去年年末，半導體業內極具聲望的前臺積電運營長蔣尚義加盟中芯國際，曾掀起業內對于兩岸半導體制造行業發展現狀及前景的大規模討論，而隨后傳出助三星趕超臺積電制程進度的關鍵人物梁孟松也將加入中芯國際，將這一討論推向了高潮。今年4月再次傳出梁孟松將就任中芯國際CTO或COO的消息，令中芯和梁孟松再次處于了半導體制造行業的風口浪尖處，由此引發的一系列關于中芯國際制程進步、大陸半導體產業前景及半導體制造行業格局的討論猶言在耳。因此近日來盛傳的梁孟松手下大將已赴中芯國際任職，梁本人8月初開始請長假的消息，再次給近期稍
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中芯國際 14nm
中國正在大力推動半導體產業發展，作為高新科技核心的半導體技術實在太重要了，不僅僅是帶來幾萬億GDP，而且事關國家安全——在這點上，不僅中國政府這么認為，美國政府也多次表態半導體技術事關美國國家安全，美國不能放松。對國內公司來說，發展半導體技術面臨的困難不只有人才、資金、技術等，還有美國的技術封鎖，限制了中國公司獲得國際先進技術的可能性。這事也說過很多次了，那么美國在半導體技術上到底有什么限制呢?現在來看美國不禁止14nm制造工藝進入中國，但是X86芯片設計等關鍵技術不能離開美國
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14nm X86
英特爾近兩年的擠牙膏策略給了很多競爭對手反擊的機會，比如AMD的Ryzen，再比如微軟攜手高通推驍龍835平臺的Windows 10筆記本。
從表面上看英特爾最近的確盡顯頹勢，但這僅限Intel品牌的X86處理器領域。實際上，最近兩年英特爾在其他領域還是收獲頗豐的。
先來看看對英特爾而言的一個最大利好消息吧。
我們都知道，蘋果從iPhone 7開始，同時采購高通和英特爾兩家生產的基帶芯片，目的是給高通壓力，少收點專利費，賣得再便宜點。沒想到高通油鹽不進，最近還和蘋果鬧上了公堂，為
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英特爾 14nm
如今，后摩爾定律時代已經來臨，工藝微縮將會面臨更多的挑戰，此時工藝的“驗證能力”在這場戰爭中已是不可或缺的武器，如何精準地在幾個納米的差距中找到差異，絕對是致勝關鍵;面對更小更困難的工藝，材料分析的技術扮演著至關重要的角色，未來將跟隨半導體工藝微縮的腳步，一起見證下一個世代的來臨。
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英特爾 14nm
IDM(集成器件制造商)指Intel、IBM、三星這種擁有自己的晶圓廠，集芯片設計、制造、封裝、測試、投向消費者市場五個環節的廠商，一般還擁有下游整機生產。
Fabless(無廠半導體公司)則是指有能力設計芯片架構，但本身無廠，需要找代工廠代為生產的廠商，知名的有ARM、NVIDIA、高通、蘋果和華為。
Foundry(代工廠)則指臺積電和GlobalFoundries，擁有工藝技術代工生產別家設計的芯片的廠商。我們常見到三星有自己研發的獵戶座芯片，同時也會代工蘋果A系列和高通驍龍的芯片系
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14nm 10nm
2月10日，英特爾在投資者會議上正式發布了第8代酷睿處理器，將于今年下半年亮相。遺憾的是，第8代酷睿處理器并沒有采用傳聞中的10nm工藝，而是依舊沿用14nm工藝，英特爾稱之為“Advancing Moore‘s Law on 14 nm”。雖然采用的仍然是老工藝，但是英特爾表示，第8代酷睿的性能將比Kaby Lake提升15%。
據悉，數據中心所用的Xeon高端多核處理器將首批用上下一代制程，也就是10nm。另外在1月初的CES 2017上，CEO柯再奇曾表
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英特爾 14nm
半導體業界公認不愛名利的前臺積電共同執行長蔣尚義，赴大陸擔任中芯國際獨立非執行董事，震驚業界，然業界又傳出投奔三星電子、與臺積電打官司多年的前臺積電資深研發處長梁孟松，已于第3季離開三星，近期將投入大陸半導體艦隊，落腳處也是中芯國際。業者認為這些臺灣半導體超級戰將紛投效大陸，似乎是為大陸半導體未來黃金十年做背書。
大陸大動作發展半導體產業，繼瘋狂蓋12吋晶圓廠、購并國際大廠，近期開始挖角重量級的高手加入大陸半導體業，近期除了被點名的蔡力行及已經宣布的蔣尚義外，傳出下一個要投奔大陸的是與臺積電有多
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臺積電 14nm
Samsung 14nm FinFET 推出至今也有一段時間，到底有哪些產品使用呢?
隨著Samsung Exynos 7 Dual 7270 這款整合LTE Modem 與聯網能力的穿戴式裝置用SoC 進入量產，這家韓系品牌在14nm FinFET 的布局也跟著廣泛許多。
第一款使用14nm FinFET 的產品時Exynos7 Octa 7420，其處理器架構為四核ARM Cortex-A57 與四核ARM Cortex-A53，被運用在Samsung GALAXY S6 與Samsu
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三星 14nm
英特爾很快會推出新一代14nm工藝處理器，這已經不是什么秘密，但英特爾7nm工藝處理器要等很多年才能看到，這一點比三星和臺積電晚很多，令人擔憂。不過這都是后話，現在最受關注的還是14nm工藝，根據爆料14nm工藝不僅僅是提升頻率降低功耗，英特爾打算加入四核心八線程，TDP有望維持在15W。
新的處理器核心面積為122平方毫米，不過依然是之前的顯示核心，預計明年第三季度量產，第一季度就會有樣品出現了。
另外，根據客戶要求還會推出更高性能的版本，但TDP會提升到18
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英特爾 14nm
Intel擁有地球上最先進的半導體工藝，在FinFET工藝上比其他廠商提前兩年多量產，14nm FinFET工藝雖然遭遇了難產，但還是比TSMC、三星更早，而且Intel的工藝水平是最好的，柵極距是真正的14nm水平，其他兩家是有水分的。從 上半年開始轉型開始，Intel也把晶圓代工作為突破點，拉攏到了LG電子，現在又一家客戶確認了，中國的展訊公司也會使用Intel 14nm工藝代工，相關芯片最快10月份就可以出樣。
Intel在晶圓制造上實力無可置疑，此前也有零星的代工合作，不過客戶并不多，主
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Intel 14nm
之前根據一份泄露的英特爾產品路線圖顯示，超頻友好的14nm桌面Broadwell CPU年中到來，現在我們知道這些信息是真實的。在舊金山游戲開發者大會上，消
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14nm Broadwell CPU
10nm新工藝難產，Intel不得不臨時增加了第三代的14nm工藝平臺Kaby Lake，但即便如此進展也不快，Intel甚至將其描述為“2017年平臺”。
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Intel 14nm
產業資深顧問Handel Jones認為，半導體業者應該盡速轉移14奈米FD-SOI (depleted silicon-on-insulator)制程，利用該技術的眾多優勢…
半 導體與電子產業正努力適應制程節點微縮至28奈米以下之后的閘成本(gate cost)上揚;如下圖所示，在制程微縮同時，每單位面積的邏輯閘或電晶體數量持續增加，其速率高于晶圓片成本增加的速率。在另一方面，當制程特征尺寸縮 減時，晶片系統性與參數性良率會降低，帶來較高的閘成本。
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FD-SOI 14nm
三星電子的晶片部門風光不再，從金雞母淪落至賠錢貨，該部門1日宣稱第三代14奈米FinFET制程的研發工作即將完成，似乎意圖向臺積電(2330)搶單，扭轉頹勢。
韓媒etnews 2日報導，去年三星電子量產第一代14奈米制程，名為LPE(Low Power Early)，外界評測發現能耗表現遜于臺積電16奈米，讓三星顏面盡失。三星隨后研發第二代14奈米制程，名為LPP(Low Power Plus)，宣稱耗電量較前代減少15%，目前三星Galaxy S7搭載的Exynos 8 Octa和高通驍龍8
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三星 14nm
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