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面向3nm及以下工藝,ASML新一代EUV光刻機曝光

  • 很快,臺積電和三星的5nm工藝即將量產(chǎn),與此同時,臺積電和三星的3nm工藝也在持續(xù)的研發(fā)當中。而對于5nm及以下工藝來說,都必須依靠EUV(極紫外)光刻機才能實現(xiàn)。而目前全球只有一家廠商能夠供應(yīng)EUV光刻機,那就是荷蘭的ASML。很快,臺積電和三星的5nm工藝即將量產(chǎn),與此同時,臺積電和三星的3nm工藝也在持續(xù)的研發(fā)當中。而對于5nm及以下工藝來說,都必須依靠EUV(極紫外)光刻機才能實現(xiàn)。而目前全球只有一家廠商能夠供應(yīng)EUV光刻機,那就是荷蘭的ASML。目前ASML出貨的EUV光刻機主要是NXE:340
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Intel最新制程路線圖曝光:10nm+++得到證實、2029年上馬1.4nm

  • 原文流傳年的幻燈片并非出自Intel官方,而是荷蘭光刻機巨頭ASML在Intel原有幻燈片基礎(chǔ)上自行修改的,5nm、3nm、2nm、1.4nm規(guī)劃均不是出自Intel官方,不代表Intel官方路線圖。Intel官方原始幻燈片如下:在IEDM(IEEE國際電子設(shè)備會議上),有合作伙伴披露了一張?zhí)柗Q是Intel 9月份展示的制造工藝路線圖,14nm之后的節(jié)點一覽無余,甚至推進到了1.4nm。讓我們依照時間順序來看——目前,10nm已經(jīng)投產(chǎn),7nm處于開發(fā)階段,5nm處于技術(shù)指標定義階段,3nm處于探索、先導階
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三星明年完成3nm GAA工藝開發(fā) 性能大漲35%

  • 盡管日本嚴格管制半導體材料多少都會影響三星的芯片、面板研發(fā)、生產(chǎn),但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會議,公布了旗下新一代工藝的進展,其中3nm工藝明年就完成開發(fā)了。三星在10nm、7nm及5nm節(jié)點的進度都會比臺積電要晚一些,導致臺積電幾乎包攬了目前的7nm芯片訂單,三星只搶到IBM、NVIDIA及高通部分訂單。不過三星已經(jīng)把目標放在了未來的3nm工藝上,預(yù)計2021年量產(chǎn)。在3nm節(jié)點,三星將從FinFET晶體管轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝,其中3nm工藝使用的是第一代GAA晶體管
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臺積電:3nm工藝進展順利 已有客戶參與

  • 如今在半導體工藝上,臺積電一直十分激進,7nm EUV工藝已經(jīng)量產(chǎn),5nm馬上就來,3nm也不遠了。臺積電CEO兼聯(lián)席主席蔡力行(C.C. Wei)在投資者與分析師會議上透露,臺積電的N3 3nm工藝技術(shù)研發(fā)非常順利,已經(jīng)有早期客戶參與進來,與臺積電一起進行技術(shù)定義,3nm將在未來進一步深化臺積電的領(lǐng)導地位。目前,3nm工藝仍在早期研發(fā)階段,臺積電也沒有給出任何技術(shù)細節(jié),以及性能、功耗指標,比如相比5nm工藝能提升多少,只是說3nm將是一個全新的工藝節(jié)點,而不是5nm的改進版。臺積電只是說,已經(jīng)評估了3n
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國產(chǎn)3nm半導體來了?只是學術(shù)進展

  • 今天有多家媒體報道了中國科研人員實現(xiàn)了3nm半導體工藝的突破性進展,香港《南華早報》稱中科院微電子所團隊的殷華湘等人研究出了3nm晶體管,相當于人類DNA鏈條寬度,這種晶體管解決了玻爾茲曼熱力學的限制。
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臺積電Q1凈利潤暴跌32% 今年砸80億美元研發(fā)7/5/3nm工藝

  • 作為全球晶圓代工市場的一哥,臺積電一家就占了全球50-60%的份額,幾乎吃下所有7nm先進訂單。不過今年遇到了半導體市場熊市,臺積電Q1季度營收、盈利也不免受影響下滑,凈利潤暴跌了32%。不過臺積電今年依然要砸錢研發(fā)新工藝,預(yù)計會在7nm、5nm及3nm工藝研發(fā)上投資80億美元之多。
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三星2021年量產(chǎn)3nm工藝 性能提升35%

  • 在智能手機、存儲芯片業(yè)務(wù)陷入競爭不利或者跌價的困境之時,三星也將業(yè)務(wù)重點轉(zhuǎn)向邏輯工藝代工。在今天的三星晶圓代工SFF美國分會上,三星宣布四種FinFET工藝,涵蓋了7nm到4nm,再往后則是3nm GAA工藝了,通過使用全新的晶體管結(jié)構(gòu)可使性能提升35%、功耗降低50%,芯片面積縮小45%。
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三星即將宣布3nm以下工藝路線圖 挑戰(zhàn)硅基半導體極限

  • 在半導體晶圓代工市場上,臺積電TSMC是全球一哥,一家就占據(jù)了全球50%以上的份額,而且率先量產(chǎn)7nm等先進工藝,官方表示該工藝領(lǐng)先友商一年時間,明年就會量產(chǎn)5nm工藝。在臺積電之外,三星也在加大先進工藝的追趕,目前的路線圖已經(jīng)到了3nm工藝節(jié)點,下周三星就會宣布3nm以下的工藝路線圖,緊逼臺積電,而且會一步步挑戰(zhàn)摩爾定律極限。
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3nm爭奪戰(zhàn)已打響

  • 科技的發(fā)展有時超出了我等普通人的想象,今年臺積電才開始量產(chǎn)7nm,計劃明年量產(chǎn)5nm,這不3nm又計劃在2022年實現(xiàn)量產(chǎn),這樣的大踏步前進可以說是競爭爭奪激烈的結(jié)果、也是科技快速發(fā)展的結(jié)果。
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三星已成全球芯片霸主,規(guī)劃芯片制程路線:2022年要上3nm

  •   5月28日,三星電子在位于美國的 2018 年三星半導體代工論壇上,公布其全面的芯片制程技術(shù)路線圖,目前已經(jīng)更新至 3nm 工藝。  據(jù)介紹,三星的 7nm LPP 將成為該公司首款使用EUV(極紫外光刻)方案的半導體工藝技術(shù)。以往三星的制程工藝都會分為 LPE 和 LPP 兩代,不過 7nm 算是個例外,沒有 LPE。之前已公布,三星 7nm LPP 將于 2018 年下半年量產(chǎn),2019 年的高通和三星芯片有望采用該制造工藝?! ∪潜硎荆?7nm LPP 之后推出的 5nm LPE 將為 So
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從7nm到3nm GAA,三星為何激進地采用EUV?

  • 半導體業(yè)界為EUV已經(jīng)投入了相當龐大的研發(fā)費用,因此也不難理解他們急于收回投資。雖然目前還不清楚EUV是否已經(jīng)100%準備就緒,但是三星已經(jīng)邁出了實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)的第一步。
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臺積電計劃2022年量產(chǎn)3nm芯片

  •   臺積電在8月14日宣布,公司董事會已批準了一項約45億美元的資本預(yù)算。未來將會使用該預(yù)算來修建新的晶圓廠,而現(xiàn)在中國臺灣媒體報道稱,臺積電計劃2020年開始建造3nm制程的晶圓廠,希望能夠在2022年實現(xiàn)3nm制程芯片的量產(chǎn)?! 「鶕?jù)臺灣《經(jīng)濟日報》的報道,臺灣相關(guān)部門通過了「臺南科學園區(qū)二期基地開發(fā)暨原一期基地變更計劃環(huán)差案」,這項議案主要是為了臺積電全新的晶圓制造廠而打造。  據(jù)悉,臺積電計劃2020年開始建造最新的3nm制程的晶圓廠,同時最快可以在2022年實現(xiàn)對于3nm制程芯片的量產(chǎn)。目前臺積
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aveni S.A. 運用創(chuàng)新電鍍化學,將銅互連擴展至5nm及以下節(jié)點以實現(xiàn)BEOL集成

  •   為2D互連和3D硅穿孔封裝提供顛覆性濕沉積技術(shù)與化學材料的開發(fā)商與生產(chǎn)商aveni S.A.今日宣布,其已獲得成果可有力支持在先進互連的后段制程中,在5nm及以下技術(shù)節(jié)點可繼續(xù)使用銅?!  钢荡算~集成20周年之際,我們的研究結(jié)果證實了IBM研究員Dan Edelstein在近期IEEE Nanotechnology Symposium上的主題演講中所表達的意見:『銅集成可持續(xù)使用』。」aveni執(zhí)行長Bruno Morel指出?! ∮捎谄骷獫M足(和創(chuàng)
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暗流涌動 晶圓市場強者生存

  • 目前晶圓代工市場三強分立,Intel、三星、臺積電都在積極備戰(zhàn)之中。而中國市場也是這些大佬的兵家必爭之地,擁有了中國市場便擁有了全世界。晶圓市場暗流涌動,鹿死誰手猶未可知。
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摩爾定律:始于半導體 終于物理極限?

  • 摩爾定律的提出只為預(yù)測半導體行業(yè)的發(fā)展趨勢,但是隨著其在半導體行業(yè)的聲名鵲起,外界各行各業(yè)對于競相仿效。
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