晶能光電先后推出了2類4種規格的硅襯底LED芯片，年產能達到30億粒(小芯片)。

“在氮化鎵基半導體發光材料領域，晶能光電創造性發展出第三條半導體照明技術路線———硅襯底氮化鎵基LED外延芯片。該技術是一種改寫氮化鎵基LED歷史的新技術，具有原創技術產權，已獲得或者公開國際國內發明專利52項?！?a class="contentlabel" href="http://www.j9360.com/news/listbylabel/label/晶能光電">晶能光電(江西)有限公司董事長江風益在接受《中國電子報》記者采訪時如是說。

產業化初見成效

記者在采訪中了解到，晶能光電目前生產的芯片具有如下三大優勢：第一，具有原創技術產權：產品可銷往國際市場。第二，具有優良的性能：產品抗靜電性能好，壽命長，可承受的電流密度高。第三，器件封裝工藝簡單：芯片為上下電極，單引線垂直結構，在器件封裝時只需單電極引線，簡化了封裝工藝，節約了封裝成本。

2007年2月，在江西省委、省政府，南昌市委、市政府，高新區管委會、省市有關部門及南昌大學的大力支持下，產業化一期項目順利開工。2008年5月開始小批量試生產，形成年產30億粒小芯片的產能。計劃于2010年擴產到100億粒。

2009年5月，公司研發的1瓦硅襯底大功率LED芯片達到90lm，進入普通照明領域。

據了解，晶能光電投產以來，先后推出2類4種規格的硅襯底LED芯片，應用范圍包括彩屏、數碼管、指示燈等用藍光、綠光芯片。年產能達30億粒(小芯片)。現在已有30多家用戶，第二代產品目前需求旺盛。公司正在開發彩電背光用LED芯片和路燈用LED芯片。江風益表示，公司中長期發展目標是要做有國際特色的LED高檔芯片生產龍頭企業。下一步的研發方向為半導體照明早日進入千家萬戶而發展高性價比的LED芯片。

人才與資本是發展基礎

任何一家高科技企業發展都離不開優秀的人才，而資金更是高新技術企業發展的關鍵與基礎。晶能光電(江西)有限公司是以南昌大學發光材料與器件教育部工程研究中心為技術依托，由金沙江、淡馬錫、梅菲爾德、永威投資、凱旋創投等多家國際著名的創業投資基金共同投資，專門從事硅襯底氮化鎵基LED外延材料與芯片生產的高科技企業。江風益介紹說，晶能光電具有卓越的創業團隊，又以優越的機制從海內外引進了一批優秀的企業家和職業經理人。公司引進了國內外優秀管理人員和技術骨干100多人；從國內知名的大專院校、科研院所招聘了200多名優秀的應屆畢業博士、碩士和大學生。

記者在采訪中了解到，金沙江創投正計劃以晶能光電為上游龍頭，在南昌建設LED產業園，將其已投資的LED路燈等其他LED項目逐步遷入南昌園區。產業園計劃投入巨資，每年新增LED項目3-5個。在南昌建設LED應用產品及產業集群，吸引全球半導體照明上下游配套產業在南昌集聚，建設成為有中國特色的LED與半導體照明基地。