7月8日消息，業內人士手機晶片達人爆料，臺積電6nm、7nm產能利用率只有60%，明年1月1日起臺積電會降價10%。與之相反的是，因3nm、5nm先進制程工藝產能供不應求，臺積電明年將漲價5%-10%。業內人士表示，臺積電3nm漲價底氣在于，蘋果、高通、英偉達與AMD等四大廠包攬臺積電3nm家族產能，甚至出現了排隊潮，一路排到2026年。受此影響，采用臺積電3nm制程的高通驍龍8 Gen4價格將會上漲，消息稱驍龍8 Gen4的最終價格將超過200美元，也就是說單一顆芯片的價格在1500元左右，相關終端價格
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臺積電 3nm 漲價 6nm/7nm 制程
《科創板日報》8日訊，聯發科、高通新一波5G手機旗艦芯片將于第四季推出，兩大廠新芯片都以臺積電3nm制程生產，近期進入投片階段。臺積電再添大單，據了解，其3nm家族制程產能客戶排隊潮已一路排到2026年。在臺積電3nm制程加持之下，天璣9400的各面向性能應當會再提升，成為聯發科搶占市場的利器。高通雖尚未公布新一代旗艦芯片驍龍8
Gen 4亮相時間與細節，外界認為，該款芯片也是以臺積電3nm制程生產，并于第四季推出。價格可能比當下的驍龍8 Gen
3高25％~30％，每顆報價來到220美元~240
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聯發科 高通 芯片 臺積電 3nm
7月3日消息，三星今天正式發布了其首款3nm工藝芯片——Exynos W1000。這款芯片專為可穿戴設備設計，預計將應用于即將推出的Galaxy Watch 7和Galaxy Watch Ultra智能手表。Exynos W1000芯片采用了三星最新的3nm GAA工藝，搭載了1個Cortex-A78大核心和4個Cortex-A55小核心，其中大核心的主頻達到1.6GHz，小核心主頻為1.5GHz。與前代產品Exynos W930相比，W1000在單核性能上實現了3.4倍的提升，在多核性能上更是達到了3.
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三星 3nm 芯片 Exynos W1000 主頻1.6GHz
IT之家 6 月 27 日消息，三星昨日（6 月 26 日）發布聲明，否認“三星代工業務 3nm 晶圓缺陷”的報道，認為這則傳聞“毫無根據”。此前有消息稱三星代工廠在量產第二代 3nm 工藝過程中發現缺陷，導致 2500 個批次（lots）被報廢，按照 12 英寸晶圓計算，相當于每月 65000 片晶圓，損失超過 1 萬億韓元（IT之家備注：當前約 52.34 億元人民幣）。三星駁斥了這一傳言，稱其“毫無根據”，仍在評估受影響生產線的產品現狀。業內人士認為，報道中的數字可能被夸大了，并指出三星的
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三星 3nm 晶圓代工
英特爾周三表示，其名為Intel 3的3nm級工藝技術已在兩個工廠進入大批量生產，并提供了有關新生產節點的一些額外細節。新工藝帶來了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持1.2V的電壓，適用于超高性能應用。該節點針對的是英特爾自己的產品以及代工客戶。它還將在未來幾年內發展。英特爾代工技術開發副總裁Walid Hafez表示：“我們的英特爾3正在俄勒岡州和愛爾蘭的工廠進行大批量生產，包括最近推出的Xeon 6'Sierra Forest'和'Granite Rapids'處理器
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Intel 3 3nm 工藝
此前有報道稱，明年谷歌可能會改變策略，在用于Pixel
10系列的Tensor
G5上更換代工廠，改用臺積電代工，至少在制造工藝上能與高通和聯發科的SoC處于同一水平線。為了更好地進行過渡，谷歌將擴大在中國臺灣地區的研發中心。隨后泄露的數據庫信息表明，谷歌已經開始與臺積電展開合作，將Tensor
G5的樣品發送出去做驗證。據Wccftech報道，谷歌與臺積電已達成了一項協議，后者將為Pixel系列產品線生產完全定制的Tensor G系列芯片。谷歌希望新款SoC不再受到良品率的困擾，而Tenso
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6月23日消息，據媒體報道，Exynos 2500的良品率目前僅為20%，遠低于量產標準，但三星仍在積極尋求解決方案，以期在今年10月前將良品率提升至60%。Exynos 2500是三星首款采用SF3工藝的智能手機SoC，該工藝相較于前代4nm FinFET工藝，在能效和密度上預計有20%至30%的提升。然而，低良品率的問題可能導致三星在Galaxy S25系列上不得不全面采用高通平臺，這將增加成本并可能影響產品定價。三星對Exynos 2500寄予厚望，該芯片在性能測試中顯示出超越高通第三代驍龍8的潛力
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三星 3nm 良率 Exynos 2500
據外媒報道，英特爾周三表示，其名為“Intel 3”的3nm制程技術已在俄勒岡州和愛爾蘭工廠開始大批量生產，并提供了有關新生產節點的一些額外細節。據介紹，新工藝帶來了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持1.2V的超高性能應用電壓。該節點既針對英特爾自己的產品，也針對代工客戶，將在未來幾年不斷發展。英特爾一直將Intel 3制造工藝定位于數據中心應用，這些應用需要通過改進的晶體管（與Intel 4相比）、降低晶體管通孔電阻的電源傳輸電路以及設計協同優化來實現尖端性能。生產節點支持<0.6V低壓以及&g
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英特爾 3nm
6月17日，據臺媒《工商時報》報道，在產能供不應求的情況下，臺積電將針對3nm/5nm先進制程和先進封裝執行價格調漲。其中，3nm代工報價漲幅或在5%以上，而2025年度先進封裝報價也將上漲10~20%。
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臺積電 制程 封裝 3nm 5nm 英偉達 CoWoS
6月16日消息，據媒體報道，隨著臺積電3納米供不應求，預期臺積電3納米訂單滿至2026年，NVIDIA、蘋果、AMD和高通等都在考慮提高AI硬件價格。在AI服務器、HPC應用與高階智能手機AI化驅動下，蘋果、高通、英偉達、AMD等四大廠傳大舉包下臺積電3納米家族制程產能，并涌現客戶排隊潮，一路排到2026年。業界認為，在客戶搶著預訂產能下，臺積3納米家族產能持續吃緊，將成為近二年常態。由于供不應求的局面，臺積電正在考慮將部分5納米設備轉換為支持3納米產能，預計月產能有望提升至12萬片至18萬片。盡管臺積電
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臺積電 3nm 供不應求 漲價 NVIDIA AMD 蘋果
芯片設計公司Arm今日發布了針對旗艦智能手機的新一代CPU和GPU IP（設計方案）：Cortex-X925 CPU、Immortalis G925 GPU。新產品均使用了其最新的Armv9架構，基于臺積電3nm制程工藝方案，針對終端設備在AI應用上的性能進行設計優化。此外還將提供軟件工具，讓開發人員更容易在采用Arm架構的芯片上運行生成式AI聊天機器人和其他AI代碼。預計搭載最新內核設計的手機將于2024年底上市。據官方介紹，新的CPU與GPU IP是目前旗下同類產品中性能最強的一代，新CPU性能提升3
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IT之家 5 月 27 日消息，X 平臺消息人士 Kepler (@Kepler_L2) 近日爆料，表示英偉達有望于明年推出的首款 AI PC 處理器將采用英特爾“3nm”制程。@Kepler_L2 是在回應另一位消息人士 AGF (@XpeaGPU) 的 X 文時發表這一看法的：@XpeaGPU 認為英偉達的 WoA SoC 將搭載 Arm Coretex-X5 架構 CPU 內核、英偉達 Blackwell 架構 GPU，封裝下一代 LPDDR6 內存，并基于臺積電 N3P 制程。
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IT之家 5 月 24 日消息，臺積電高管黃遠國昨日在 2024 年臺積電技術論壇新竹場表示，該企業將在今年新建七座工廠，而今年的 3nm 產能將達到去年的四倍。具體而言，臺積電 2024 年將在全球建設 5 座晶圓廠和 2 座先進封裝廠。臺積電位于新竹的 Fab 20 和位于高雄的 F22 晶圓廠均面向 2nm 制程，目前都處于設備進駐階段，預計 2025 年陸續進入量產。IT之家早前報道中也提到，臺積電已確認其歐洲子公司 ESMC 位于德國德累斯頓的首座晶圓廠將于今年四季度動工，預估 202
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全球半導體大廠韓國三星即將在今年上半年量產的第2代3nm制程，不過據韓媒指出，三星3nm制程目前良率僅有20%，相較于臺積電N3B制程良率接近55%，還不及臺積電良率的4成，使得三星在爭奪英偉達（NVIDIA）代工訂單受挫。外媒分析稱，三星恐怕要在先進制程上多加努力，才有可能與臺積電競爭，留住大客戶的訂單。據《芯智訊》引述韓媒的報導說，本月初EDA大廠新思科技曾宣布，三星采用最新3nm GAA制程的旗艦行動系統單芯片（SoC），基于新思科技的EDA工具已成功完成設計定案（tape out）。外界認為，該芯
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IT之家 5 月 17 日消息，臺積電近日舉辦技術研討會，表示其 3nm 工藝節點已步入正軌，N3P 節點將于 2024 年下半年投入量產。N3P 基于 N3E 工藝節點，進一步提高能效和晶體管密度。臺積電表示 N3E 節點良率進一步提高，已經媲美成熟的 5nm 工藝。IT之家查詢相關報道，臺積電高管表示 N3P 工藝目前已經完成質量驗證，其良品率可以接近于 N3E。作為一種光學微縮工藝，N3P 在 IP 模塊、設計規則、EDA 工具和方法方面兼容 N3E，因此臺積電表示整個過渡過程非常順利。N
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