全球電子元器件與開發服務分銷商e絡盟宣布新增MakerGear系列 3D 打印機，進一步擴充其 3D 打印產品陣列。MakerGear是 3D 打印系統技術和市場領航者，其打印機旨在加速終端應用部件和設備的原型設計及生產。 “MakerGear打印機的設計、構建、制造和檢驗均符合業界標準，確保為專業人士和創客提供最優性能。” Premier Farnell 和 e絡盟全球測試和工具主管 James McGregor表示，“作為開發服務分銷商，我們致力于為客戶進行創新設計、加快產品研發上市速度提供技術
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e絡盟 3D 打印
10月24日，由青銅劍科技、基本半導體、中歐創新中心聯合主辦的第二屆中歐第三代半導體高峰論壇在深圳會展中心成功舉行。 本屆高峰論壇和第三代半導體產業技術創新戰略聯盟達成戰略合作，與第十五屆中國國際半導體照明論壇暨2018國際第三代半導體論壇同期舉行，來自中國、歐洲及其他國家的專家學者、企業領袖同臺論劍，給現場觀眾帶來了一場第三代半導體產業的盛宴。 立足國際產業發展形勢，從全球視角全面探討第三代半導體發展的現狀與趨勢、面臨的機遇與挑戰，以及面向未來的戰略與思考是中歐第三代半導體高峰論壇舉辦的宗旨。目
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基本半導體 3D SiC JBS二極管 4H 碳化硅PIN二極管 第三代半導體 中歐論壇
全球領先的嵌入式解決方案供應商賽普拉斯半導體公司(Cypress Semiconductor Corp.)(納斯達克代碼：CY)日前宣布，與海力士半導體公司(SK hynix system ic, Inc.)成立合資公司。協議約定在前五年中，合資公司將生產及銷售賽普拉斯現有的SLC NAND閃存系列產品，并將繼續投資于下一代NAND產品。合資公司總部設立在香港，海力士與賽普拉斯將分別持有60%與40%的股份。 賽普拉斯總裁兼首席執行官Hassane El-Khoury表示：“合資公司將會長期為客戶提
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海力士 NAND
存儲芯片市場在經過長達一年半時間的猛漲后，部分內存芯片的價格突然下跌，加之韓國三星電子近期發布的令人失望的2017年盈利報告，導致那些押注芯片繁榮的投資者感到極度不安。
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摩爾定律 NAND
中國存儲器產業起步較晚，我國作為全球最重要的存儲器市場，在國家產業政策扶持以及大量資本投入的背景下，通過自主研發關鍵技術與引入半導體巨頭，有望實現存儲器產業的“彎道超車”，在全球競爭中占有一席之地。
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DRAM NAND 存儲器
隨著智能型手機、平板、PC等消費類電子擴大普及，以及大數據、安防監控、物聯網、人工智能、5G網絡、無人駕駛等熱潮的興起，數據存儲需求與日俱增。據中國閃存市場ChinaFlashMarket數據，預計2018年全球存儲市場規模將達到1500億美元。 在9月19日的中國閃存市場峰會(CFMS2018)上，央視記者采訪了存儲產業鏈內的知名企業，比如：西部數據、長江存儲、慧榮、江波龍、群聯、大華、元禾華創等，同時業內大咖也分享了對存儲產業發展的看法。 央視財經頻道精彩回顧：原廠3D閃存芯片產出增加存儲容量
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NAND 長江存儲
北京，西部數據公司今日發布三個安防監控存儲解決方案更新，擴展了其用于現代監控市場的數據存儲設備系列。這一系列更新包括：業內率先發布的用于監控的工業級3D NAND UFS嵌入式閃存盤(EFD)、拓展至256GB2大容量的WD Purple microSD移動卡系列，以及使OEM及系統集成商能夠主動管理其存儲子系統、維持運行優化狀態的新款設備分析軟件Western Digital Device Analytics(WDDA)。 <左1：西部數據公司中國區產品市場總監-張丹女士、左2：西部數據公司
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西部數據 NAND
前言 多年來，全球的非易失存儲功能都仰仗于 NAND 閃存技術。其用途已經從單純的閃存驅動器擴展到筆記本電腦、智能手機和平板電腦，如今又擴展至云端存儲操作所需固態存儲記憶體。隨著時間的推移，結構上的逐漸演進已滿足對存儲容量增加、尺寸縮小和可靠度提升上的不斷需求，而且此技術已經驗證，可提供高性能，低功耗，并和以前的固態存儲技術相比，每存儲單位比特成本更低，其價值不言而喻。 最初，NAND 閃存制造商使用多重圖案化技術來縮小尺寸，從而增加存儲密度，降低相對應成本。遺憾的是，2D 或平面 NAND 閃存
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NAND 閃存
西部數據公司于今日推出了新款3D TLC NAND UFS汽車嵌入式閃存盤(EFD)，豐富了其高質量、高耐用性的汽車儲存解決方案，用以滿足對先進汽車系統和自動駕駛車輛的需求(如高級駕駛輔助系統ADAS)。西部數據公司iNAND? AT EU312 嵌入式閃存盤的 UFS 2.1接口，可提供高容量和相比較此前基于e.MMC 產品更強的性能，滿足了汽車設備嚴格的質量和可靠性要求。 車聯網需要以越來越高的容量快速可靠地存儲數據，以支持由數字集群、信息娛樂系統、3D地圖導航、遠程信息處理、高級駕駛輔助系統的
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西部數據 NAND
在半導體業，有非常多與接口標準、性能規格、功能特性和設計的真實可能性有關聯的假設、術語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關于NAND閃存的錯誤觀念。 在使用期的性能恒定。 固態硬盤(SSD)寫入數據愈多，特別是隨機數據，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或寫入處理可以為應用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創新局。對于在內部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器，可能會表現差勁，不是導致系統的使用壽命縮短就是性能大幅下降。 隨著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
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NAND eMMC UFS
? ? ? ? 西部數據公司（NASDAQ：WDC）今天推出96層3D NAND UFS2.1嵌入式閃存盤（EFD）-西部數據iNAND? MC EU321，旨在加速實現人工智能（AI）、增強現實（AR）、支持多個攝像頭的高分辨率攝影、4K視頻采集以及其他面向高端手機及計算設備的高要求應用。 <西部數據iNAND? MC EU321嵌入式閃存盤> ? ? ? ?新款西部數據iNAND? MC EU321嵌入式閃存盤
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NAND 閃存盤
根據《韓聯社》報導，這所新的M15新產線位于清州，SK海力士從2016年12月宣布興建，并且于2017年4月動工，并已在今日完工啟用，新廠將加強韓國存儲器產業中的競爭力。SK計劃持續擴大這條產線，不過詳細內容將會視市場狀況來決定。該廠將會在2019年第1季開始生產96層NANDFlash快閃存儲器，將會有月產20萬片的程度，類似于位于首爾以南80公里的利川M14生產線。 SK海力士會長崔泰源宣示，身為國家的關鍵企業，SK海力士將會持續維持在市場的競爭力。韓國大統領文在寅也出席了啟用儀式，并在致詞表示
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SK NAND
隨著NAND Flash工藝逐漸從2D向3D過渡，技術和產能齊升的態勢下，長江存儲以Xtacking技術切入3D NAND市場，為國產存儲技術的發展點燃了希望。
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NAND Xtacking
對于一個多月前在美國圣克拉拉召開的全球閃存峰會上發布的突破性技術Xtacking，長江存儲執行董事長高啟全接受中國證券報記者專訪表示，該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產品上市周期。未來十年，長江存儲將持續增加研發投入。 制程的兩大難點 中國證券報：3D NAND制造工藝的難點在哪些地方? 高啟全：3D NAND的困難點在于一層層疊上去的時候需要打洞把每一層連接起來，層數越多需要打的洞就越多，每一個單位都要打洞，數量可達幾百萬個。必須保證做到垂直地
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長江存儲，NAND
全球NAND閃存主控芯片設計與營銷領導品牌慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation, NASDAQ: SIMO)，將于9月19日在深圳舉辦的 “2018中國閃存市場峰會(China Flash Market Summit)〞展示全系列最新主控芯片解決方案來滿足全方位巿場需求，其包括專為數據中心、超高速Client SSD及適用于BGA SSD的PCIe SSD主控芯片為全方位存儲市場帶來最完整的解決方案，此外支持高速移動存儲方案，慧榮將展示UFS 2.1主控
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慧榮科技 NAND
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