- IT之家 5 月 24 日消息,臺積電高管黃遠國昨日在 2024 年臺積電技術論壇新竹場表示,該企業將在今年新建七座工廠,而今年的 3nm 產能將達到去年的四倍。具體而言,臺積電 2024 年將在全球建設 5 座晶圓廠和 2 座先進封裝廠。臺積電位于新竹的 Fab 20 和位于高雄的 F22 晶圓廠均面向 2nm 制程,目前都處于設備進駐階段,預計 2025 年陸續進入量產。IT之家早前報道中也提到,臺積電已確認其歐洲子公司 ESMC 位于德國德累斯頓的首座晶圓廠將于今年四季度動工,預估 202
- 關鍵字:
3nm 臺積電
- 全球半導體大廠韓國三星即將在今年上半年量產的第2代3nm制程,不過據韓媒指出,三星3nm制程目前良率僅有20%,相較于臺積電N3B制程良率接近55%,還不及臺積電良率的4成,使得三星在爭奪英偉達(NVIDIA)代工訂單受挫。外媒分析稱,三星恐怕要在先進制程上多加努力,才有可能與臺積電競爭,留住大客戶的訂單。據《芯智訊》引述韓媒的報導說,本月初EDA大廠新思科技曾宣布,三星采用最新3nm GAA制程的旗艦行動系統單芯片(SoC),基于新思科技的EDA工具已成功完成設計定案(tape out)。外界認為,該芯
- 關鍵字:
良率 臺積電 三星 3nm 英偉達
- IT之家 5 月 17 日消息,臺積電近日舉辦技術研討會,表示其 3nm 工藝節點已步入正軌,N3P 節點將于 2024 年下半年投入量產。N3P 基于 N3E 工藝節點,進一步提高能效和晶體管密度。臺積電表示 N3E 節點良率進一步提高,已經媲美成熟的 5nm 工藝。IT之家查詢相關報道,臺積電高管表示 N3P 工藝目前已經完成質量驗證,其良品率可以接近于 N3E。作為一種光學微縮工藝,N3P 在 IP 模塊、設計規則、EDA 工具和方法方面兼容 N3E,因此臺積電表示整個過渡過程非常順利。N
- 關鍵字:
臺積電 3nm N3P
- 最新消息,臺積電官網宣布,在亞利桑那州建設的第二座晶圓廠制程工藝將由最初計劃的3nm升級為更先進的2nm,量產時間也由2026年推遲到了2028年。2022年12月6日,在臺積電亞利桑那州第一座晶圓廠建設兩年多之后宣布建設第二座晶圓廠。在今年一季度的財報分析師電話會議上,CEO魏哲家提到這一座晶圓廠已經封頂,最后的鋼梁已經吊裝到位。對于將第二座晶圓廠的制程工藝由最初計劃的3nm提升到2nm,臺積電CEO魏哲家在一季度的財報分析師電話會議上也作出了回應,他表示是為了支持AI相關的強勁需求。在OpenAI訓練
- 關鍵字:
AI 臺積電 晶圓 制程 2nm 3nm
- 最新報道,三星的3nm GAA生產工藝存在問題,原計劃搭載于Galaxy S25/S25+手機的Exynos 2500芯片在生產過程中被發現存在嚴重缺陷,導致良品率直接跌至0%。報道詳細指出,由于Exynos 2500芯片在3nm工藝下的生產質量問題,未能通過三星內部的質量檢測。這不僅影響了Galaxy S25系列手機的生產計劃,還導致原定于后續推出的Galaxy Watch 7的芯片組也無法如期進入量產階段。值得關注的是,Exynos 2500原計劃沿用上一代的10核CPU架構,升級之處在于將采用全新的
- 關鍵字:
三星 Exynos 芯片 3nm GAA
- 2 月 2 日消息,根據韓媒 DealSite+ 報道,三星的 3nm GAA 生產工藝存在問題,嘗試生產適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機的 Exynos 2500 芯片,均存在缺陷,良品率 0%。報道指出由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過質量測試,導致后續 Galaxy Watch 7 的芯片組也無法量產。此前報道,Exynos 2500 將沿用上一代的 10 核 CPU 架構,同時引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的
- 關鍵字:
三星 3nm GAA Exynos 2500 芯片
- 臺積電在3nm制程工藝于2022年四季度開始量產之后,研發和量產的重點隨之轉向下一代2nm制程工藝,計劃在2025年實現量產。這意味著工廠及相關的設備要做好準備,以確保按計劃順利量產。臺積電進入GAA時代的2nm制程進展順利,最新援引供應鏈合作伙伴的消息報道稱,位于新竹科學園區的寶山2nm首座晶圓廠P1已經完成鋼構工程,并正在進行無塵室等內部工程 —— 最快4月啟動設備安裝工作,相關動線已勘查完成。而P2及高雄兩地的工廠則計劃在2025年開始制造采用此項技術的2nm芯片,中科二期則視需求狀況預定
- 關鍵字:
臺積電 2nm 制程 晶圓廠 GAA
- 據外媒,除了傳統客戶聯發科、AMD、英偉達、英特爾、高通外,特斯拉也已確認參與臺積電(TSMC)明年的3nm NTO芯片設計定案(New Tape-Outs,NTOs)。報道稱,特斯拉成為臺積電N3P的客戶也表明,其打算利用該尖端技術生產下一代全自動駕駛(FSD)智能駕駛芯片。據了解,臺積電N3P工藝計劃預計在2024年投產,與N3E工藝相比,N3P的性能提高5%,功耗降低5%到10%,芯片密度提高1.04倍。臺積電表示,N3P的性能、功耗和面積(PPA)指標,以及技術成熟度,都超過了英特爾的18A工藝。
- 關鍵字:
特斯拉 臺積電 3nm 自動駕駛
- 11月6日,聯發科發布的新一代的旗艦平臺天璣9300處理器大膽創新,取消了低功耗核心簇,轉而采用“全大核”架構,包含四顆Cortex-X4 超大核(最高頻率可達3.25GHz)以及四顆主頻為2.0GHz的Cortex-A720大核。雖然此前曾有傳言稱這款芯片存在過熱問題,但聯發科予以否認并聲稱其性能表現出色。近期有爆料稱聯發科并沒有因天璣9300的爭議而改變策略,反而將在明年的天璣9400上繼續采用“全大核”架構。日前有消息源還透露了明年的旗艦芯片天璣9400將首次用上臺積電的N3E制程工藝 ——&nbs
- 關鍵字:
天璣 架構 N3E 聯發科 3nm 芯片
- 臺積電為全球晶圓代工龍頭,后頭追兵三星與英特爾來勢洶洶,但臺積電在技術與訂單仍保持一定優勢,尤其三星至今在3納米方面,依然無法取得頂尖客戶的信任,三星高層也坦言,一旦臺積電在2納米轉進GAA技術,三星還是得向臺積電看齊學習。即使如此,三星也打算透過低價策略搶市,與臺積電做出差別。綜合外媒報導,三星雖在3納米就開始使用GAA技術,量產時間也比臺積電早數個月,但在良率與技術上無法獲得客戶青睞,蘋果、輝達等科技巨頭的大單仍在臺積電手上,臺積電3納米沿用較舊的FinFET技術。三星不甘示弱,希望能在2納米領域上扭
- 關鍵字:
臺積電 2納米 三星 GAA
- 日立高新技術公司宣布推出其GT2000高精度電子束測量系統。GT2000利用日立高新技術在CD-SEM*1方面的技術和專業知識,在那里占有最大的市場份額。GT2000配備了用于尖端3D半導體器件的新型檢測系統。它還利用低損傷高速多點測量功能用于high-NA EUV*2抗蝕劑晶片成像,以最小化抗蝕劑損傷并提高批量生產的產率。日立高新技術(Hitachi High-Tech)GT2000 CD-SEM將能夠實現高級半導體器件制造過程中的高精度、高速測量和檢測,這些半導體器件正變得越來越小型化和復雜化,并有助
- 關鍵字:
日立高新 測試測量 GAA CFET
- IT之家 11 月 22 日消息,臺積電初代 3nm 工藝 N3B 目前僅有一個客戶在用,那就是蘋果。根據中國臺灣《工商時報》的消息,目前 3nm 晶圓每片接近 2 萬美元(IT之家備注:當前約 14.3 萬元人民幣) ,而良率為 55%,所以目前只有蘋果一家愿意且有能力支付,而且蘋果目前也預訂了臺積電今年大部分 3nm 產能。隨著 3nm 代工產能拉升,臺積電 3nm 產能今年底有望達到 6~7 萬片,全年營收占比有望突破 5%,明年更有機會達到 1 成。據稱,在英偉達、高通、聯發科
- 關鍵字:
臺積電 晶圓代工 3nm
- 10月31日消息,蘋果舉行新品發布會,線上發布M3系列芯片(M3、M3 Pro以及M3 Max),除了芯片更新蘋果還帶來了搭載M3系列芯片的MacBook Pro以及24英寸版iMac。這是蘋果首次將Pro與Max首次與基礎款同時公布,蘋果官方在發布會中也表示:這一系列的芯片采用了最新的3nm工藝制程,意味著比當前的M2系列將要「快得嚇人」。M3系列芯片信息:M3配備8核CPU,10核GPU,24GB統一內存,速度最高比M2提升20%M3 Pro配備12核CPU,18核GPU,36GB統一內存,速度最高比
- 關鍵字:
蘋果 M3 芯片 3nm 工藝 GPU
- 作為當前全球最先進的制程工藝,臺積電和三星的3nm制程工藝均已在去年量產,其中三星電子是在6月30日開始量產,臺積電則是在12月29日開始商業化生產。從外媒最新的報道來看,這兩大廠商3nm制程工藝的良品率,目前均還在60%以下,在將良品率提升到60%以上都遇到了挑戰。此前預計三星的良品率在今年將超過60%,臺積電的良品率在8月份時就已在70%-80%,高于三星電子。雖然三星電子3nm制程工藝為一家客戶代工的芯片,良品率達到了60%,但由于并不包括邏輯芯片的SRAM,不被認為是完整的3nm制程工藝產品。3n
- 關鍵字:
三星 臺積電 3nm 制程 芯片
- 外媒eNewsEurope報道,英特爾和臺積電將在國際電子元件會議(IEDM)公布垂直堆疊式(CFET)場效晶體管進展,這有望使CFET成為十年內最可能接替全環繞柵極晶體管(GAA)的下一代先進制程。CFET場效晶體管將n和p兩種MOS元件堆疊在一起,以實現更高的密度。該項技術最初由比利時微電子研究中心(IMEC)于2018年所提出的。雖然,大多數早期研究以學術界為主,但英特爾和臺積電等半導體企業現在已經開始這一領域的研發,借此積極探索這種下一代先進晶體管技術。英特爾表示,研究員建構一個單片3DCFET,
- 關鍵字:
GAA CFET
3nm gaa介紹
您好,目前還沒有人創建詞條3nm gaa!
歡迎您創建該詞條,闡述對3nm gaa的理解,并與今后在此搜索3nm gaa的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司

京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網安備11010802012473