理器的不斷發展，嵌入式系統應用的領域越來越廣泛，數字信號處理的規模也越來越大，系統中RAM規模不斷增加，比如視頻監控、圖像數據采集等領域，圖像處理的實時性對RAM帶寬的要求不斷增加，傳統的SDRAM在帶寬上已經逐漸無法滿足應用要求，DDR SDRAM(雙倍速率SDRAM)采用在時鐘CL
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0702_A DDR FPGA IP LattcieXP RAM 單片機 嵌入式系統 雜志_設計天地 存儲器
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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內核 RAM
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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ROM RAM
- 本文詳細介紹了MM58167B的各功能模塊、性能及其應用。
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晶振 RAM 存儲
- 對雙口RAM操作中共享沖突的幾種方式進行了討論和分析。給出了防止這些共享沖突的基本方法，同時結合其在自動化系統中的應用給出了雙口RAM和現場總線、工業以太網的接口應用方案。
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RAM 雙口 自動化系統 中的應用
- 在冶金行業中，絕大部分控制信息的傳遞基本上都是依靠總線進行的，通過總線還可以實現對各個生產加工環節的實時監控，所以總線技術無處不在，其中VME計算機因其支持多個CPU，64位的尋址和數據傳輸能力，IEC 297 歐卡標準，機械性能可靠和穩定，并具有可靠的接插件，帶電熱插拔，多廠商支持等優點得到廣泛應用。
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德州儀器 控制 應用 電機 通訊 RAM 雙口
- 摘 要：本文根據FPGA器件的特點，介紹了應用FPGA設計某通信設備中PCM碼流處理模塊的一種方案。并就設計中遇到的問題進行了分析。關鍵詞：FPGA；RAM引言由于FPGA器件可實現所有數字電路功能 ，具有結構靈活、設計周期短、硬件密度高和性能好等優點，在高速信號處理領域顯示出愈來愈重要的作用。本文研究了基于FPGA技術對PCM碼流進行處理的實現方法。變換后的數據寫入RAM，與DSP配合可完成復雜的信號處理功能。設計方案某新型通信設備中，在完成調度功能的板子上，需要進行
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FPGA RAM 存儲器
- 介紹了PowerPC系列微處理器的異常和中斷。同時以MPC555為例對嵌入式系統從ROM和RAM中的引導特點及技術實現方法進行了比較，給出了MPC555從RAM快速引導的實現方法。
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MPC RAM
- 摘 要： 本文詳細介紹了用塊RAM來實現卷積交織－解交織的原理和設計，以J.83標準中的卷積交織器例進行了說明。在此基礎上找到了用塊RAM實現卷積交織－解交織器的一般規律。關鍵詞： 卷積交織－解交織；FIFO移位寄存器；RAM為了糾正數據在信道中傳輸時由于受到突發干擾而產生的突發錯誤，常用的方法是采用交織－解交織措施，也就是通過在發射端將所要發射的數據通過交織將其順序打亂，接收后解調的時隙輸出經過一次解交織的反向處理重新組合，使其變為原來順序的序列，這樣就可以將相鄰的突發錯誤分散到糾錯解碼可以糾錯的范
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FIFO移位寄存器 RAM 卷積交織－解交織 存儲器
- 英特爾在今年臺北舉辦的英特爾科技論壇（IDF）中宣布，將生產最高可達到1GB容量的手持式裝置專用記憶系統。英特爾資深??總裁Ron Smith表示，此產品的技術架構采最新的高階堆疊式封裝，可將英特爾的StataFlash記憶體和動態記憶體（RAM）堆疊在一起，做成大小只有8x11公厘的記憶體模組
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英特爾 嵌入式 RAM
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