KLA-Tencor今天發布了其最新一代在線電子束（e-beam）晶圓檢查系統eS31，它能夠滿足芯片制造商對65nm和以下節點的工程分析和生產線監控應用方面的高靈敏度檢查需要。eS31采用了KLA-Tencor的經過生產驗證的23xx光明場檢查平臺，以及若干能夠比前一代電子束檢查設備在擁有成本（CoO）方面提升六倍之多的若干硬件和軟件。利用eS31，芯片制造商可以發現電路缺陷，并在工藝開發階段及時解決這些問題，使他們的先進產品更迅速地進入市場，與此同時，在生產過程中對電性缺陷異常增高的監控能夠實現更高的產量，并降低其每個成品硅片的成本。

    隨機攜帶的mLoop技術縮短了數星期的工藝開發時間eS31是eS3x產品系列中第一個集成了該公司專有的mLoop（“Micro Loop”）技術的系統，它可以在早期發現以前使用電路探針需要花幾個星期才能發現的對良率有關鍵影響的電性缺陷。自從KLA-Tencor推出了前一代eS20XP檢查系統以來，mLoop已經被全球領先的芯片制造商采用，以加速他們先進工藝的良率學習周期。mLoop采用獨特的優化電壓對比測試結構，有助于芯片制造商確定電路缺陷的精確位置。利用eS31的mLoop技術可以在一個小時內完成整個晶圓區的檢查。mLoop最初是為生產線后端（BEOL）工藝加速良率學習周期設計的，它也能發現生產線前端（FEOL）工藝中的重要缺陷，例如多晶硅間微小殘留，為SRAM結構提供先進電路的檢驗。這尤其適用于微調光刻板/光掩膜，以改善線寬。

    新型缺陷推動著新型檢查解決方案的需求向小型設計標準的轉變、新材料和更大的晶圓尺寸導致了缺陷類型的顯著增加，這些問題利用電子束檢查才能發現。在銅的雙重鑲嵌工藝中，更小的線寬導致了新的隱蔽的缺陷——銅空洞——用光學檢查系統是難以發現的。新材料，例如鈷化物和鎳化物，其隱蔽的電路缺陷也在增加。漏電對先進邏輯器件性能的影響日益加大，也已成為人們越來越關注的一個焦點。此外，先進存儲器件的極大的高寬比比（＞40∶1）結構也推動著電子束檢查的需求，因為光學檢查設備不能發現這些結構底部形成的蝕刻下缺陷。eS31是專門用來發現以上這些和影響器件電路性能的許多其他重要缺陷類型的方法。

    基準靈敏度和生產價值
    eS31具有所需的發現極小（50nm以下）的物理缺陷和電壓對比缺陷的靈敏度。eS31系統擴展的光學設備使之具備了提高數據處理速度和基于規則的分類（RBB）生產能力，這比同類電子束檢查設備提高了六倍。此外，eS31可作為KLA-Tencor業界領先的23xx光場檢查平臺，它已被整個代工行業廣泛采用。通過共用一個通用的平臺，eS31有助于降低設備操作人員的培訓成本，并改善了使用和格式設置的易用性。不同于同類電子束檢查平臺，eS31也簡化了電子束的基本檢測參數設置，同時利用一個自動化程序進行設備校準，使工程師可以把更多的精力集中在實驗設計（DOE）和工藝的改進方面。 
    KLA-Tencor公司電子束檢查部門副總裁兼總經理Paul Marella表示：“自從十幾年前率先涉足電子束檢查領域以來，我們不斷利用我們擁有的技術專長，通過與用戶的密切合作，為他們解決了最重要的生產良率問題。eS31可以為我們的用戶提供一個從65nm工藝開發到生產全過程的真正的解決方案，幫助他們跟上摩爾定律的進程，并降低生產成本?！?