功率開關器件產生的du/dt是開關電源中的主要干擾源之一，IGBT與功率MOSFET在開通和關斷時產生的|du /dt|的大小是不同的，這是在分析和處理電力電子裝置和系統的干擾時必須注意的一個問題。如圖是一臺IGBT電壓型橋式逆變器電路的測試結果，圖（a）表明隨著負載電流的加大，關斷產生的|du/dt|值變大，而圖（b）表明負載電流的變化對開通的|du/dt|影響不大。實驗和分析都表明，由于開通和關斷時產生的|du/dt|不同，從而對外部產生的干擾脈沖也是不同的。

　　圖 IGBT開關動作時的電壓跳變和負載電流的關系