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晶電研發中心發表IR 850nm高效率發光產品

作者: 時間:2014-02-11 來源:DIGITIMES 收藏

  晶元光電研發中心(EPISTARLAB)技術團隊積極投入研發,近日成功開發并導入許多前瞻性技術,如新穎性透明導電薄膜(TCO)材料、復合式反射鏡結構、減少光線吸收之磊晶設計等。EPISTARLAB將相關技術導入后,有效地增加光子萃取效率,已大幅提升IR產品效能,創下多項新紀錄。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/221371.htm

  根據最新數據顯示(如附圖),SFPN42芯片尺寸1x1mm2,實驗室環境中在操作電流40mA下,達最高光電轉換效率75%;操作電流350mA下WPE大于70%;1A操作電流下.發光強度更是超越了1W,達輸出功率1,027mW,領先各業界群雄,如此亮眼的水平使LED更趨于省電節能。

  晶元光電秉持著實現LED無限可能之精神,持續致力于提升產品效能,目前IR產品的應用范圍除了以往的搖控器、開關等傳統應用之外,也包括保全監視、智能觸碰屏幕、無線通訊及交通系統等新應用,期望與客戶攜手將LED光源推廣到更具潛力之市場上,并期許能協助客戶提升競爭優勢。

晶電研發中心發表IR 850nm高效率發光產品

  研發中心發表IR 高效率發光產品



關鍵詞: 晶電 850nm

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