- 聯電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術將于后年初開始試產。聯電正全力研發新一代14nmFinFET制程技術，預計效能可較現今28nm制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應用處理器低功耗與高效能優勢，擴大搶攻通訊與消費性電子IC制造商機。
聯電執行長孫世偉表示，14nmFinFET制程技術將會是聯電切入未來次世代通訊運算市場的最佳利器。
聯電執行長孫世偉表示，由于晶圓從28跨入20nm制程以下的微縮過程中，勢必得使用雙重曝光(DoublePatterning)微影技術才能實現，而此
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聯電 處理器 14nm FinFET
- 去年營收146億美元，今年將達170億美元，臺灣積體電路制造股份有限公司(TSMC，以下簡稱“臺積電”)迎來了兩個豐收的年頭。10月5日，其市值再次創造新紀錄—以2兆3587億元新臺幣的市值高居臺灣上市公司之首。年屆81歲的張忠謀復出僅僅3年，就將臺積電從裁員與訂單流失的泥潭里拉了出來—2009年第一季度，臺積電收入出現其史上最大跌幅，幾近虧損。對常年保持兩位數增長的臺積電和慣于將其視為“模范生”的業界而言，這樣的消息令人震驚，也
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- 日前，GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架構的14nm-XM技術，其全球銷售和市場營銷執行副總裁Michael Noonen近日接受媒體訪問，對有關問題進行了解讀。
XM 是 eXtreme Mobility 的縮寫，作為業界領先的非平面結構，它真正為移動系統級芯片(SoC)設計做了優化，能提供從晶體管到系統級的全方位產品解決方案。與目前20納米節點的二維平面晶體管相比，該技術可望實現電池功耗效率提升 40%~60%。
Noonen表示：“201
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- ? 英特爾公司在最近召開的英特爾信息技術峰會(IDF)上表示，他們將在2013年年底之前進入14nm時代。目前，英特爾的22nm工藝技術已經相當成熟，它大量用于Haswell處理器的生產線上。
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- 核心提示：英特爾于2009年關閉了位在都柏林附近Leixlip的Fab14廠，將當地晶圓廠的數量減少至三個，分別為Fab10,24和24-2。2011年1月，英特爾花費約五億美元重建Fab14舊廠，但當時并未說明翻新這座晶圓廠的詳細規劃。
英特爾日前公布了將部署14nm及以下制程的晶圓廠投資計劃。據表示，總投資金額將超過十億美元。
英特爾CEO PaulOtellini稍早前說明了英特爾的晶圓廠部署14nm及未來更先進制程的藍圖及相關投資規劃。這些晶圓廠包括了位在美國奧勒岡州的D1X晶圓廠
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- 半導體產業正在面臨一項挑戰，即每兩年微縮晶片特征尺寸的周期已然結束，我們正在跨入一個情勢高度不明的階段。業界目前面臨的幾項關鍵挑戰都顯示，晶片微縮的路程愈來愈艱困了。
1.晶圓代工廠量產32/28nm晶圓的周期延長到了三年左右。2009年，45/40nm晶圓占代工廠營收比重僅10%;而2012年第四季，32/28nm占代工廠營收比重也是10%。
2.在32nm量產2年多以后，22nm的FinFET才宣布將邁入量產。FinFET是一項極具挑戰性的技術。英特爾在這方面的研究相當卓越，但仍需克服
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- 盡管英特爾依然樂觀地預測將于2015年之前推出8nm制程工藝的芯片，但人們還是懷疑14nm可能將成為硅芯片尺寸的最終盡頭。
近年來，芯片的發展進程始終嚴格遵守著“摩爾定律”，并有條不紊地進行著，直到14nm制造工藝的芯片在英特爾的實驗室中被研制成功，業界開始有了擔憂。
據摩爾定律所說，集成在同一芯片上的晶體管數量大約每兩年增加一倍，同時相同大小的芯片將具有雙倍的性能。一旦達到14nm的制程，將極其接近硅晶體的理論極限數字(大約為9nm到11nm)。
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- 雖然在40nm、28nm兩度折戟，境況堪憂，但臺積電畢竟是全球第一大代工廠，正所謂樹大根深。近日據悉，臺積電資深研發副總裁蔣尚義(Shang-yi Chiang)已經宣稱，臺積電將在2012年開始14nm工藝的研發，并將于2015年投入批量生產。
蔣尚義說，臺積電會使用450毫米(18英寸)新晶圓來制造14nm工藝芯片，而不是現在主流的300毫米，因為更大尺寸的晶圓將有助于降低生產成本。
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- 由于對目前Atom處理器路線圖的不滿，Intel公司首席執行官Paul Otellini認為應該改變原有路線圖，尋找新的中心點，同時Paul Otellini稱公司已經加快新款Atom處理器的設計進度，并表示Intel公司的一個目標是在智能手機和平板電腦設備上部署Atom處理器。
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- 據參加了比利時微納米電子技術研究機構IMEC召開的技術論壇的消息來源透露，與會的各家半導體廠商目前已經列出了從平面型晶體管轉型為垂直型晶體管(以Intel的三柵晶體管和IBM的FinFET為代表)的計劃。
其中來自半導體代工巨頭臺積電公司負責研發的高級副總裁蔣尚義在會上發言稱，臺積電公司已經決定在14nm制程節點轉向使用垂直型晶體管結構。
蔣尚義表示：“經過研究，我們決定在14nm制程節點放棄使用傳統的平面型晶體管結構，轉而采用能更好控制溝道性能的垂直型晶體管結構。&rdq
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