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3d nand 文章 進入3d nand技術社區

使用NAND門的基本邏輯門

  • 邏輯門主要有三種類型,即 AND 門、OR 門和 NOT 門。每種邏輯門都有自己不同的邏輯功能。因此,在這些基本邏輯門的幫助下,我們可以得到任何邏輯函數或任何布爾或其他邏輯表達式。基本邏輯門的真值表:了解每個邏輯門的功能對熟悉轉換非常重要。1.NOT 邏輯門:這種邏輯門是數字邏輯電路中最簡單的一種。該邏輯門只有兩個端子,一個用于輸入,另一個用于輸出。門的輸入是二進制數,即只能是 1 或 0。邏輯門輸出端的輸出總是與輸入端相反,也就是說,如果輸入端為 1,則輸出端為 0,反之亦然。可能出現的級數由 2a 計
  • 關鍵字: NAND  邏輯門  

NAND 原廠過夠了「苦日子」,有晶圓合約成功漲價 10%

  • 廠家期待觸底后的反彈早日到來。
  • 關鍵字: NAND Flash  

采用NAND和NOR門的SR觸發器

  • 在本教程中,我們將討論數字電子學中的基本電路之一--SR 觸發器。我們將看到使用 NOR 和 NAND 門的 SR 觸發器的基本電路、其工作原理、真值表、時鐘 SR 觸發器以及一個簡單的實時應用。電路簡介我們迄今為止看到的電路,即多路復用器、解復用器、編碼器、解碼器、奇偶校驗發生器和校驗器等,都被稱為組合邏輯電路。在這類電路中,輸出只取決于輸入的當前狀態,而不取決于輸入或輸出的過去狀態。除了少量的傳播延遲外,當輸入發生變化時,組合邏輯電路的輸出立即發生變化。還有一類電路,其輸出不僅取決于當前的輸入,還取決
  • 關鍵字: NAND  NOR門  SR觸發器  

三星明年將升級NAND核心設備供應鏈

  • 據媒體報道,三星作為全球最大的NAND閃存供應商,為了提高新一代NAND閃存的競爭力,將在2024年升級其NAND核心設備供應鏈,各大NAND生產基地都在積極進行設備運行測試。?三星平澤P1工廠未來大部分產線將從第6代V-NAND改為生產更先進的第8代V-NAND,同時正在將日本東京電子(TEL)的最新設備引入其位于平澤P3的NAND生產線,此次采購的TEL設備是用于整個半導體工藝的蝕刻設備。三星的半導體產品庫存在今年上半年都有一定程度的增加,在上半年結束時,三星旗下設備解決方案部門的庫存已增至
  • 關鍵字: 三星  NAND  閃存  

3D NAND還是卷到了300層

  • 近日,三星電子宣布計劃在明年生產第 9 代 V-NAND 閃存,據爆料,這款閃存將采用雙層堆棧架構,并超過 300 層。同樣在 8 月,SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存,并計劃于 2025 年上半期開始量產。早在 5 月份,據歐洲電子新聞網報道,西部數據和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現 8 平面 3D NAND 設備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數「爭霸賽」眾所周知,固態硬盤的數據傳輸速度雖然很快,但售價和容量還
  • 關鍵字: V-NAND  閃存  3D NAND  

基于FPGA的NAND Flash的分區續存的功能設計實現

  • 傳統的控制器只能從NAND Flash存儲器的起始位置開始存儲數據,會覆蓋上次存儲的數據,無法進行數據的連續存儲。針對該問題,本文設計了一種基于FPGA的簡單方便的NAND Flash分區管理的方法。該方法在NAND Flash上開辟專用的存儲空間,記錄最新分區信息,將剩余的NAND Flash空間劃成多個分區。本文給出了分區工作機理以及分區控制的狀態機圖,并進行了驗證。
  • 關鍵字: 202308  NAND Flash  FPGA  分區  起始地址  

因業務低迷,消息稱三星計劃暫停部分工廠 NAND 閃存生產

  • IT之家 8 月 16 日消息,據韓國電子時報報道,為了克服低迷的存儲器市場狀況,三星電子計劃停止其位于韓國平澤市 P1 工廠的部分 NAND 閃存生產設備。業內人士透露,三星目前正在考慮停止 P1 工廠 NAND Flash 生產線部分設備的生產,該生產區主要負責生產 128 層堆疊的第 6 代 V-NAND,其中的設備將停產至少一個月。外媒表示,鑒于市場持續低迷,業界猜測三星的 NAND Flash 產量可能會減少 10% 左右,而三星在近來 4 月份發布的 2023 年第一季度財報中也正式
  • 關鍵字: 三星電子  V-NAND  

3D DRAM時代即將到來,泛林集團這樣構想3D DRAM的未來架構

  • 動態隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路,目前廣泛應用于需要低成本和高容量內存的數字電子設備,如現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術進步驅動了DRAM的微縮,隨著技術在節點間迭代,芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐,向三維發展,以提高單位面積的存儲單元數量。(NAND指“NOT AND”,意為進行與非邏輯運算的電路單元。)l  這一趨勢有利于整個行業的發展,因為它能推動存儲器技術的突破,而且每平方微米存儲單元數量的增加意味著生產成本的降低。l  DRAM技
  • 關鍵字: 3D DRAM  泛林  

基于NAND門的行李安全警報

  • 在乘坐火車和公共汽車的旅途中,我們會攜帶許多重要的物品,而且總是擔心有人會偷走我們的行李。因此,為了保護我們的行李,我們通常會用老辦法,借助鏈條和鎖來鎖住行李。但鎖了這么多把鎖之后,我們還是會擔心有人會割斷鎖鏈,拿走我們的貴重物品。為了克服這些恐懼,這里有一個基于 NAND 門的簡易電路。在這個電路中,當有人試圖提起你的行李時,它就會發出警報,這在你乘坐公共汽車或火車時非常有用,即使在夜間也是如此,因為它還能在繼電器上產生聲光指示。這種電路的另一個用途是,您可以在家中使用這種電路,以便在這種報警電路的幫助
  • 關鍵字: NAND  邏輯門  

被壟斷的NAND閃存技術

  • 各家 3D NAND 技術大比拼。
  • 關鍵字: NAND  3D NAND  

3D 晶體管的轉變

基于 LPC5528 的 3D 打印機方案

  • MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印機主板方案,該方案主控 MCU LPC5528 是一顆 Cortex-M33 內核的高性能 MCU,主頻達到 150MHz,擁有 512KB 片上 Flash ,256KB RAM ,有多個 Timer,多路 PWM,多種通信接口,支持 16 位的 ADC,資源豐富。      該方案支持 3.5 寸觸摸屏顯示,480*320 分辨率,支持 SD 卡、 U 盤傳輸打印資料給打印機,支持 5 軸電機控制,支
  • 關鍵字: 3D 打印機  NXP  LPC5528  

三季度DRAM和NAND閃存價格跌幅放緩

  • 今年 Q3,存儲產品價格有望迎來拐點。
  • 關鍵字: DRAM  NAND  

Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案

  • 中國上海,2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國家會展中心舉辦的 2023中國(上海)機器視覺展 (Vision China) 展示最新產品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進的 3D 解決方案,Teledyne DALSA、e2v 和 FL
  • 關鍵字: Teledyne  Vision China  3D  AI成像  
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