最近，鎧俠和西部數據的合并已經傳來消息，或將于本月達成合并協議。當初，業內聽到這兩大存儲企業的合并是非常驚訝的，畢竟鎧俠在 NAND 領域世界排名第二、西部數據排在第四，這兩大巨頭的合并可以震動存儲市場。具體來看一下，目前兩家企業的合并方式。西部數據這邊將拆分 NAND Flash 閃存部門，與鎧俠合并。在合并后成立新的控股公司，在交換新公司所需數量的股份后，西部數據將保留 50.1% 的資產，其余 49.9% 將歸鎧俠所有。新的公司在美國注冊，但總部設置在日本，并且股票將在美國和東京證劵交易所上市，采用
關鍵字：
NAND
近日，據媒體報道，三星電子存儲業務主管李政培稱，三星已生產出基于其第九代V-NAND閃存產品的產品，希望明年初可以實現量產。三星正在通過增加堆疊層數、同時降低高度來實現半導體行業最小的單元尺寸。目前，存儲產業處于緩速復蘇階段，大廠們正在追求存儲先進技術的研發。從當前進度來看，NAND Flash的堆疊競賽已經突破200層大關：SK海力士已至321層，美光232層，三星則計劃2024年推出第九代3D NAND（有望達到280層）。據悉，三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層）
關鍵字：
三星 第九代 V-NAND 閃存
三星電子計劃將其西安NAND閃存工廠升級到236層NAND工藝，并開始大規模擴張。據外媒，三星電子計劃將其西安NAND閃存工廠升級到236層NAND工藝，并開始大規模擴張。報道中稱，三星已開始采購最新的半導體設備，新設備預計將在2023年底交付，并于2024年在西安工廠陸續引進可生產236層NAND的設備。此前消息稱，美國同意三星電子和SK海力士向其位于中國的工廠提供設備，無需其他許可。據了解，目前三星西安工廠已成為世界上最大的NAND制造基地，約占了三星NAND總產量的40%。
關鍵字：
三星 NAND 西安
據悉，三星電子經營高層日前做出決定，將升級位于中國西安的 NAND 閃存工廠，為完成工廠制程升級已下單采購最新半導體設備，或將于今年年底開始引進新設備。西安工廠是目前三星電子位于海外的唯一內存芯片生產基地，2014 年開始投產，經 2020 年擴建二期項目后，目前每月生產 20 萬張 12 英寸芯片，是全球最大的 NAND 閃存生產基地，占三星電子 NAND 芯片總產量的 40% 以上。三星電子計劃明年在西安工廠內部署生產 236 層（第 8 代）NAND 芯片的設備，并依次完成工藝轉換。2022 年 1
關鍵字：
三星電子 NAND
據TrendForce集邦咨詢集邦咨詢研究顯示，由于供應商嚴格控制產出，NAND
Flash第四季合約價全面起漲，漲幅約8~13%。展望2024年，除非原廠仍能維持減產策略，且服務器領域對Enterprise
SSD需求回溫，否則在缺乏需求作為支撐的前提下，NAND Flash要延續漲勢將有難度。Client SSD方面，由于原廠及模組廠均積極漲價，促使PC
OEM欲在價格相對低點預備庫存，采購量會較實際需求量高。而供應商為擴大位元出貨量，已在第三季推出促銷，故Client
SSD價格沒有
關鍵字：
NAND Flash TrendForce
●? ?全新霍爾效應傳感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模擬輸出和數字 SENT 協議?！? ?卓越的角度測量以及符合 ISO 26262 標準的開發水平，以小型 SOIC8 SMD 封裝為高安全要求的汽車和工業應用場景提供支持。TDK 株式會社近日宣布，其 Micronas 直接角霍爾效應傳感器系列產品增添了新成員，現推出面向汽車和工業應用場景的全新 HAL??3927* 傳感器。HAL 3927 采用集成斷線檢測的
關鍵字：
TDK 3D HAL 位置傳感器
10月9日，韓國總統辦公室通報，美國目前已做出決定 —— 在無需單獨批準的情況下，三星和SK海力士可以向中國工廠提供半導體設備，該決定一經通報即生效。據悉，無限期豁免將通過更新Validated End-User（VEU）清單來取得。若被納入該清單，便無需額外獲得許可，代表美國出口管制的適用性實際上是被無限期暫停。三星在一份聲明中表示，“通過與相關政府的密切協調，與我們在中國的半導體生產線運營有關的不確定性已大大消除?！盨K海力士則表示，“我們歡迎美國政府決定延長對出口管制規定的豁免。我們相信，這一決定將
關鍵字：
三星 SK海力士 NAND DRAM 半導體設備
受需求放緩、供應增加、價格競爭加劇等因素影響，存儲芯片的價格在 2022 年最后兩個季度均出現暴跌。根據 TrendForce 的最新數據顯示，DRAM 的平均價格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅擴大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均價跌幅收斂至 13%～18%，Q2 DRAM 價格跌幅收窄至 10% 到 15%。與 DRAM 市況相似，NAND 閃存的市場需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價格跌幅均超過 20%，今年 Q1 NAN
關鍵字：
NAND SSD DRAM
3D ToF智能相機能藉助飛時測距（Time of Flight；ToF）技術，在物流倉儲現場精準判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料，確保人員、貨物與無人搬運車移動順暢，加速物流倉儲行業自動化。2020年全球疫情爆發，隔離政策改變人們的消費模式與型態，導致電商與物流倉儲業出現爆炸性成長；于此同時，人員移動的管制，也間接造成人力不足產生缺工問題，加速物流倉儲行業自動化的進程，進而大量導入無人搬運車AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
關鍵字：
3D ToF 相機 物流倉儲 自動化 臺達
盡管由于經濟逆風、高通貨膨脹影響，存儲產業身處下行周期，但存儲大廠對于先進技術的競賽仍在繼續。對DRAM芯片而言，先進制程意味著高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗。當前，DRAM先進制程工藝——10nm級別目前來到了第五代，美光稱之為1β DRAM，三星稱之為1b DRAM。美光去年10月開始量產1β DRAM之后，計劃于2025年量產1γ
DRAM，這將是美光第1代采用極紫外光（EUV）的制程技術，目前在美光只在臺中有EUV的制造工廠，因此1γ制程勢必會先在臺中廠量產，未來日本廠也有望導入EUV
關鍵字：
DRAM NAND 存儲
10 月 6 日消息，據韓媒 Business Korea 報道，三星內部認為目前 NAND Flash 供應價格過低，公司計劃今年四季度起，調漲 NAND Flash 產品的合約價格，漲幅在 10% 以上，預計最快本月新合約便將采用新價格?！?圖源韓媒 Business Korea自今年年初以來，三星一直奉行減產戰略，IT之家此前曾報道，三星的晶圓產量大幅下降了 40%，最初的減產舉措主要集中在 DRAM 領域，之后下半年三星開始著手大幅削減 NAND Flash 業務產量，眼下正試圖推動
關鍵字：
三星 NAND flash 漲價
面對美國的護欄最終規則，韓國半導體公司被建議改變中國市場戰略據韓國新聞媒體報道，隨著拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》（CHIPS法案）資金分配和限制的國家安全護欄，韓國半導體公司可能不得不改變他們在中國的業務，并利用其在那里的成熟節點能力來針對國內需求的產品。關于最終規則對三星和SK海力士的影響，人們有不同的意見。但有一點是肯定的：希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國擴大產能的公司將不得不接受拜登政府設定的條件，并在未來10年內避免在中國進行實質性產能擴張。商務部的新聞稿顯示，補貼接受者在
關鍵字：
CHIPS法案 韓國半導體 DRAM NAND
IT之家 9 月 27 日消息，存儲制造商在經歷了有史以來最長的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場復蘇的希望。根據集邦咨詢報道，伴隨著主要存儲制造商的持續減產，已經市場去庫存效果顯現，預估 NAND Flash 價格回暖之后，DRAM 價格也會上漲。NAND 閃存供應商為減少虧損，2023 年以來已經進行了多次減產，目前相關效果已經顯現，消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價格出現反彈，9 月繼續上漲。行業巨頭三星繼續減產，主要集中在 128 層以下產品中，在 9 月產量下降了
關鍵字：
存儲 DRAM NAND Flash
據TrendForce集邦咨詢研究顯示，第二季NAND
Flash市場需求仍低迷，供過于求態勢延續，使NAND
Flash第二季平均銷售單價（ASP）續跌10~15%，而位元出貨量在第一季低基期下環比增長達19.9%，合計第二季NAND
Flash產業營收環比增長7.4%，營收約93.38億美元。自第二季起，三星（Samsung）加入減產行列，且預期第三季將擴大減產幅度，供給收斂的同時也在醞釀漲價，供過于求態勢有望因此獲得改善。不過，由于NAND
Flash產業供應商家數多，在庫存仍高的情
關鍵字：
NAND Flash TrendForce
近日，三星（Samsung）為應對需求持續減弱，宣布9月起擴大減產幅度至50%，減產仍集中在128層以下制程為主，據TrendForce集邦咨詢調查，其他供應商預計也將跟進擴大第四季減產幅度，目的加速庫存去化速度，預估第四季NAND
Flash均價有望因此持平或小幅上漲，漲幅預估約0~5%。價格方面，如同年初TrendForce集邦咨詢預測，NAND Flash價格反彈會早于DRAM，由于NAND
Flash供應商虧損持續擴大，銷售價格皆已接近生產成本，供應商為了維持營運而選擇擴大減產，以期帶動價
關鍵字：
NAND Flash Wafer TrendForce
3d nand介紹
您好，目前還沒有人創建詞條3d nand!
歡迎您創建該詞條，闡述對3d nand的理解，并與今后在此搜索3d nand的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473