- 三星今日宣布,已成功在聯發科技的下一代天璣旗艦移動平臺完成其最快的10.7千兆比特/秒(Gbps)LPDDR5X DRAM驗證。三星半導體LPDDR5X移動內存產品圖此次10.7Gbps運行速度的驗證,使用三星的16GB LPDDR5X封裝規格,基于聯發科技計劃于下半年發布的天璣9400旗艦移動平臺進行。兩家公司保持密切合作,僅用三個月就完成了驗證。"通過與聯發科技的戰略合作,三星已驗證了其最快的LPDDR5X
DRAM,該內存有望推動人工智能(AI)智能手機市場,"三星電子內存產
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三星 聯發科技 天璣 LPDDR5X
- 7 月 17 日消息,韓媒 bloter 于 7 月 15 日發布博文,爆料稱三星計劃在 Exynos 2500 芯片中使用硅電容。注:硅電容(Silicon Capacitor)通常采用 3 層結構(金屬 / 絕緣體 / 金屬,MIM),超薄且性狀靠近半導體,能更好地保持穩定電壓以應對電流變化。硅電容具有許多優點,讓其成為集成電路中常用的元件之一:· 首先,硅電容的制造成本較低,可以通過批量制造的方式大規模生產。· 其次,硅電容具有較高的可靠性和長壽命。由于其結構簡單,易于加工和集成,硅電容的失效率較低
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三星 Exynos 2500 芯片 硅電容
- 7月14日消息,據媒體報道,三星3nm工藝的Exynos 2500芯片研發取得顯著進展。Exynos 2500的工程樣品已經實現了3.20GHz的高頻運行,這一頻率不僅超越了此前的預期,而且比蘋果A15 Bionic更省電,效率表現更為出色。此前,有關三星3nm GAA工藝良率過低的擔憂一度影響了市場對Exynos 2500的信心,特別是在Galaxy S25系列手機的穩定首發方面。不過三星在月初的聲明中,對外界關于3nm工藝良率不足20%的傳聞進行了否認,強調其3nm GAA工藝的良率和性能已經穩定,產
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三星 3nm Exynos 2500 3.20GHz
- 自三星電子官網獲悉,7月9日,三星電子宣布將向日本人工智能公司Preferred Networks提供采用2nm GAA工藝和先進2.5D封裝技術的Interposer-Cube S(I-Cube S)一站式半導體解決方案。據介紹,2.5D先進封裝I-Cube S技術是一種異構集成封裝技術,通過將多個芯片集成在一個封裝中,從而提高互連速度并縮小封裝尺寸。聲明中稱,Preferred Networks的目標是借助三星領先的代工和先進的封裝產品,開發強大的AI加速器,以滿足由生成式AI驅動的日益增長的計算需求
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三星 2nm AI芯片
- IT之家 7 月 11 日消息,三星確認 Bixby 將很快獲得人工智能升級。在 Galaxy Z Flip 6 和 Galaxy Z Fold 6 發布后,三星移動部門 CEO TM Roh 在接受 CNBC 采訪時表示,公司將在今年晚些時候發布升級版 Bixby,并由三星自家的大語言模型(LLM)提供支持。Roh 表示:“我們將通過應用生成式人工智能技術來提升 Bixby 的能力?!睅讉€月前,三星推出過名為“Samsung Gauss”的自研 LLM。此前曾有報道稱三星正在研發升級版 Bix
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三星 AI Bixby
- 據外媒報道,臺積電的2nm制程工藝將開始在新竹科學園區的寶山晶圓廠風險試產,生產設備已進駐廠區并安裝完畢,相較市場普遍預期的四季度提前了一個季度。芯片制程工藝的風險試產是為了確保穩定的良品率,進而實現大規模量產,風險試產之后也還需要一段時間才會量產。在近幾個季度的財報分析師電話會議上,臺積電CEO魏哲家是多次提到在按計劃推進2nm制程工藝在2025年大規模量產。值得一提的是,臺積電在早在去年12月就首次向蘋果展示了其2nm芯片工藝技術,預計蘋果將包下首批的2nm全部產能。臺積電2nm步入GAA時代作為3n
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臺積 三星 2nm 3nm 制程
- 三星一直想透過3納米技術超車臺積電,但結果始終不如預期,相較臺積電已經取得多位大客戶的訂單,并反映在財報上,三星3納米技術甚至被爆出良率一度只有0%,即使高層堅稱「很穩定」自家人韓媒不買賬,直言很多大廠都沒有明確要下訂單。 韓媒DealSite此前曾爆料,三星生產Exynos 2500處理器時,良率一度僅有0%,加上知名分析師郭明錤日前撰文表示,高通將成為三星Galaxy S25系列機型的獨家SoC供貨商,原因是三星自家的Exynos 2500芯片良率低于預期,因此無法出貨。接二連三的消息都顯示,三星3納
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三星 3納米 良率
- 三星電子9日宣布獲得日本AI新創公司Preferred Networks訂單,將提供GAA 2納米制程及2.5D I-Cube S封裝技術的一站式解決方案,協助Preferred Networks發展強大的AI加速器,應付快速擴大的生成式AI運算需求。 自從三星率先將GAA晶體管技術應用到3納米制程后,便持續強化GAA晶體管技術,成功贏得Preferred Networks的GAA 2納米制程訂單。這也是三星首度與日本業者進行大尺寸異質整合封裝技術合作,有助日后進一步搶攻先進封裝市場。 三星2.5D先進封
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三星 2納米 AI芯片
- AI應用熱!SK海力士、三星及美光等全球前三大內存廠,積極投入高帶寬內存(HBM)產能擴充計劃,市場人士估計,2025年新增投片量約27.6萬片,總產能拉高至54萬片,年增105%。 HBM是AI芯片占比最高的零組件,根據外媒拆解,英偉達H100近3,000美元成本,SK海力士HBM成本就占2,000美元,超過生產封裝。HBM經歷多次迭代發展,進入第四代HBM3和第五代HBM3E,AI芯片相繼采用HBM3E,SK海力士在2023年基本上是壟斷HBM3市場,而2024年HBM3與HBM3E訂單都滿載。美光2
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SK海力士 三星 美光 HBM
- 內存和存儲芯片制造商三星發布了其首款容量高達60TB的企業級固態硬盤(SSD),專為滿足企業用戶的需求而設計。得益于全新主控,三星表示未來甚至可以制造120TB的固態硬盤。對比2020年發布的上一代BM1733,BM1733采用了第5代V-NAND技術的QLC閃存、堆疊層數為96層、最大容量為15.36TB,顯然BM1743的存儲密度有了大幅度提升。三星以往的固態硬盤容量上限為32TB,此次推出的BM1743固態硬盤則將容量提升至了驚人的60TB。值得注意的是,目前三星在該細分市場將面臨的競爭相對較少,因
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三星 固態硬盤 V-NAND
- 韓國三星電子表示,因人工智能AI需求暢旺,內存芯片的售價因此也水漲船高,上季營業利益可望飆升約15倍,比路透社4日報導的預估值13倍還要多。這家全球最大內存芯片制造商預估,集團整體第2季營利為10.4兆韓元,約75億美元,年增1,452.2%。同時,營收也大增23.3%,達74兆韓元。不過,三星這次并沒有揭露凈利數字。 4到6月這1季,是三星自2022年第3季曾創下營業利益高達10.8兆韓元以后,全集團營利再次沖高到10兆韓元以上。另外,三星第2季的營利,也比自己2023年一整年的6.5兆韓元要高出不少。
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三星 內存
- 7月3日消息,三星今天正式發布了其首款3nm工藝芯片——Exynos W1000。這款芯片專為可穿戴設備設計,預計將應用于即將推出的Galaxy Watch 7和Galaxy Watch Ultra智能手表。Exynos W1000芯片采用了三星最新的3nm GAA工藝,搭載了1個Cortex-A78大核心和4個Cortex-A55小核心,其中大核心的主頻達到1.6GHz,小核心主頻為1.5GHz。與前代產品Exynos W930相比,W1000在單核性能上實現了3.4倍的提升,在多核性能上更是達到了3.
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三星 3nm 芯片 Exynos W1000 主頻1.6GHz
- 財聯社7月4日電,韓國媒體NewDaily報道稱,三星電子的HBM3e芯片通過了英偉達的產品測試,三星將很快就大規模生產HBM并供應給英偉達一事展開談判。
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三星 HBM 芯片 英偉達 測試
- ASML去年末向英特爾交付了業界首臺High-NA
EUV光刻機,業界準備從EUV邁入High-NA EUV時代。不過ASML已經開始對下一代Hyper-NA
EUV技術進行研究,尋找合適的解決方案,計劃在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻機。據Trendforce報道,Hyper-NA
EUV光刻機的價格預計達到驚人的7.24億美元,甚至可能會更高。目前每臺EUV光刻機的價格約為1.81億美元,High-NA
EUV光刻機的價格大概為3.8億美元,是EUV光刻機的兩倍多
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ASML Hyper-NA EUV 光刻機 臺積電 三星 英特爾
- 什么是 GDDR7 內存?它是用于 GPU 的下一代圖形內存,例如即將推出的 Nvidia Blackwell RTX 50 系列。它將在未來幾年內用于各種產品,為現有的 GDDR6 和 GDDR6X 解決方案提供代際升級,從而提高游戲和其他類型的工作負載的性能。但這個名字下面還有很多事情要做。自從第二代GDDR內存(用于“圖形雙倍數據速率”)推出以來,這種模式就非常清晰。GDDR(前身為 DDR SGRAM)早在 1998 年就問世了,每隔幾年就會有新的迭代到來,擁有更高的速度和帶寬。當前一代
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