近日，據媒體報道，日本存儲芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發展藍圖，目標2027年實現1000層堆疊。鎧俠表示，自2014年以來，3D NAND閃存的層數經歷了顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實現了驚人的10倍增長。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長速度，預測到2027年達到1000層堆疊的目標是完全可行的。而這一規劃較此前公布的時間早了近3年，據日本媒體今年4月報道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應用物理學會春季學術演講會上表示，公司計劃于2030至2031
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鎧俠 3D NAND堆疊
6月25日消息，據媒體報道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，重磅發布了關于3D DRAM技術的最新研究成果，展示了其在該領域的深厚實力與持續創新。據最新消息，SK海力士在3D DRAM技術的研發上取得了顯著進展，并首次詳細公布了其開發的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術的開發，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一數據意味著在單個測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元，其中超過一半（即561個）為良
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SK海力士 3D DRAM
●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內部熱分析，幫助應對從芯片設計和?3D?組裝的早期探索到項目?Signoff?過程中的設計與驗證挑戰●? ?新軟件集成了西門子先進的設計工具，能夠在整個設計流程中捕捉和分析熱數據西門子數字化工業軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件，可針對?3D?
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西門子 Calibre 3DThermal 3D IC
隨著人工智能（AI）相關半導體對高帶寬存儲（HBM）需求的推動，NAND 閃存市場也感受到了這一趨勢的影響。目前，NAND 閃存市場的競爭正在加劇，存儲巨頭三星和 SK 海力士正加緊努力，以提升 NAND 產品的性能和容量。兩大巨頭輪番出手三星投產第九代 V-NAND 閃存今年 4 月，三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產品開始量產，這將有助于鞏固其在 NAND 閃存市場的卓越地位。那么 V-NAND 閃存是什么呢？眾所周知，平面 NAND 閃存不僅有 SLC、MLC 和 TLC 類型之分，
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三星 第九代 V-NAND
據日經新聞報道，鑒于市場正在復蘇，日本存儲芯片廠商鎧俠已結束持續20個月的減產行動，且貸方同意提供新的信貸額度。報道稱，鎧俠于6月份將位于三重縣四日市和巖手縣北上市的兩座NAND工廠的生產線開工率提高至100%。而隨著業務好轉，債權銀行已同意為6月份到期的5,400億日元（34.3億美元）貸款進行再融資。他們還將設立總額為2,100億日元的新信貸額度。2022年10月，為應對需求低迷的市場環境，鎧俠發布聲明稱，將調整四日市和北上市NAND Flash晶圓廠的生產，將晶圓生產量減少約30%，并表示會繼續根據
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鎧俠 NAND
IT之家 6 月 14 日消息，韓媒 Sedaily 轉述市場分析機構 Omdia 的話稱，2027 年 QLC 市場規模將占到整體 NAND 閃存的 46.4%，僅略低于 TLC 的 51%。作為對比，Omdia 認為 2023 年 QLC 閃存市場份額占比僅有 12.9%，今年這一比例將大幅增至 20.7%。換句話說，未來三年 QLC 在 NAND 市場整體中的占比將在今年的基礎上繼續提升 1.24 倍，達 2023 年的 3.6 倍。在 2023 年及以前，QLC 的市場滲透主要
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QLC NAND 閃存
據外媒報道，三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）”作為下一代NAND閃存材料，希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND，并實現pb級ssd。如果上述材料研發順利，將能夠在特定條件下表現出鐵電性，有望取代目前在3D NAND堆疊技術中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用與穩定度。據三星電子高管預測，到2030年左右，其3D NAND的堆疊層數將超過1000層。三星高管Giwook Kim將于今年6月發表技術演講，分析鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroel
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三星 NAND 存儲
IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報道，三星電子執行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會上表示該企業計劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領域商業化研究集中在兩種結構上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
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3D 內存 存儲 三星
三星電子計劃實現“PB級”存儲器目標。三星高層曾預期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實現目標，且可能是關鍵。目前，三星已經推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據業內消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術，堆疊層數將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實現超過1000 TB的存儲容量里程碑，為大數據、云計算等領域的發展提供強大的存儲支持。最新消息是，KAIST的研究
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三星 NAND Flash
三星電子計劃實現“PB級”存儲器目標。三星高層曾預期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實現目標，且可能是關鍵。目前，三星已經推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據業內消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術，堆疊層數將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實現超過1000
TB的存儲容量里程碑，為大數據、云計算等領域的發展提供強大的存儲支持。最新消息是，KAIST的
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三星 1000層 NAND
· 作為業界最高性能產品，將于今年第3季度開始量產并搭載于端側AI手機· 與前一代產品相比，長期使用所導致的性能下降方面實現大幅改善，其使用壽命也提升40%· “繼HBM后，也在NAND閃存解決方案領域引領面向AI的存儲器市場”2024年5月9日，SK海力士宣布，公司開發出用于端側（On-Device）AI*的移動端NAND閃存解決方案產品“ZUFS**（Zoned UFS）4.0”。SK海力士表示：“ZUFS 4.0為新一代移動端NAND閃存解決方案產品，其產品實現業界最高
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SK海力士 AI 存儲 NAND
據TrendForce集邦咨詢最新預估，第二季DRAM合約價季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價季漲幅同步上修至約15~20%，全線產品僅eMMC/UFS價格漲幅較小，約10%。403地震發生前，TrendForce集邦咨詢原先預估，第二季DRAM合約價季漲幅約3~8%；NAND
Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當時從合約價先行指標的現貨價格就可看出，現貨價已出現連續走弱，上漲動能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智能手機
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DRAM NAND Flash TrendForce
5月6日消息，供應鏈爆料稱，SK海力士將對旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產品提價，漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說法，海力士DRAM產品價格從去年第四季度開始逐月上調，目前已累計上漲約60%-100%不等，下半年漲幅將趨緩。靠著存儲漲價，三星電子2024年第一季營業利潤達到了6.606萬億韓元。財報顯示，三星電子一季度存儲業務營收17.49萬億韓元，環比增長11%，同比暴漲96%，在整體的半導體業務營收當中的占比高達75.58%。三星表示，一季度存儲市場總體需求強勁，特別是生
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SK海力士 三星 DDR5 NAND Flash 上漲
聯電昨（2）日所推出業界首項RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯電表示，此技術將應用于手機、物聯網和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項國際專利，準備投入量產。 聯電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開關和天線調諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機對頻段數量需求的不斷增長，聯電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術，并解決了芯片堆棧時常見的射頻干擾問題，將裝置中
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