- 硅襯底完敗藍寶石襯底，芯片結構已玩不出新花樣？-芯片是五面發光的，通常需要將將芯片置于支架內，反光杯的開口面積遠大于芯片發光面積，導致單位面積光通量低，芯片表面顏色均勻性非常差，芯片正上方偏藍，而外圈偏黃。 基于氮化鎵的藍/白光LED的芯片結構強烈依賴于所用的襯底材料。目前大部分廠商采用藍寶石作為襯底材料
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芯片 藍寶石襯底 硅襯底
- 為加大對科技型企業特別是中小企業的政策扶持，有力推動大眾創業、萬眾創新，培育創造新技術、新業態和提供新供給的生力軍，促進解決升級發展，科技部、財政部、國家稅務總局對《高新技術企業認定管理辦法》進行了修訂完善。
文中指出，本辦法所稱的高新技術企業是指：在《國家重點支持的高新技術領域》內，持續進行研究開發與技術成果轉化，形成企業核心自主知識產權，并以此為基礎開展經營活動，在中國境內(不包括港、澳、臺地區)注冊的居民企業。
根據科技部網站公布的消息，國家重點支持的高新技術領域：
一、電子信
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硅襯底 OLED
- GaN材料自20世紀90年代以來逐漸在顯示、指示、背光和固態照明等領域廣泛應用，已形成巨大的市場。到目前為止，...
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硅襯底 藍光LED
- 雖然東芝和普瑞光電合作僅數月，他們已經對外公布在8英寸硅襯底生長出高品質的GaN，所得LED芯片大小為1.1mm。在電壓不超過3.1V，電流為350mA的情況下該芯片功耗為614mW。
合作中，東芝除了提供自己先進的硅制造工藝和一些生產技術的研發支持外，東芝還對普瑞光電進行了股權投資，看好普瑞在固態照明領域的技術創新實力。該項投資將進一步促進雙方在固態照明行業為降低成本所做的努力。
雖然東芝和普瑞光電合作僅數月，他們已經對外公布在8英寸硅襯底生長出高品質的GaN，所得LED芯片大小為1.1
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- 襯底作為半導體照明產業的核心技術，是產業發展的基石，襯底材料的選用直接決定了LED芯片的制造路線。日前，普瑞光電宣布明年將量產8英寸硅襯底的消息引起了業界的格外關注。隨后，Cree也發布消息稱，其白光功率型LED光效再度刷新行業最高紀錄，達到254lm/W。一面是硅襯底這條新技術路線研發取得突破性進展的消息時有爆出，一面是SiC襯底芯片光效的快速提升，而藍寶石襯底也因產能過剩價格低至谷底而備顯競爭力。面對新技術的快速發展和老技術的不斷突破，如今，SiC、藍寶石、硅這三種不同的襯底技術路線，哪種在成本和
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- 晶能光電先后推出了2類4種規格的硅襯底LED芯片，年產能達到30億粒(小芯片)。“在氮化鎵基半導體發光材料領...
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晶能光電 硅襯底 LED 芯片產業
- 近日，美國LED芯片制造商Bridgelux公司首席執行官Bill Watkins透露，該公司決定將重心從藍寶石襯底LED制造轉移至成本更低的硅襯底LED制造，并計劃裁掉利弗莫爾總部共250名員工中的53名，約五分之一，預估生產方式的轉移將使公司生產成本降低75%。
此外，Bridgelux公司期望在18個月內將硅襯底LED投入量產。目前正與一家亞洲公司商談成立合資公司來從事新一代LED的海外制造。
Bridgelux迄今為止總共募集了1.8億美元的風投資金。2010年，Bridg
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- 1993年世界上第一只GaN基藍色LED問世以來，LED制造技術的發展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
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- 近日，韓國三星尖端技術研究所(SAIT) 已經選擇Veeco的TurboDisc ?K465i? MOCVD作為其硅基氮化鎵功率器件研究的設備。
對此，Veeco的化合物半導體業務執行副總裁William J. Miller表示：“Veeco被選中作為三星SAIT研究硅氮化鎵，并商品化這項技術用于大批量制造氮化鎵功率器件，我們認為是巨大的戰略研發上的勝利。”
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硅襯底介紹
硅襯底是目前價格最便宜，可獲得尺寸最大，器件工藝較成熟的半導體材料，用硅材料制備光電子器件,從而使成熟的硅集成電路工藝與IV—族,IⅥ族光電一子器件的光電特性結合在一起,發揮材料的各自優勢,巳成為較活躍,有吸引力的研究領富域. 硅具有Fd3m空間群的金剛石結構，屬立方體系。由沿體對角線方向位移1/4體對角線距離的兩套面心立方子晶格嵌套而成。 圖1.6.1是從硅晶胞方向的透視圖，硅的室溫物理 [
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