LIN總線及其對環保汽車的貢獻
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高集成度器件顯著節省油耗
通過高集成度引入智能化的伺服執行機構 (slave ctuator)，其好處是顯而易見的。根據對汽車油耗的研究顯示，每增加100W的電氣負載，便會使百公里油耗增加0.1升，而這相當于每百公里多排放25克CO2 。從已規劃的排放限制來看，這是個不小的數值。我們還可以從更實際的角度做出評價，按照歐洲已規劃的汽車稅改革法 (新法令將對新增車輛，以及車輛本身的油耗征稅)，對于一輛每年行駛15000公里的車輛，每排放1克CO2的稅金估計達到170歐元左右；換句話說，百公里油耗每增加 0.1升，每年稅金就將增加425歐元。此外，對車重也可作同樣的計算，可按車重每減少50公斤，百公里油耗減少0.1升來計算。
專為汽車配備成本優化的LIN總線和高集成度的系統級封裝IC，就可讓汽車中所有執行機構僅在需要時才工作，從而大幅提高燃油的使用效率。在不工作模式下，電流消耗可降低至僅數微安培。
高集成度的實現方案 ---- 多芯片模塊 (MCM)
如何實現微控制器、監視器、電壓調節器和收發器的高度集成呢？總的來說，有兩種方法。一是在單一芯片上實現集成，即單芯片集成；二是將兩塊裸片組合成一個所謂的多芯片模塊 (MCM) 中。乍一看，單芯片集成似乎更好，可實現更小的封裝尺寸。
但事實并非如此，假設你打算將采用高壓 BCDMOS 技術來把微控制器、LIN 收發器和電壓調節器集成在一塊芯片上，除了技術劣勢外，由于芯片表面積顯著增大而導致的成本上升，還抵銷了單芯片集成的好處。
而且，這種單芯片解決方案還存在問題，因為汽車制造商對在惡劣環境下行車時數據傳輸所需的ESD保護能力及抗干擾能力的要求越來越嚴格，而這種解決方案是無法滿足的。
DPI測試
如上所述，汽車制造商要求器件符合目前的LIN標準，并成功地通過系統及組件級的專門EMC測試，作為一個附加措施。在這方面，基于氧化物隔離的技術明顯優于體效應技術。直接功率注入測試 (Direct Power Injection, DPI) 通過在 LIN 引腳上的直接耦合，測量 RF輻射能量，結果清楚顯示，由于采用了 SOI 技術，因而不存在寄生晶體管被激活的可控硅行為。相比使用傳統技術的收發器，愛特梅爾采用 SOI 技術的LIN收發器在34 dBm的測試極限下未出現任何故障。
低電流微控制器
對于微控制器內核，要求則截然不同，電流消耗要盡可能低，即應當采用盡可能小的結構和盡可能低的電平。此外，必須支持各種不同容量的存儲器技術 (如EEPORM、閃存或SRAM) 和各種外設 (如定時器、USART、ADC等)。如果需要根據應用進行電流消耗優化，智能節電模式和執行時間短則是基本的要求。
除了這些要求外，諸如芯片上調試，或硬件級集成的 LIN UART 之類的功能也是 LIN節點開發不可分割的部分。尤其是硬件實現的 LIN 協議，不僅可將簡化的開發工藝用于模塊，而且還能顯著降低成本，因為 IC 制造商已經完成了協議認證，而且所需的存儲器和系統資源也更少。
QFN封裝
要取得最佳的成本優化效果，應當采用最適合相應要求的技術。請記住，就SiP技術而言，在系統基礎芯片的高壓要求和微控制器的超低功耗/高速性能要求之間可以畫出一條清楚的界線。為了進一步優化，必須采用QFN封裝。一方面，這種封裝可為容納兩塊裸片提供盡可能大的表面；另一方面，QRN封裝所占的線路板面積最小。例如32管腳QFN封裝的占位空間小于SO8封裝，因而使到可用芯片空間增加一倍。除了占位空間小，QFN封裝還有一個決定性優勢，即熱阻低，Rthjc10 k/W，相應地散熱也就良好。此外，其安裝兩塊芯片的銅條也在背面起到大面積散熱體的作用，如將該銅條焊接在相應的電路板上，熱阻便可下降到35 k/W以下。
單一IC中實現完整的LIN節點
愛特梅爾最新的第二代系統級封裝 (SiP) 器件 (ATA6612 和ATA6613) 不僅具有8位AVR微控制器 (ATmega88 或ATmega168)，而且還包含一個LIN SBC，提供了整個系統所需的功能如LIN收發器、5V電壓調節器和監視器。
采用這種 SiP 組件，只需一塊芯片構就可構建一個完整的LIN節點 (參見圖3)，而且占用最小的空間。SiP IC具有與單一器件相同的抗ESD/EMC能力和散熱能力。
更進一步的SiP 解決方案正在開發之中，如擴展閃存 (32和64KB) 版本，或帶有其它(除電源、監視器、LIN收發器等基本功能之外) 高級功能的版本。
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