cmos-ldo 文章進(jìn)入cmos-ldo技術(shù)社區(qū)

使用LDO和PLD實(shí)現(xiàn)電源啟用和禁用功能

許多系統(tǒng)需要通過控制線或在施加輸入電源時(shí)啟用和禁用。雖然小型微控制器（MCU）可以實(shí)現(xiàn)啟用/禁用功能，但您仍然需要為其編寫、維護(hù)和燒錄代碼。許多使用片上系統(tǒng) （SoC）的設(shè)計(jì)在該芯片內(nèi)都有一個(gè) MCU;添加另一個(gè)是多余的。此外，SoC 中的 MCU 不夠低功耗，無法保持始終開啟并提供啟用控制器功能。本文討論了一種低成本、低功耗的使能控制器硬件解決方案，該解決方案使用低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）和可編程邏輯器件（PLD），僅消耗微安級(jí)電流。PLD 預(yù)編程了實(shí)現(xiàn)使能控制器決策功能所需的邏輯
關(guān)鍵字： LDO PLD 電源啟用禁用 TI

CMOS可靠性測(cè)試：脈沖技術(shù)如何助力AI、5G、HPC？

在半導(dǎo)體領(lǐng)域，隨著技術(shù)的不斷演進(jìn)，對(duì)CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）可靠性的要求日益提高。特別是在人工智能（AI）、5G通信和高性能計(jì)算（HPC）等前沿技術(shù)的推動(dòng)下，傳統(tǒng)的可靠性測(cè)試方法已難以滿足需求。本文將探討脈沖技術(shù)在CMOS可靠性測(cè)試中的應(yīng)用，以及它如何助力這些新興技術(shù)的發(fā)展。引言對(duì)于研究半導(dǎo)體電荷捕獲和退化行為而言，交流或脈沖應(yīng)力是傳統(tǒng)直流應(yīng)力測(cè)試的有力補(bǔ)充。在NBTI（負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性）和TDDB（隨時(shí)間變化的介電擊穿）試驗(yàn)中，應(yīng)力/測(cè)量循環(huán)通常采用直流信號(hào)，因其易于映射到器件模型中。然而，結(jié)
關(guān)鍵字： CMOS 可靠性測(cè)試脈沖技術(shù) AI 5G HPC 泰克科技

CMOS_Sensor國產(chǎn)替代到什么程度了？

攝像頭CMOS傳感器（CMOS Image Sensor, CIS）是成像設(shè)備的核心部件，廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、安防監(jiān)控、汽車電子、工業(yè)檢測(cè)等領(lǐng)域。以下是國內(nèi)外主流的CMOS傳感器廠家及其主要特點(diǎn)和代表性型號(hào)：從智能手機(jī)到自動(dòng)駕駛，從安防監(jiān)控到工業(yè)檢測(cè)，CIS的身影無處不在。隨著技術(shù)不斷演進(jìn)，CIS市場(chǎng)格局也在悄然變化。今天，我們就來一次全景掃描，盤點(diǎn)國內(nèi)外主流CMOS傳感器廠商，以及那些正在崛起的新興勢(shì)力。當(dāng)年最缺芯片的時(shí)候，我別的不擔(dān)心，最擔(dān)心買不到索尼的Sensor，結(jié)果一開始我們用中國臺(tái)灣的可以替代
關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器 ISP

圖像傳感器選擇標(biāo)準(zhǔn)多？成像性能必須排第一

當(dāng)涉及到技術(shù)創(chuàng)新時(shí)，圖像傳感器的選擇是設(shè)計(jì)和開發(fā)各種設(shè)備過程中一個(gè)至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，這些設(shè)備包括專業(yè)或家庭安防系統(tǒng)、機(jī)器人、條形碼掃描儀、工廠自動(dòng)化、設(shè)備檢測(cè)、汽車等。選擇最合適的圖像傳感器需要對(duì)眾多標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行復(fù)雜的評(píng)估，每個(gè)標(biāo)準(zhǔn)都會(huì)影響最終產(chǎn)品的性能和功能。從光學(xué)格式和、動(dòng)態(tài)范圍到色彩濾波陣列（CFA）、像素類型、功耗和特性集成，這些標(biāo)準(zhǔn)的考慮因素多種多樣，錯(cuò)綜復(fù)雜。在各類半導(dǎo)體器件中，圖像傳感器可以說是最復(fù)雜的。這些傳感器將光子轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，通過一系列微透鏡、CFA、像素和模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）產(chǎn)生數(shù)字輸出
關(guān)鍵字：圖像傳感器 CMOS 成像性能

SK海力士將關(guān)閉CIS圖像傳感器部門轉(zhuǎn)向AI存儲(chǔ)器領(lǐng)域

3月7日消息，近日，綜合韓聯(lián)社、ZDNet Korea、MK等多家韓媒報(bào)道，SK海力士在內(nèi)部宣布將關(guān)閉其CIS（CMOS圖像傳感器）部門，該團(tuán)隊(duì)的員工將轉(zhuǎn)崗至AI存儲(chǔ)器領(lǐng)域。SK海力士稱其CIS團(tuán)隊(duì)擁有僅靠存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)無法獲得的邏輯制程技術(shù)和定制業(yè)務(wù)能力。存儲(chǔ)和邏輯半導(dǎo)體高度融合的趨勢(shì)下，將CIS團(tuán)隊(duì)和存儲(chǔ)部門聚合為一個(gè)整體，才能進(jìn)一步提升企業(yè)的AI存儲(chǔ)器競(jìng)爭(zhēng)力。
關(guān)鍵字： SK海力士 CIS CMOS AI存儲(chǔ)器

復(fù)旦大學(xué)在Si CMOS+GaN單片異質(zhì)集成的探索

異質(zhì)異構(gòu)Chiplet正成為后摩爾時(shí)代AI海量數(shù)據(jù)處理的重要技術(shù)路線之一，正引起整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的廣泛關(guān)注，但這種方法要真正實(shí)現(xiàn)商業(yè)化，仍有賴于通用標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議、3D建模技術(shù)和方法等。然而，以拓展摩爾定律為標(biāo)注的模擬類比芯片技術(shù)，在非尺寸依賴追求應(yīng)用多樣性、多功能特點(diǎn)的現(xiàn)實(shí)需求，正在推動(dòng)不同半導(dǎo)體材料的異質(zhì)集成研究。為此，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)教授、江南大學(xué)集成電路學(xué)院黃偉教授合作開展了Si CMOS+GaN單片異質(zhì)集成的創(chuàng)新研究，并在近期國內(nèi)重要會(huì)議上進(jìn)行報(bào)道。復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院研究生杜文張、何漢釗、范文琪等
關(guān)鍵字：復(fù)旦大學(xué) Si CMOS GaN 單片異質(zhì)集成

Nexperia全新推出高精度和超低靜態(tài)電流的汽車級(jí)LDO系列

Nexperia今日新推出一系列符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的超低靜態(tài)電流通用低壓差(LDO)穩(wěn)壓器。該新系列同時(shí)包含高精度帶輸出跟隨的LDO，集成輸出保護(hù)功能，且輸入電壓范圍較寬，因此可直接連接汽車電池。這些LDO采用熱優(yōu)化設(shè)計(jì)，在冷啟動(dòng)條件下，也能夠?yàn)樾畔蕵废到y(tǒng)、ADAS、遠(yuǎn)程信息處理及照明系統(tǒng)等汽車應(yīng)用中的紋波敏感負(fù)載提供穩(wěn)定電壓源。帶輸出跟隨功能的LDO具有出色的輸出保護(hù)能力，可以在車身控制模塊、區(qū)域控制單元及動(dòng)力系統(tǒng)中表現(xiàn)出優(yōu)異性能，可用于涉及車外負(fù)載（如傳感器）的場(chǎng)景。? 除了汽車應(yīng)用
關(guān)鍵字： Nexperia 低靜態(tài)電流汽車級(jí)LDO LDO

一篇搞定三種分立元件LDO（低成本+可調(diào)+精確輸出）

前言LDO是大家最常見的電源芯片了吧，雖然存在效率不高的缺點(diǎn)，但相對(duì)于開關(guān)電源紋波更小、電路規(guī)模通常也更小，適用于低壓差、小功率的應(yīng)用場(chǎng)合。在大多數(shù)場(chǎng)合我們都是用1117、7805這種IC來制作我們的電源。那我們可否在滿足要求的情況下，使用分立元件來實(shí)現(xiàn)更低成本的LDO呢？今天針對(duì)不同的應(yīng)用場(chǎng)景，介紹三種使用分立元件搭建的LDO：1.低成本2.輸出電壓可調(diào)3.精確輸出原理不難，但若使電路可用，需認(rèn)真設(shè)定每個(gè)元件的參數(shù)，Let’s do it仿真軟件版本文章中的實(shí)驗(yàn)通過Multisim軟件進(jìn)行仿真，有需要的
關(guān)鍵字： LDO 電源管理電源設(shè)計(jì)

安森美 AR0823AT Hyperlux CMOS Digital Image Sensor

onsemi AR0823AT 是一款 1/1.8 英寸的 CMOS 數(shù)位影像感測(cè)器，擁有 3840 H x 2160 V 的有效像素陣列。這款先進(jìn)的汽車用感測(cè)器能以高動(dòng)態(tài)范圍 (HDR) 并結(jié)合 LED 閃爍抑制 (LFM) 捕捉影像。AR0823AT 可在每一幀中同時(shí)捕捉低光與極高亮度的場(chǎng)景，其 2.1 μm 超級(jí)曝光像素能實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150 dB 的動(dòng)態(tài)范圍，而無需進(jìn)行自動(dòng)曝光調(diào)整。這顯著降低了場(chǎng)景依賴的汽車關(guān)鍵系統(tǒng)的延遲，實(shí)現(xiàn)更快速且更安全的數(shù)據(jù)收集與決策。AR0823AT 的雙輸出
關(guān)鍵字：安森美 AR0823AT Hyperlux CMOS Digital Image Sensor

一些LDO基礎(chǔ)知識(shí)

本節(jié)分享下LDO的基礎(chǔ)知識(shí)，主要來源于Ti的文檔《LDO基礎(chǔ)知識(shí)》，原文檔下載鏈接如下：https://www.ti.com.cn/cn/lit/eb/zhcy089a/zhcy089a.pdf內(nèi)容會(huì)回答這些問題：1、當(dāng)輸入電壓與目標(biāo)輸出電壓壓差不滿足Vdropout，會(huì)發(fā)生什么？2、決定Vdropout電壓大小的因素是什么？3、芯片選定后，Vdropout電壓就是固定的嗎？與電壓，電流是否有關(guān)？4、溫度，直流電壓對(duì)濾波電容有哪些影響？5、LDO封裝如何選擇？6、LDO輸出過流了會(huì)發(fā)生什么？7、給定芯片的
關(guān)鍵字： LDO 電容電路設(shè)計(jì)

國產(chǎn)無反相機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈初現(xiàn)

根據(jù)相機(jī)及影像產(chǎn)品協(xié)會(huì)（CIPA）公布的數(shù)據(jù)，2024 年 1 月至 5 月，中國市場(chǎng)相機(jī)出貨量全球占比達(dá)到 23.4%，躍居繼美洲之后的全球第二大市場(chǎng)。在智能手機(jī)沖擊下曾一度遇冷的相機(jī)市場(chǎng)，如今因直播電商、短視頻等新興產(chǎn)業(yè)的崛起而重新煥發(fā)生機(jī)。產(chǎn)品創(chuàng)新與流量經(jīng)濟(jì)的交織，正在為傳統(tǒng)行業(yè)打開一條全新的消費(fèi)路徑。日本佳能副社長(zhǎng)、執(zhí)行董事小澤秀樹也表示，2023 年中國數(shù)碼相機(jī)市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)了 25% 的增長(zhǎng)，其中無反相機(jī)更是增長(zhǎng)了 31%，預(yù)計(jì) 2024 年這一增長(zhǎng)勢(shì)頭將持續(xù)，無反相機(jī)的增長(zhǎng)有望達(dá)到 35%。隨著近
關(guān)鍵字：無反相機(jī) CMOS 傳感器

打破索尼壟斷！晶合集成1.8億像素相機(jī)全畫幅CMOS成功試產(chǎn)：業(yè)內(nèi)首顆

8月19日消息，今日，晶合集成宣布與思特威聯(lián)合推出業(yè)內(nèi)首顆1.8億像素全畫幅（2.77英寸）CMOS圖像傳感器（以下簡(jiǎn)稱CIS），為高端單反相機(jī)應(yīng)用圖像傳感器提供更多選擇。據(jù)了解，晶合集成基于自主研發(fā)的55納米工藝平臺(tái)，與思特威共同開發(fā)光刻拼接技術(shù)，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難，成功突破了在單個(gè)芯片尺寸上，所能覆蓋一個(gè)常規(guī)光罩的極限。同時(shí)確保在納米級(jí)的制造工藝中，拼接后的芯片依然保證電學(xué)性能和光學(xué)性能的連貫一致。晶合集成表示，首顆1.8億像素全畫幅CIS的成功試產(chǎn)，既標(biāo)志著光刻拼接技術(shù)在
關(guān)鍵字： CMOS 晶合圖像傳感器索尼

業(yè)內(nèi)首顆！國產(chǎn) 1.8 億像素相機(jī)全畫幅 CMOS 圖像傳感器成功試產(chǎn)

8 月 19 日消息，晶合集成今日官宣，該公司與思特威聯(lián)合推出業(yè)內(nèi)首顆 1.8 億像素全畫幅（2.77 英寸）CIS（CMOS 圖像傳感器），為高端單反相機(jī)應(yīng)用圖像傳感器提供更多選擇。▲ 產(chǎn)品圖，圖源晶合集成，下同據(jù)介紹，為滿足 8K 高清化的產(chǎn)業(yè)要求，高性能 CIS 的需求與日俱增。晶合集成基于自主研發(fā)的 55 納米工藝平臺(tái)，攜手思特威共同開發(fā)光刻拼接技術(shù)，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難，成功突破了在單個(gè)芯片尺寸上，所能覆蓋一個(gè)常規(guī)光罩的極限，同時(shí)確保在納米級(jí)的制造工藝中，拼接后的芯片依
關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器 CIS

使用先進(jìn)的SPICE模型表征NMOS晶體管

為特定CMOS工藝節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)的SPICE模型可以增強(qiáng)集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫了一系列關(guān)于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預(yù)加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章，但如果我們的主要目標(biāo)是準(zhǔn)確模擬集成電路MOSFET的電學(xué)行為，那么結(jié)合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中，我將介紹下載用于IC設(shè)計(jì)的高級(jí)SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過程。然后，我們將使用下載的模型對(duì)NMOS晶體管進(jìn)
關(guān)鍵字： CMOS，MOSFET 晶體管，Spice模型

CMOS反相器開關(guān)功耗的仿真

當(dāng)CMOS反相器切換邏輯狀態(tài)時(shí)，由于其充電和放電電流而消耗功率。了解如何在LTspice中模擬這些電流。本系列的第一篇文章解釋了CMOS反相器中兩大類功耗：動(dòng)態(tài)，當(dāng)反相器從一種邏輯狀態(tài)變?yōu)榱硪环N時(shí)發(fā)生。靜態(tài)，由穩(wěn)態(tài)運(yùn)行期間流動(dòng)的泄漏電流引起。我們不再進(jìn)一步討論靜態(tài)功耗。相反，本文和下一篇文章將介紹SPICE仿真，以幫助您更徹底地了解逆變器的不同類型的動(dòng)態(tài)功耗。本文關(guān)注的是開關(guān)功率——當(dāng)輸出電壓變化時(shí)，由于電容充電和放電而消耗的功率。LTspice逆變器的實(shí)現(xiàn)圖1顯示了我們將要使用的基本LTspice逆變器
關(guān)鍵字： CMOS，反相器，功耗仿真，LTspice