- 編者按：德國最大太陽能企業Conergy公司今年將出現1.5億～2億歐元稅前虧損，對于中國光伏產業來說，到底傳遞了怎樣的信息?中國光伏產業發展除了需要企業自身向上游挺進，還需要哪些政策的支持?
“中國的太陽能公司境況也好不了太多，行業新一輪洗牌為時不遠。”針對德國最大太陽能企業Conergy公司今年將出現1.5億～2億歐元稅前虧損的消息，寧波太陽能公司一位高層昨日在接受《第一財經日報》采訪時表示。
行業利潤急劇降低
隨著太陽能產業的迅猛發展，作為太陽能電池板主要原料的多晶硅價格，從2
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- 門極可斷晶閘管(gate turn-off thyristor,GTO)是一種具有自斷能力的晶閘管。處于斷態時，如果有陽極正向電壓，在其門極加上正向觸發脈沖電流后，GTO可由斷態轉入通態，已處于通態時，門極加上足夠大的反向脈沖電流，GTO由通態轉入斷態。由于不需用外部電路強迫陽極電流為0而使之關斷，僅由門極加脈沖電流去關斷它；所以在直流電源供電的DC—DC，DC—AC變換電路中應用時不必設置強迫關斷電路。這就簡化了電力變換主電路，提高了工作的可靠性，減少了關斷損耗，與SCR相比還可以提高電力電子變換的
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- 晶閘管(thyristor)是硅晶體閘流管的簡稱，俗稱可控硅（SCR），其正式名稱應是反向阻斷三端晶閘管。除此之外，在普通晶閘管的基礎上還派生出許多新型器件，它們是工作頻率較高的快速晶閘管(fast switching thyristor，FST)、反向導通的逆導晶閘管(reverse conducting thyristor，RCT)、兩個方向都具有開關特性的雙向晶閘管(TRIAC)、門極可以自行關斷的門極可關斷晶閘管（gate turn off thyristor，GTO）、門極輔助關斷晶閘管(g
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- 將IGBT用于變換器時，應采取保護措施以防損壞器件，常用的保護措施有：
（1） 通過檢出的過電流信號切斷門極控制信號，實現過電流保護；
（2） 利用緩沖電路抑制過電壓并限制du/dt；
（3） 利用溫度傳感器檢測IGBT的殼溫，當超過允許溫度時主電路跳閘，實現過熱保護。
下面著重討論因短路而產生的過電流及其保護措施。
前已述及，IGBT由于寄生晶閘管的影響，當流過IGBT的電流過大時，會產生不可控的擎住效應。實際應用中應使IGBT的漏極電流不超過額定電流，以避免出現擎住現
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- 西安是我國重要的半導體產業基地之一。雖然遠離沿海，但西安仍快速抓住了市場熱點，在“十一五”期間，西安在集成電路產業方面進行錯位發展，將重點集中在設計、設備、材料及導航業上。
多款自主創新芯片量產
西安的第一個錯位發展領域是集成電路設計業。“因為設計是一個智力型產業，西安在這方面的資源非常有優勢。”陜西集成電路行業協會秘書長藺建文介紹了其中的原因，“在這方面，我們要發展一些高端的、具有自主知識產權的創新產品，這是我們這幾年花精力比較多的方面。”經過幾年的發展，目前，設計業已初具規模。
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- 據外電報道，市場研究公司iSuppli稱，由于第三季度強勁增長，中國半導體市場2007年的銷售收入將達到iSuppli預測的15%的增長率。
iSuppli稱，中國半導體市場2007年的銷售收入預計將從2006年的450億美元增長到520億美元。這標志著中國半導體市場的年收入首次突破500億美元。
iSuppli中國研究機構的高級分析師Horse Liu稱，第三季度中間市場的強勁需求幫助半導體廠商實現了銷售收入目標。同時，盡管人民幣升值和石油價格上漲，中國電子產品出口仍然顯著增長。
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- 功率場效應管(Power MOSFET)也叫電力場效應晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關斷能力,而且有驅動功率小,開關速度高、無二次擊穿、安全工作區寬等特點。由于其易于驅動和開關頻率可高達500kHz，特別適于高頻化電力電子裝置，如應用于DC/DC變換、開關電源、便攜式電子設備、航空航天以及汽車等電子電器設備中。但因為其電流、熱容量小，耐壓低，一般只適用于小功率電力電子裝置。
一、電力場效應管的結構和工作原理
電力場效應晶體管種類和結構有許多種，按導電溝道可分為P溝道和N溝道，同時
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- 對太陽能電池行業供需形勢的判斷需要了解供給和需求兩個方面，尤其是多晶硅的供給量。未來多晶硅供應增量包括三部分：傳統大廠的擴產、新進入廠商的產量、物理法等新技術增加的產量。傳統大廠太陽能級硅料產能在2008年翻番，2010年達到40350噸;物理法、FBR等新技術的計劃年產能也已經超過1萬噸;包括中國、俄羅斯、西班牙等國的新廠計劃產能也超過20000噸，可靠產能超過6000噸。
硅料供應緊張有望緩解
由硅料供應可以判斷太陽能行業供給狀況。太陽能電池根據原料來源可以分為三類：太陽能級多晶硅制造
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- 太陽能是最大的無污染可再生能源，它取之不盡，用之不竭，是今后人類能源利用的重點。但目前太陽能發電只占可再生能源5‰，居四大可再生能源的末位。這主要在于生產太陽能電池多晶硅的改良西門子法耗電量太大，而正在探索中的冶金物理法技術尚不成熟。這需要我國科技工作者加快研發步伐，以期在研制太陽能電池方面取得突破性進展。
太陽能基地電能輸送是難題
太陽能是無污染的巨大能源。太陽每秒照射到地球上的能量相當于500億噸煤，比目前全人類的能耗量還大3.5萬倍。太陽內部的核聚變可以維持幾百億年，相對于人類的有限
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- 市場調研公司Gartner日前降低了對今明兩年半導體產業的增長預測。它警告稱，隨著該產業走向32納米工藝技術，處境只會變得越發困難。分析師在日前召開的年度吹風會上表示，該產業明年仍可能陷入衰退，取決于宏觀經濟方面的一些因素。另外，Gartner發布了2007年的初步市場份額數據，顯示東芝、高通和海力士半導體是最大的贏家，而AMD、飛思卡爾和IBM則是最大的輸家。
“該市場趨于成熟，到了該進一步整合的時候，”Gartner的半導體研究副總裁BryanLewis表示，“如果你不具備一定的規模或者增加
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- 1、 過電壓保護
晶閘管對過電壓很敏感，當正向電壓超過其斷態重復峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導通，引發電路故障；當外加反向電壓超過其反向重復峰值電壓URRM一定值時，晶閘管就會立即損壞。因此，必須研究過電壓的產生原因及抑制過電壓的方法。
過電壓產生的原因主要是供給的電功率或系統的儲能發生了激烈的變化，使得系統來不及轉換，或者系統中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發現為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關的開閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動作等產生的過電壓是幾微秒至幾
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- 一、IGBT的工作原理
電力MOSFET器件是單極型（N溝道MOSFET中僅電子導電、P溝道MOSFET中僅空穴導電）、電壓控制型開關器件；因此其通、斷驅動控制功率很小，開關速度快；但通態降壓大，難于制成高壓大電流開關器件。電力三極晶體管是雙極型（其中，電子、空穴兩種多數載流子都參與導電）、電流控制型開關器件；因此其通-斷控制驅動功率大，開關速度不夠快；但通態壓降低，可制成較高電壓和較大電流的開關器件。為了兼有這兩種器件的優點，棄其缺點，20世紀80年代中期出現了將它們的通、斷機制相結合的新一代半導
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- 當今社會，能源危機和環境污染已經成為世界各國共同面臨的兩大難題。隨著人們環保和節能意識的增加，低功耗設計越來越受到廠商、消費者和各國政府的關注，高能效的電源設計將成為市場的主導。并且，電源設計周期加快、低待機能耗、高能效以及減少占位面積的要求正在改變傳統的電源設計方法，推動電源管理設計的創新。無論是客觀環境，還是人們的主觀意識上，“環保節能型”設計已是電源管理市場發展的大趨勢。
“環保節能型”設計的需求在給半導體產業帶來巨大機遇的同時，也帶來了重大挑戰。在滿足政府及相關組織提出的節能環保標準和規
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- 據市場研究公司In-Stat最新發表的研究報告稱，亞洲半導體制造行業一直在快速提高生產能力，這種趨勢在未來幾年還將繼續下去。這篇研究報告預測稱，亞洲半導體生產能力從2006年至2011年的復合年增長率為10.8%。
分析師稱，隨著集成設備廠商外包的增長，純代工廠商將越來越重要。純代工廠商在開發領先的工藝技術方面將保持領先的地位。亞洲地區DRAM內存和閃存生產能力也將強勁增長。這篇報告的要點包括：
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半導體材料介紹
半導體材料（semiconductor material）
導電能力介于導體與絕緣體之間的物質稱為半導體。半導體材料是一類具有半導體性能、可用來制作半導體器件和集成電的電子材料，其電導率在10（U-3）～10（U-9）歐姆/厘米范圍內。半導體材料的電學性質對光、熱、電、磁等外界因素的變化十分敏感，在半導體材料中摻入少量雜質可以控制這類材料的電導率。正是利用半導體材料的這些性質，才制造出功能多樣 [
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