圖3：這些接收器均采用15-x-22mm LGA封裝，支持定向轉換或中頻采樣設計，可為3G/4G蜂窩基站接收器提供架構性技術選擇

　　RFMD公司還專門針對智能手機和平板電腦推出了許多基于SOI的開關產品。由于這些移動設備中多種射頻標準（GSM/WCDMA/LTE/WiFi/藍牙）要求共存，因此這些開關產品承諾提供領先的開關線性度和諧波性能。RFMD公司的這一SOI開關產品組合包括RF1603A（SP3T）、RF1604（SP4T）和RF1291（SP10T）天線開關模塊。

　　Skyworks公司提供的一系列表貼功放模塊僅憑單個封裝就能提供完整的寬帶碼分多址（WCDMA）覆蓋，頻率分別覆蓋1920MHz至1980MHz（SKY77701）、850MHz至1910MHz（SKY77702）、1710MHz至1785MHz（SKY77703）、824MHz至849MHz（SKY77704）和880MHz至915MHz（SKY77705）。這些器件可以滿足高速下行鏈路數據包訪問（HSDPA）、高速上行數據包訪問（HSUPA）和長期演進（LTE）數據傳輸的嚴格頻譜線性要求，并具有較高的功率附加效率（PAE）。這些模塊中還集成了定向耦合器，無需再使用任何外部耦合器。臺灣HTC公司推出的包括EVO、Desire HD和Z在內的系列智能手機中就已經采用了這些功放。

　　顯然，工藝技術為了滿足無線和其它應用需求而推進發展的速度是相當令人驚嘆的。雖然集成技術在更多的時候是首選，但分立技術在智能手機之外的應用中仍有龐大需求。正如RFMD公司的Johnson和Gillenwater總結的那樣，“目前無線應用使用許多種工藝技術，如GaAs HBT、pHEMT、BiFET、SiGe、SOI和CMOS等。在性能方面要求最嚴格的應用將繼續使用化合物半導體。在性能要求不是太高的場合，可以使用硅（Si）。隨著GaAs解決方案的成本持續走低（裸片縮小，更大批量），沒有更好的理由要去改變技術。

　　“今后幾年值得期待的、令人感興趣的新技術無疑是BiFET和SOI。”他們繼續指出。“SOI對無線應用來說是一種相對新的Si技術，具有一些令人感興趣的射頻特性，因此是低功耗射頻電路和開關的理想解決方案。GaAs BiFET將HBT和pHEMT整合為一種技術，可實現更高集成度而不犧牲性能，同時還能降低成本。LNA、中等功率射頻開關、HBT功放和低密度模塊控制電路可以集成在單塊GaAs基板上。”當然，有關哪種工藝技術能夠最好地服務哪種應用的爭論仍將繼續下去。