雖然東芝和普瑞光電合作僅數月，他們已經對外公布在8英寸硅襯底生長出高品質的GaN，所得LED芯片大小為1.1mm。在電壓不超過3.1V，電流為350mA的情況下該芯片功耗為614mW。

　　合作中，東芝除了提供自己先進的硅制造工藝和一些生產技術的研發支持外，東芝還對普瑞光電進行了股權投資，看好普瑞在固態照明領域的技術創新實力。該項投資將進一步促進雙方在固態照明行業為降低成本所做的努力。