吳玲:中國半導體照明產業市場潛力大 發展快
半導體照明亦稱固態照明,因其具有高效、節能、環保、壽命長、易維護等顯著特點,正在成為照明史上繼白熾燈、熒光燈之后的又一場照明光源的革命,被公認為是21世紀最具發展前景的高新技術領域之一。
本文引用地址:http://www.j9360.com/article/94637.htm技術創新體系初步建立公共技術平臺初具雛形
為搶占新興產業的先機,提高新一代半導體材料與技術的國際競爭力,科技部、原信息產業部、中科院、教育部、原建設部、輕工業聯合會等單位,聯合成立了國家半導體照明工程協調領導小組,2003年10月緊急啟動了“半導體照明工程”攻關項目,以近期解決特殊照明市場急需的產業化關鍵技術,中遠期培育白光普通照明產業為目標,以應用促發展,促進中國半導體照明產業核心競爭力的形成。
2006年8月,根據《國家中長期科學和技術發展規劃綱要(2006-2020年)》工業節能優先主題中“研究開發高效節能、長壽命的半導體照明產品”的部署和“十一五”科技發展規劃,國家啟動了“十一五”“863”計劃新材料領域“半導體照明工程”重大項目,安排經費3.5億元,對半導體照明核心技術的突破和產業化關鍵技術的攻關等進行了全產業鏈部署,并明確了“十一五”的戰略目標:通過自主創新,突破白光照明部分核心專利,解決半導體照明市場急需的產業化關鍵技術,建立完善的技術創新體系與特色產業集群,完善半導體照明產業鏈,形成我國具有國際競爭力的半導體照明新興產業。通過國家半導體照明工程和“十一五”“863”重大項目以及電子專項基金等計劃的實施,我國在LED外延材料、芯片制造、器件封裝、熒光粉等方面均已掌握自主知識產權的單元技術,且部分核心技術具有原創性,初步形成了從上游材料、芯片制備,中游器件封裝及下游集成應用的比較完整的研發與產業體系。
基礎研究方面有了可喜的苗頭。在探索性、前沿性材料生長和器件研究方面,非極性氮化鎵LED、深紫外LED的外延生長技術達到國際先進水平;在國際上首次研制出類太陽光全譜白光LED器件。
產業化關鍵技術取得較大突破。功率型芯片從無到有,光效已經超過80流明/瓦,國產芯片替代進口比例逐年增長,截至目前已達到49%。功率型白光LED封裝接近國際先進水平,已成為全球重要的LED封裝基地,具有自主知識產權的功率型硅襯底LED芯片封裝后光效超過60流明/瓦。
公共技術平臺初具雛形,正在探索創新的體制、機制。初步建成了采用產業化設備,可開展產業化技術開發的“柔性”工藝平臺,該平臺正在探索與聯盟產業研發基金互動、企業化運作的管理模式。
完整產業鏈基本形成部分地區形成產業集群
隨著半導體照明技術的進步,我國開發了指示、信號與顯示,背光,照明三大類數百種照明產品。目前我國已成為全球LED全彩顯示屏、太陽能LED、景觀照明等應用產品最大的生產和出口國。2008年7月海信首款42英寸LED背光液晶電視正式上市,預示著占世界產量接近40%的中國消費類電子產品已開始使用LED技術。此外,通用照明的發展比預測提前了兩年,已有十幾個城市實施了半導體照明應用與路燈改造試驗工程。
到2008年底,我國共有LED企業3000余家。其中,上中游的外延及芯片生產商有25家左右,中游封裝企業約有1000家,下游應用產品生產企業2000家。民營和合資企業占到企業總數的75%。
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