宜普電源轉換公司可幫助參賽者于谷歌與IEEE合辦的「Little Box Challenge」公開賽通過采用氮化鎵(eGaN®)功率晶體管設計出超小型功率逆變器以勝出該挑戰賽。

　　宜普電源轉換公司宣布全力支持參加谷歌與IEEE合辦的「Little Box Challenge」公開賽的工程師創建更小體積的功率逆變器并贏取100萬美元獎金。由于氮化鎵場效應晶體管 (eGaN®FET)具有可處理高功率功能、超快開關速度及小尺寸等優勢，因此它是功率逆變器的理想晶體管。

　　「Little Box Challenge」挑戰賽的主旨是什么?

　　「Little Box Challenge」挑戰賽旨在鼓勵工程師給太陽能功率系統開發出更細小及更廉價的功率逆變器。 逆變器是該系統的一部分，可從太陽能電池把直流電轉換成可與目前電力網基礎設施兼容的交流電。減低逆變器的成本對太陽能系統的總成本的影響很大。

　　為何使用氮化鎵(eGaN)功率晶體管?

　　- 高效率/低損耗

　　與使用MOSFET器件的解決方案相比， 氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)的開關性能可實現更高開關頻率，從而可縮小儲存能量元件的體積，這些元件的體積支配逆變器的尺寸。

　　- 超快開關速度

　　由于采用橫向結構的氮化鎵場效應晶體管的尺寸細小，因此可實現超低電容及零QRR值，同時該器件使用LGA封裝，可實現低電感。這些特點使得氮化鎵器件可實現前所未有的開關性能 -與MOSFET器件的開關速度相比大約增快一至兩倍。 開關速度是提高開關頻率的主要因素。

　　- 小尺寸

　　氮化鎵(GaN)是一種寬頻隙器件，與傳統MOSFET技術相比，具優越的傳導性能，使得器件在相同的導通電阻下(RDS(on))，器件的尺寸可以更細小并具有更低電容。

　　對參賽者的支持

　　宜普電源轉換公司全力支持這個由谷歌及美國電氣電子工程師學會(IEEE)聯合舉辦的「Little Box Challenge」挑戰賽。如果您的團隊有興趣探討利用宜普的氮化鎵場效應晶體管(eGaN® FET)設計出具高功率密度的逆變器并參加是次比賽，請瀏覽網頁http://epc-co.com/epc/cn/LittleBoxChallenge.aspx?utm_source=LBC&utm_medium=PR&utm_content=LBC_Landing-Page&utm_campaign=LBCPR。