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臺積電：2nm芯片研發(fā)重大突破，1nm也沒問題
- 一、臺積電：第一家官宣2nm工藝，研發(fā)進度超前據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道，臺積電2nm工藝取得重大突破，研發(fā)進度超前，業(yè)界看好其2023年下半年風(fēng)險試產(chǎn)良率就可以達到90%。據(jù)臺媒透露，有別于3nm與5nm采用鰭式場效晶體管（FinFET）架構(gòu)，臺積電2nm改采全新的多橋通道場效晶體管（MBCFET）架構(gòu)，研發(fā)進度超前。據(jù)悉，臺積電去年成立了2nm專案研發(fā)團隊，尋找可行路徑進行開發(fā)。考量成本、設(shè)備相容、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項條件，2nm采以環(huán)繞閘極（GAA）制程為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu)，解決FinFET因制程微
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臺積電2024年將量產(chǎn)突破性的2nm工藝晶體管
- 9 月 25 日消息 據(jù) wccftech 報道，臺灣半導(dǎo)體制造公司（TSMC）在 2nm 半導(dǎo)體制造節(jié)點的研發(fā)方面取得了重要突破：臺積電有望在 2023 年中期進入 2nm 工藝的試生產(chǎn)階段，并于一年后開始批量生產(chǎn)。目前，臺積電的最新制造工藝是其第一代 5 納米工藝，該工藝將用于為 iPhone 12 等設(shè)備構(gòu)建處理器。臺積電的 2nm 工藝將采用差分晶體管設(shè)計。該設(shè)計被稱為多橋溝道場效應(yīng)（MBCFET）晶體管，它是對先前 FinFET 設(shè)計的補充。臺積電第一次作出將 MBCFET 設(shè)計用于其晶體管而不
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臺積電2nm工藝2023年風(fēng)險試產(chǎn)良率或達90%
- 據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道，臺積電2nm工藝取得重大突破，研發(fā)進度超前，業(yè)界看好其2023年下半年風(fēng)險試產(chǎn)良率就可以達到90%。供應(yīng)鏈透露，有別于3nm和5nm采用鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET），臺積電的2nm工藝改用全新的多橋通道場效電晶體（MBCFET）架構(gòu)。據(jù)悉，臺積電去年成立了2nm專案研發(fā)團隊，尋找可行路徑進行開發(fā)。考量成本、設(shè)備相容、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項條件，2nm采以環(huán)繞閘極（GAA）制程為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu)，解決FinFET因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問題。極紫外光（EUV）微顯
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國產(chǎn)視覺應(yīng)用新平臺 瓴盛科技AIoT SoC芯片破繭而出
- 作為視頻監(jiān)控的應(yīng)用和生產(chǎn)大國，中國的視頻監(jiān)控應(yīng)用誕生了多家重要的國際領(lǐng)先企業(yè)，比如海康、大華等，不過受制于美國的科技管控，兩家企業(yè)均曾被列入美國實體名單，這就讓國內(nèi)諸多AI和視覺應(yīng)用的系統(tǒng)方案級企業(yè)不得不考慮更多的硬件選擇，從而更好的將中國的視覺智能應(yīng)用產(chǎn)業(yè)做大做強。在這樣的前提下，瓴盛科技的JA310的發(fā)布就有了更多不尋常的戰(zhàn)略意義。 8月28日，“2020 AIoT高峰論壇暨瓴盛‘芯視覺’產(chǎn)品發(fā)布會”在成都市雙流區(qū)隆重召開，省市區(qū)相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)、瓴盛科技股東方、行業(yè)客戶、生態(tài)合作伙伴和媒體記者等超過300位
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臺積電正與一家主要客戶緊密合作 加快研發(fā)2nm工藝
- 據(jù)國外媒體報道，為蘋果、AMD等眾多公司代工芯片的臺積電，近幾年在芯片制程工藝方面走在行業(yè)前列，他們的5nm工藝已在今年一季度大規(guī)模量產(chǎn)，為蘋果等客戶代工最新的處理器。在5nm工藝投產(chǎn)之后，臺積電下一步工藝研發(fā)的重點就將是更先進的3nm、2nm工藝，其中3nm工藝在最近兩個季度的財報分析師電話會議上均有提及，臺積電CEO魏哲家透露正在按計劃推進，計劃2021年風(fēng)險試產(chǎn)，2022下半年大規(guī)模投產(chǎn)。此前鮮有提及的2nm工藝，也有了消息。外媒的報道顯示，在昨日的臺積電2020年度全球技術(shù)論壇上，他們透露正在同一
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臺積電2nm工廠計劃建在新竹 已獲得建廠所需土地
- 8月25日消息，據(jù)國外媒體報道，5nm工藝在一季度大規(guī)模投產(chǎn)之后，臺積電下一步的工藝研發(fā)重點就將是更先進的3nm工藝和2nm工藝，為盡快量產(chǎn)，相關(guān)的工廠也需要提前謀劃，同步跟進。雖然3nm工藝還未投產(chǎn)，2nm工藝也還在研發(fā)階段，但臺積電已經(jīng)在謀劃2nm工藝的芯片生產(chǎn)工廠。臺積電已開始謀劃2nm工藝工廠的消息，源自臺積電負(fù)責(zé)營運組織的資深副總經(jīng)理秦永沛。外媒在報道中表示，秦永沛透露臺積電計劃在新竹建設(shè)2nm工藝的芯片生產(chǎn)工廠，建設(shè)工廠所需的土地目前已經(jīng)獲得。新竹是臺積電總部所在地，先進工藝的工廠建在新竹也在
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Mentor 推出 Calibre nmLVS-Recon 技術(shù)，顯著簡化 IC 電路驗證過程
- 為了幫助集成電路 (IC) 設(shè)計人員更快地實現(xiàn)設(shè)計收斂，Mentor, a Siemens business 近日將Calibre? Recon 技術(shù)擴展至 Calibre nmLVS 電路驗證平臺。Calibre Recon 技術(shù)于2019年推出，作為 Mentor Calibre nmDRC 套件的擴展，旨在幫助客戶在早期驗證設(shè)計迭代期間快速、自動和準(zhǔn)確地分析 IC 設(shè)計中的錯誤，從而極大地縮短設(shè)計周期和產(chǎn)品上市時間。●? ?Calibre nmLVS-Recon?技術(shù)可
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高效節(jié)能！Silicon Mitus汽車用AVN電源管理IC亮相
- 電源管理半導(dǎo)體IC設(shè)計公司Silicon Mitus 近日推出用于汽車車載主機(AVN)的SoC電源管理IC “SM6700Q”。通過汽車AVN電源管理IC能夠從汽車電池流入的電源有效切換、分配及控制于車輛SoC平臺上。另外，新產(chǎn)品SM6700Q高度符合汽車AVN的SoC上所需要的電源、CPU、存儲、I/O和I/F等各種電源需求。SM6700Q的特征為：支持3.5~5.5V輸入范圍；搭載6個降壓穩(wěn)壓器 (Buck Regulator) 和6個LDO Regulator；具有4CH的10-bit模擬數(shù)字變換
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CEVA音頻DSP支持 Dolby MS12多碼流解碼器已獲認(rèn)證
- CEVA，全球領(lǐng)先的無線連接和智能傳感技術(shù)的授權(quán)許可廠商 近日宣布?CEVA-BX2?音頻DSP?支持Dolby MS12多碼流解碼器。隨著智能電視、空中內(nèi)容服務(wù)(over-the-top(OTT))和機頂盒發(fā)展成為多功能的數(shù)字媒體接收器，多種內(nèi)容來源要利用多種音頻編解碼器來獲得。Dolby MS12是一款全面的高效低成本解決方案，可減低將多種音頻技術(shù)集成到這些設(shè)備中的復(fù)雜性。Dolby MS12支持各種優(yōu)質(zhì)音頻內(nèi)容的解碼，包括Netflix等許多內(nèi)容服務(wù)提供商所使用的Dolby At
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TraceSafe手環(huán)和風(fēng)險曝露通知系統(tǒng)將協(xié)助多倫多狼群俱樂部主場蘭波特體育場安全開放
- 物聯(lián)網(wǎng)（IoT）超低功耗無線技術(shù)的創(chuàng)新者?Atmosic? Technologies?和接觸者追蹤解決方案提供商?TraceSafe Inc.?共同宣布，TraceSafe在AllSafe 手環(huán)中采用了Atmosic M2解決方案。 M2系統(tǒng)單芯片（SoC）功耗極低，可大大延長AllSafe手環(huán)的電池壽命，同時還支持連接到網(wǎng)關(guān)的藍(lán)牙遠(yuǎn)距離連接技術(shù)。發(fā)展基于可穿戴設(shè)備的新冠肺炎（COVID-19）風(fēng)險曝露通知新冠肺炎對大眾健康的嚴(yán)重威脅仍然存在。但隨著倉庫、工廠、企業(yè)
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Simple Machines選用UltraSoC的嵌入式分析技術(shù)來支持新一代計算平臺
- UltraSoC?日前宣布，其嵌入式分析技術(shù)已被Simple Machines，Inc（SMI）選用于其創(chuàng)新的可組合計算平臺（Composable Computing Platform）之中。UltraSoC的技術(shù)將使SMI及其客戶對該公司產(chǎn)品的硬件和軟件行為有一個深入的了解，這些產(chǎn)品針對的是各種要求苛刻的應(yīng)用，諸如安全應(yīng)用、視覺認(rèn)知、語言理解和網(wǎng)絡(luò)級個性化 。SMI的解決方案采用了一種全新的、已獲專利的處理器架構(gòu)，該架構(gòu)被設(shè)計為可完全定制，以實現(xiàn)對片上資源的最大利用，從而使其適用于從邊緣人工智
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臺積電2nm制程研發(fā)取得突破 將切入GAA技術(shù)
- 據(jù)臺灣媒體報道，臺積電沖刺先進制程，在2nm研發(fā)有重大突破，已成功找到路徑，將切入環(huán)繞式柵極技術(shù)(gate-all-around，簡稱GAA)技術(shù)。臺積電臺媒稱，三星已決定在3nm率先導(dǎo)入GAA技術(shù)，并宣稱要到2030年超過臺積電，取得全球邏輯芯片代工龍頭地位，臺積電研發(fā)大軍一刻也不敢松懈，積極投入2nm研發(fā)，并獲得技術(shù)重大突破，成功找到切入GAA路徑。臺積電負(fù)責(zé)研發(fā)的資深副總經(jīng)理羅唯仁，還為此舉辦慶功宴，感謝研發(fā)工程師全心投入。臺積電3nm制程預(yù)計明年上半年在南科18廠P4廠試產(chǎn)、2022年量產(chǎn)，業(yè)界以
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三星采用新思科技的IC Compiler II 機器學(xué)習(xí)技術(shù)設(shè)計新一代5納米移動SoC芯片
- 重點：IC Compiler II和Fusion Compiler的機器學(xué)習(xí)技術(shù)助力三星將頻率提高高達5%，功耗降低5%機器學(xué)習(xí)預(yù)測性技術(shù)可加快周轉(zhuǎn)時間(TAT)，使三星能夠跟上具挑戰(zhàn)性的設(shè)計時間表三星在即將推出的新一代移動芯片流片中部署了機器學(xué)習(xí)技術(shù)新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）今天宣布，三星(Samsung)為其新一代5納米移動芯片生產(chǎn)設(shè)計，采用了IC Compiler? II布局布線解決方案（新思科技Fusion Design Platform?的一
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歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對2nm soc的理解，并與今后在此搜索2nm soc的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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