三大原廠紛紛縮減舊制程產能，除三星電子已傳宣布4月終止1y nm及1z nm制程的DDR4生產，美光亦通知客戶停產服務器用舊制程DDR4模組，SK海力士據傳也將DDR4產出比重降至20%。

法人認為，市場景氣低迷，上游存儲器廠加速產品迭代，降低單位成本以提升獲利，同時將資源轉向高帶寬記憶體（HBM）及DDR5等高階產品。

短期內內存價格受到關稅備貨與供給控制支撐，但整體環境不確定性高，未來基本面仍存隱憂。

三星已通知供應鏈，1y nm及1z nm制程的8GB LPDDR4內存將于2025年4月停止生產（EOL），要求客戶于2025年6月前完成最后訂單（LBO）。 多款8GB及16GB DDR4 SODIMM與UDIMM模組將停產，最后出貨日期為2025年12月10日。

法人預期，采用1y nm 16GB DDR4顆粒的OEM業者首當其沖，供應量將大幅減少; 內存模組廠雖仍可取得三星DDR4顆粒，但貨源持續吃緊。

三星計劃減少1y nm制程產出，2024年該制程占位元產出約20%，但2025年下半年比重將降至10%以下。

1z nm制程為2024年主力，占約30%，2025年將降至20%，預計2026年進入DDR4 EOL倒數，2027年全面停產。

同時，三星的1a nm及1b nm新制程產出比重將快速提升，1a nm為2025上半年主流，但2025年下半年1b nm制程將占第四季產出逾40%。

采用新制程的DDR5模塊，將優先供應戴爾、惠普、華碩、宏碁等PC OEM客戶，舊制程DDR4則繼續供應消費性及模組客戶。

記憶體模組廠因DDR4產出減少，采購顆粒不足，模組廠轉向認證及采購南亞科及華邦電等中國臺灣廠商，法人預期，2025年第二季合約價將上漲，主因原廠謹慎控制產能，加上美國關稅政策反復，帶動短期內器采購動能。

法人認為，客戶提前拉貨以應對不確定性，可能導致2025年下半年旺季不旺。

當前存儲器廠商的策略為配合客戶需求，增加美國庫存，以降低未來風險。